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添加剂对Ag/陶瓷复合触点材料浸润性及电性能的影响 被引量:5
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作者 尹娜 王成建 +2 位作者 亓文鹏 刘雪燕 刘宜华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期1895-1897,1901,共4页
采用固相反应法制备了LaFe0.25Ni0.75O3陶瓷并加入少量添加物作为改性剂,对其与Ag的浸润性,材料的电阻率以及Ag/陶瓷复合电接触材料的电性能分别进行了研究,结果显示,改性剂使陶瓷材料与Ag之间的浸润性发生明显的变化,且作用效果与改性... 采用固相反应法制备了LaFe0.25Ni0.75O3陶瓷并加入少量添加物作为改性剂,对其与Ag的浸润性,材料的电阻率以及Ag/陶瓷复合电接触材料的电性能分别进行了研究,结果显示,改性剂使陶瓷材料与Ag之间的浸润性发生明显的变化,且作用效果与改性剂的加入方式有关,添加剂的加入使材料的电阻率增大,同时一定程度上改变了陶瓷在银基体中的分布状态,从而对电接触材料的使用性能产生较大的影响。 展开更多
关键词 电接触材料 复合陶瓷 浸润性 浸润角
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La_(0.67)Ba_(0.33)MnO_3中Ag的掺杂效应 被引量:10
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作者 原晓波 刘宜华 +2 位作者 黄宝歆 王成建 梅良模 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期32-34,共3页
在溶胶-凝胶法制备的La0.67 Ba0.33MnO3(LBMO)微粉中掺入Ag2O粉,制成一系列(LBMO)/(Ag2O)x/2(x=0~O.35,为摩尔比)掺杂材料,实验结果发现Ag掺杂可明显降低材料的电阻率.当掺Ag量为x=O.25时,样品的电阻率达到最低值.同时在居里点附近,样... 在溶胶-凝胶法制备的La0.67 Ba0.33MnO3(LBMO)微粉中掺入Ag2O粉,制成一系列(LBMO)/(Ag2O)x/2(x=0~O.35,为摩尔比)掺杂材料,实验结果发现Ag掺杂可明显降低材料的电阻率.当掺Ag量为x=O.25时,样品的电阻率达到最低值.同时在居里点附近,样品的峰值磁电阻得到显著增强.微量的Ag掺杂有助于提高样品的自旋相关隧穿磁电阻,使低场磁电阻得到显著增强. 展开更多
关键词 庞磁电阻效应 低场磁电阻 颗粒体系 两相复合结构 导电陶瓷
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La_(0.67)Ba_(0.33)MnO_3中Cu掺杂对电特性和室温磁电阻的影响 被引量:4
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作者 原晓波 刘宜华 +3 位作者 黄宝歆 王成建 张汝贞 梅良模 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期555-557,共3页
 在溶胶 凝胶法制备的La0.67Ba0.33MnO3(LBMO)微粉中掺入CuO粉,制成一系列(LBMO)/(CuO)x(x=0.01~0.1,为摩尔比)掺杂材料,实验结果发现,随着Cu掺杂量的增加,材料的磁化强度和居里温度变化不大,材料的电阻率先快速减小,而后缓慢增大,当x...  在溶胶 凝胶法制备的La0.67Ba0.33MnO3(LBMO)微粉中掺入CuO粉,制成一系列(LBMO)/(CuO)x(x=0.01~0.1,为摩尔比)掺杂材料,实验结果发现,随着Cu掺杂量的增加,材料的磁化强度和居里温度变化不大,材料的电阻率先快速减小,而后缓慢增大,当x=0.01时在全温范围内电阻率都达到最小值,这与Cu离子的价态变化有关。实验还发现Cu离子的掺入可以使材料的室温磁电阻逐步提高,当掺入10%的Cu时,室温磁电阻比达到-8.4%,比未掺杂的LBMO提高了50%。低电阻率导电陶瓷材料和大的室温磁电阻效应都是应用研究所关注的课题。 展开更多
关键词 稀土掺杂锰氧化物 庞磁电阻效应 颗粒体系 导电陶瓷 室温磁电阻
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Nb^(5+)的掺杂引起La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3增强的磁电阻效应 被引量:1
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作者 黄宝歆 王军华 +3 位作者 原晓波 王成建 刘宜华 梅良模 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1548-1550,共3页
将Nb2O5掺杂到用溶胶-凝胶法制备的La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)微粉中,XRD测量结果表明所有样品均为单相菱面结构。随着Nb5+掺杂量的增加,材料电阻率发生显著变化。在x=0.06的掺杂样品中得到最高为1110Ω.cm电阻率(x是掺入的Nb离子与母体材... 将Nb2O5掺杂到用溶胶-凝胶法制备的La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)微粉中,XRD测量结果表明所有样品均为单相菱面结构。随着Nb5+掺杂量的增加,材料电阻率发生显著变化。在x=0.06的掺杂样品中得到最高为1110Ω.cm电阻率(x是掺入的Nb离子与母体材料的摩尔比),比LSMO高5个数量级,这是由于晶界处以及颗粒内部增加的自旋相关的散射和隧穿效应所致。Nb5+离子的掺杂使样品的低场磁电阻(LFMR)和高场磁电阻(HFMR)效应都有所增强。77K下,0.1和1T磁场下在x=0.07样品中分别得到25%和42%的磁电阻效应,分别是LSMO样品的2倍和1.7倍。室温下x=0.03样品的磁电阻最大,为7%。其中,LFMR来源于颗粒晶界处电子的自旋相关隧穿及散射作用,而HFMR来源于表面层的自旋非共线结构。 展开更多
关键词 稀土掺杂锰氧化物 庞磁电阻效应 自旋相关散射 自旋相关隧穿
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