有机薄膜衬底 ITO 透明导电膜的制备及光电特性的研究 被引量：3

1

作者 马瑾 李淑英 +2 位作者 马洪磊 赵俊卿 叶丽娜 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期198-201,共4页

采用真空反应蒸发技术，在有机薄膜基片上制备出高质量的ＩＴＯ透明导电薄膜，对薄膜的结构和光电特性进行了研究。制备的最佳薄膜在可见光范围的平均透过率达８４％，电阻率为８．２３×１０－４Ωｃｍ，载流子浓度为１．７２×... 采用真空反应蒸发技术，在有机薄膜基片上制备出高质量的ＩＴＯ透明导电薄膜，对薄膜的结构和光电特性进行了研究。制备的最佳薄膜在可见光范围的平均透过率达８４％，电阻率为８．２３×１０－４Ωｃｍ，载流子浓度为１．７２×１０２０ｃｍ－３。 展开更多

关键词 ITO 薄膜 透过率 电阻率 载流子浓度

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射频磁控溅射制备的柔性衬底ZnO∶Al透明导电薄膜的研究 被引量：15

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作者 杨田林 张德恒 +2 位作者 李滋然 马洪磊 马瑾 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期200-203,共4页

用射频磁控溅射方法在有机柔性衬底上制备出附着性好、电阻率低、透射率高的ＺｎＯ：Ａｌ透明导电膜。研究了薄膜的结构。

关键词 磁控溅射 柔性衬底 薄膜 透明导电 氧化锌 铝

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铝掺杂氧化锌（AZO）薄膜的电学性质研究 被引量：11

3

作者 马瑾 计峰 +1 位作者 马洪磊 李淑英 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期216-219,共4页

真空蒸发醋酸锌和氯化铝，在加热的玻璃基片上制备出铝掺杂的氧化锌透明导电薄膜。研究了薄膜的结构和电导率随掺杂功率的变化以及真空退火处理对薄膜电导率的影响。

关键词 AZO薄膜 氧化锌 真空蒸发 氯化铝 电导率

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蒸发制备ZnO薄膜的结构及光学电学特性的研究 被引量：8

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作者 马瑾 计峰 +1 位作者 马洪磊 李淑英 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期181-184,共4页

以乙酸锌作为蒸发物质，采用真空蒸发技术，在加热的玻璃衬底上制备出高质量的ＺｎＯ透明导电薄膜，并对其结构、光学和电学特性进行了研究。

关键词 氧化锌薄膜 透过率 电导率

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GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光电流与电子干涉

5

作者 程兴奎 马洪磊 +1 位作者 周均铭 黄绮 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期318-320,共3页

在 77K温度 ,测量了 Ga As/ Al Ga As多量子阱结构的光电流 ,观测到在ν=15 89cm- 1 ,即λ=6 .2 9μm附近存在一个强电流峰 ,分析认为 ,该电流峰与多量子阱势垒以上的电子干涉有关 .

关键词 多量子阱结构 光电流 电子干涉

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超晶格界面的电子反射及引起的光电流特性

6

作者 程兴奎 马洪磊 +2 位作者 周均铭 黄绮 王文新 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期462-465,共4页

测量了 ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格在 Ｔ＝７７ Ｋ时的光电流谱，发现在波数 ■＝１５８９ ｃｍ－１存在一个强电流峰．理论分析认为，该电流峰与超晶格界面的电子反射有关．据此算出的电流峰位置与实验观测结果一致．

关键词 超晶格 电子反射 光电流特性

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Ga As/Al Ga As多量子阱结构中的电子干涉 被引量：2

7

作者 程兴奎 黄柏标 +3 位作者 徐现刚 任红文 刘士文 蒋民华 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期692-694,共3页

由电子波干涉的观点出发 ,理论分析指出 :多量子阱结构势垒以上的电子存在一些分立的弱干涉非定域态 .通过红外光激发 ,量子阱中基态电子可以跃迁到这些态上形成一些吸收峰 .理论计算出的吸收峰位置与实验测量到的结果相当一致 ,并且理... 由电子波干涉的观点出发 ,理论分析指出 :多量子阱结构势垒以上的电子存在一些分立的弱干涉非定域态 .通过红外光激发 ,量子阱中基态电子可以跃迁到这些态上形成一些吸收峰 .理论计算出的吸收峰位置与实验测量到的结果相当一致 ,并且理论估计的吸收峰强弱也与实验结果一致 . 展开更多

关键词 多量子阱 电子干涉 砷化镓 ALGAAS

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MOCVD生长GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱子带间红外吸收特性 被引量：1

8

作者 程兴奎 黄柏标 +3 位作者 徐现刚 刘士文 任红文 蒋民华 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第1期33-36,共4页

对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ（４０）／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ（３００）多量子阱结构观察到附内电子从基态到第一激发态跃迁引起的红外吸收．用Ｂｒｕｋｅｒ红外光谱仪测量，发现了一个峰值在９８６ｃｍ－１（１０．１μｍ）带宽为... 对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ（４０）／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ（３００）多量子阱结构观察到附内电子从基态到第一激发态跃迁引起的红外吸收．用Ｂｒｕｋｅｒ红外光谱仪测量，发现了一个峰值在９８６ｃｍ－１（１０．１μｍ）带宽为２３７ｃｍ－１（９～１１．５μｍ）的强吸收峰，该峰位置与阱内电子从基态到第一激发态跃迁所计算的吸收峰位置基本一致． 展开更多

关键词 多量子阱 子带 红外辐射 外延生长

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超球坐标下原子、分子体系的变分计算——氦原子和氢负离子基态 被引量：1

9

作者 邓从豪 张瑞勤 冯大诚 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第2期228-232,共5页

应用超球坐标表示氦原子和氢负离子的薛定谔方程。将二电子原子在三维空间中的运动转化为单电子原子在六维空间中受广义库仑力作用的运动。我们给出了六维空间广义角动量算符的本征值与本征函数,并以此本征函数做基构造超球波函数,得到... 应用超球坐标表示氦原子和氢负离子的薛定谔方程。将二电子原子在三维空间中的运动转化为单电子原子在六维空间中受广义库仑力作用的运动。我们给出了六维空间广义角动量算符的本征值与本征函数,并以此本征函数做基构造超球波函数,得到超球径微分方程。以广义Laguerre多项式表示超球径波函数,运用密度矩阵和线性变分法得到非正交基下超球径波函数满足的久期方程,最后求得能量和波函数。计算结果与精确的计算符合良好。 展开更多

关键词 超球坐标线性变分 非正交基 氦原子 氢负离子 基态 量子化学 变分计算 薛定谔方程

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调制掺杂Al_(0.27)Ga_(0.73)As/GaAs多量子阱结构的光致发光 被引量：2

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作者 程兴奎 CHINV.W.L. +3 位作者 OSOTCHANT. TANSYEYT.L. VAUGHANM.R. GRIFFITHSG.J. 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期345-349,共5页

在调制掺杂（Si）Al0.27Ga0.73As／GaAs多量子阱结构的光致发光谱中，观测到一个强发光峰及多个低能弱发光峰．强发光峰是量子阱中基态电子与重空穴复合，即激子复合形成的，其低温发光线形可用Voigt函数拟合.低能弱峰是势垒层Al0.27Ga0... 在调制掺杂（Si）Al0.27Ga0.73As／GaAs多量子阱结构的光致发光谱中，观测到一个强发光峰及多个低能弱发光峰．强发光峰是量子阱中基态电子与重空穴复合，即激子复合形成的，其低温发光线形可用Voigt函数拟合.低能弱峰是势垒层Al0.27Ga0.73As中DX中心能级上的电子跃迁到SiAs原子而引起，由此确定DX中心有四个能级，其激活能分别为0．35、037、0．39、0． 展开更多

关键词 调制掺杂 多量子阱 光致发光 半导体 结构

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GaAs/AlGaAs多量子阱结构的电子干涉与红外吸收

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作者 程兴奎 黄柏标 +3 位作者 徐现刚 刘士文 任红文 蒋民华 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期339-343,共5页

在室温下测量了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的红外吸收，观察到在７０６、７７０、１０４６、１２８２和１６５３ｃｍ－１处的几个吸收峰．认为这些吸收峰与处于势垒以上电子干涉有关，理论计算的吸收峰位置与实验结果很一致．

关键词 多量子阱结构 电子干涉 红外吸收 砷化镓 铝镓砷

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真空电子元件的非ODS水剂清洗技术 被引量：1

12

作者 刘万里 李玉香 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第A10期160-165,共6页

由于在加工过程中，污物组分复杂，真空电子元件，如ＣＰＴ，ＣＤＴ用销钉、阳极幅原来全部采用ＯＤＳ溶剂清洗，为获得极洁净水平的元件表面，本文介绍一种非ＯＤＳ水剂清洗技术，其清洗剂主要组分包括脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基醇酰胺等... 由于在加工过程中，污物组分复杂，真空电子元件，如ＣＰＴ，ＣＤＴ用销钉、阳极幅原来全部采用ＯＤＳ溶剂清洗，为获得极洁净水平的元件表面，本文介绍一种非ＯＤＳ水剂清洗技术，其清洗剂主要组分包括脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基醇酰胺等多种表面活性剂和助剂，符合对人、对环境无毒、无污染、对自氧层无损耗、对全球变暖影响低或无影响、不含磷酸盐及壬基苯酚乙基盐等综合要求。 展开更多

关键词 真空电子元件 非ODS水剂清洗 ODS溶剂

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