为了保证三相桥臂安全可靠运行,需要设置合理的死区时间。氮化镓高电子迁移率晶体管Ga N HEMT(gallium nitride high-electron mobility transistor)由于器件本身特性,死区时间内电压变化情况与传统Si器件存在差异。对Ga N HEMT功率器...为了保证三相桥臂安全可靠运行,需要设置合理的死区时间。氮化镓高电子迁移率晶体管Ga N HEMT(gallium nitride high-electron mobility transistor)由于器件本身特性,死区时间内电压变化情况与传统Si器件存在差异。对Ga N HEMT功率器件反向导通压降较大的问题进行分析,提出了一种基于Ga N HEMT功率器件的改进型在线死区补偿方法。该方法既可以避免电路噪声对电流方向判断的影响,同时又可以减小相电压误差,降低电流谐波,提高电路稳定性。最后通过仿真实验和搭建实验平台验证了改进型在线死区补偿方法的有效性,在反向导通压降较大的情况下较传统的死区时间补偿方法具有明显的优势。展开更多
文摘为了保证三相桥臂安全可靠运行,需要设置合理的死区时间。氮化镓高电子迁移率晶体管Ga N HEMT(gallium nitride high-electron mobility transistor)由于器件本身特性,死区时间内电压变化情况与传统Si器件存在差异。对Ga N HEMT功率器件反向导通压降较大的问题进行分析,提出了一种基于Ga N HEMT功率器件的改进型在线死区补偿方法。该方法既可以避免电路噪声对电流方向判断的影响,同时又可以减小相电压误差,降低电流谐波,提高电路稳定性。最后通过仿真实验和搭建实验平台验证了改进型在线死区补偿方法的有效性,在反向导通压降较大的情况下较传统的死区时间补偿方法具有明显的优势。
