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电子束重复增量扫描曝光技术 被引量:4
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作者 孔祥东 冯圣玉 +1 位作者 卢文娟 张玉林 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期503-506,共4页
提出了电子束重复增量扫描曝光技术新概念,对吸收能量密度与深度和曝光剂量之间的关系、溶解速度与吸收能量密度之间的关系进行了理论分析,发现溶解速度随曝光剂量增加而增大。以此为依据,在SDS-3型电子束曝光机上采用20 keV能量的电子... 提出了电子束重复增量扫描曝光技术新概念,对吸收能量密度与深度和曝光剂量之间的关系、溶解速度与吸收能量密度之间的关系进行了理论分析,发现溶解速度随曝光剂量增加而增大。以此为依据,在SDS-3型电子束曝光机上采用20 keV能量的电子束对570 nm厚的聚甲基丙烯酸甲酯进行了7次重复增量扫描曝光实验,得到了轮廓清晰的梯锥和圆锥3维结构,证明了电子束重复增量扫描曝光技术的可行性,为电子束加工3维结构提供了新工艺。 展开更多
关键词 电子束曝光 吸收能量密度 剂量 溶解速度 抗蚀剂
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用反差确定电子束曝光剂量与刻蚀深度的关系
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作者 卢文娟 张玉林 +1 位作者 孔祥东 郝慧娟 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1377-1380,共4页
为了精确地确定电子束曝光剂量与刻蚀深度间的关系,根据抗蚀剂的灵敏度曲线,采用反差经验公式来确定剂量与刻蚀深度间的关系。选用正性抗蚀剂PMMA进行曝光实验,将计算值进行曲线拟合,得到的关系曲线与实验结果基本相符。当剂量在20... 为了精确地确定电子束曝光剂量与刻蚀深度间的关系,根据抗蚀剂的灵敏度曲线,采用反差经验公式来确定剂量与刻蚀深度间的关系。选用正性抗蚀剂PMMA进行曝光实验,将计算值进行曲线拟合,得到的关系曲线与实验结果基本相符。当剂量在20-35μC/cm^2。间时,实验值与计算值间的差值最小,说明当剂量在此范围内时该方法能够更加精确地确定剂量与刻蚀深度间的关系。采用该方法节省了实验时间,提高了刻蚀效率。 展开更多
关键词 电子束光刻 曝光剂量 刻蚀深度 反差 吸收能量密度
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基于软刻蚀技术的微三维结构加工方法研究 被引量:1
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作者 卢文娟 张玉林 +1 位作者 孔祥东 郝惠娟 《微纳电子技术》 CAS 2007年第10期957-959,963,共4页
软刻蚀是通过表面带有图案的弹性模板来实现图案转移的图形复制技术,弹性印章是软刻蚀技术的核心。简单介绍了软刻蚀技术,使用SDS-3型电子束曝光机,采用重复增量扫描方式进行曝光,生成弹性印章的母版,将其硅烷化后用以制作弹性印章,再... 软刻蚀是通过表面带有图案的弹性模板来实现图案转移的图形复制技术,弹性印章是软刻蚀技术的核心。简单介绍了软刻蚀技术,使用SDS-3型电子束曝光机,采用重复增量扫描方式进行曝光,生成弹性印章的母版,将其硅烷化后用以制作弹性印章,再利用软刻蚀技术可进行微图形的复制,得到微三维结构。显影后得到轮廓清晰的三维结构,证明将电子束重复增量扫描曝光方式与软刻蚀技术相结合可为制作微三维结构提供一种简单、有效的低成本途径。 展开更多
关键词 软刻蚀技术 弹性印章 重复增量扫描方式 电子束光刻 微三维加工
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微机电系统的微细加工技术 被引量:5
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作者 孔祥东 张玉林 +1 位作者 宋会英 卢文娟 《微纳电子技术》 CAS 2004年第11期32-38,共7页
详细阐述了硅微加工工艺以及近几年内国际上开发的一些新的加工技术,如3D电化学微加工、EFAB工艺等,并提出了目前这些方法中存在的缺陷。
关键词 微细加工技术 微加工工艺 EFAB 微机电系统 缺陷
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IH工艺的发展及应用 被引量:5
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作者 孔祥东 张玉林 尹明 《微纳电子技术》 CAS 2003年第11期34-39,共6页
介绍了IH系列立体光刻技术。使用该系列技术可以加工出具有高深宽比和复杂曲面的各种微结构,可以容易地加工出微可动部件、电子聚合物组合结构和不同聚合物的全聚合物结构,能较好地满足MEMS发展的需要。最后指出这种方法目前存在的缺陷。
关键词 IH工艺 立体光刻 抗蚀剂 聚合物结构 微机电系统 集成固化聚合物
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