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可见光量子阱半导体激光器的研制
1
作者
宋珂
张福厚
郝修田
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第1期29-30,共2页
研制出的波长为７７８ｎｍ的可见光量子阱半导体激光器，室温脉冲激射平均线性光功率大于２０ｍＷ（未镀反射膜），最低阈值电流为３０ｍＡ。
关键词
超晶格
量子阱
半导体激光器
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职称材料
题名
可见光量子阱半导体激光器的研制
1
作者
宋珂
张福厚
郝修田
机构
山东工业大学电子工程系微电子技术教研室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第1期29-30,共2页
基金
山东省科委资助项目
文摘
研制出的波长为７７８ｎｍ的可见光量子阱半导体激光器，室温脉冲激射平均线性光功率大于２０ｍＷ（未镀反射膜），最低阈值电流为３０ｍＡ。
关键词
超晶格
量子阱
半导体激光器
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
可见光量子阱半导体激光器的研制
宋珂
张福厚
郝修田
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997
0
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