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题名柔性衬底ITO膜的性质与制备参数关系的研究
被引量：11
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作者
杨志伟
韩圣浩
杨田林
叶丽娜
马洪磊
韩锡贵
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机构
山东大学光电材料研究所
淄博学院
山东省科学院测试中心
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出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第3期256-261,共6页
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文摘
用偏压磁控溅射法在水冷PPA(PolypropyleneAdipate)聚脂胶片上制备了性能优良的ITO(IndiumTinOxide)透明导电膜 ,对薄膜的光电性质进行了研究。制备样品的相对透过率为 80 %左右、最小电阻率为 6 .3× 10 -4 Ωcm ,与衬底附着良好。当衬底负偏压为 40V时 ,晶粒平均尺寸最大为 5 5nm ,相应地自由载流子霍耳迁移率有最大值为 89 3cm2 /Vs,薄膜的电阻率有最小值。X射线衍射表明薄膜为多晶纤锌矿结构 ,垂直于衬底的C轴具有 [2 2 2 ]方向的择优取向 ,随衬底负偏压的增大 ,沿 [4 0 0 ]方向生长的晶相减少。最佳衬底负偏压取值范围为 2 0～ 40V。XPS分析表明随衬底负偏压的增大 ,薄膜中的氧空位浓度最大 。
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关键词
光电性质
溅射
柔性衬底
ITO膜
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Keywords
Indium alloys
Magnetron sputtering
Optoelectronic devices
Oxides
Parameter estimation
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分类号
TN304.055
[电子电信—物理电子学]
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