电子束蒸发与磁控溅射制备Al/PI复合薄膜的性能研究 被引量：3

1

作者 余凤斌 夏祥华 +2 位作者 朱德明 夏伟 冯立明 《稀有金属快报》 CSCD 2008年第6期21-24,共4页

利用磁控溅射法和电子束蒸发法在聚酰亚胺(PI)薄膜基底上沉积了铝功能膜。测试了两种方法薄膜的膜厚、附着力、反射率、折射率和电导率。结果表明,磁控溅射法制备的铝膜的综合性能较电子束蒸制备的铝膜的性能优越。

关键词 电子束蒸发 磁控溅射 AI/PI膜 性能

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532nm连续激光对砷化镓材料损伤的研究 被引量：6

2

作者 李永富 祁海峰 +6 位作者 王青圃 张行愚 刘泽金 王玉荣 魏爱俭 夏伟 张飒飒 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期625-629,共5页

利用532 nm连续激光对掺Si的n型砷化镓材料进行作用,材料的晶轴方向为<100>偏<111A>方向15°。实验观察到,连续激光与材料相互作用过程中,材料作用表面的反射光在观察屏上形成环状结构,认为是由夫琅和费衍射产生的,并... 利用532 nm连续激光对掺Si的n型砷化镓材料进行作用,材料的晶轴方向为<100>偏<111A>方向15°。实验观察到,连续激光与材料相互作用过程中,材料作用表面的反射光在观察屏上形成环状结构,认为是由夫琅和费衍射产生的,并首次提出将衍射作为探测材料损伤的方法。实验测得砷化镓的阈值损伤功率密度为2.56×10~5 W/cm^2。利用温度场的热传导方程计算获得材料的损伤阈值时间与入射光功率密度的关系曲线,并与实验曲线进行了比较。 展开更多

关键词 激光技术 激光损伤阈值 夫琅和费衍射 砷化镓材料 532 nm连续激光 热传导

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InGaAs/AlGaAs量子阱中量子尺寸效应对PL谱的影响 被引量：3

3

作者 于永芹 黄柏标 +7 位作者 尉吉勇 潘教青 周海龙 齐云 陈文澜 秦晓燕 张晓阳 任忠祥 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期345-349,共5页

本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了两组InGaAs/AlGaAs应变多量子阱,量子阱的厚度分别为3nm和6nm,对其光致发光谱(PL)进行了研究,二者的发光波长分别为843nm和942nm,用有限深单量子阱理论近似计算了由于量子尺寸效... 本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了两组InGaAs/AlGaAs应变多量子阱,量子阱的厚度分别为3nm和6nm,对其光致发光谱(PL)进行了研究,二者的发光波长分别为843nm和942nm,用有限深单量子阱理论近似计算了由于量子尺寸效应和应变效应引起的InGaAs/AlGaAs量子阱带隙的改变,这解释了两组样品室温下PL发射波长变化的原因。 展开更多

关键词 InGaAs/AlGaAs量子阱 量子尺寸效应 MOCVD 应变效应 金属有机物化学气相淀积 铟钙砷化合物 铝钙砷

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GaAs衬底厚度对发光二极管稳定性的影响 被引量：2

4

作者 周海龙 黄柏标 +8 位作者 潘教青 于永芹 尉吉勇 陈文澜 齐云 张晓阳 秦晓燕 任忠祥 李树强 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期125-128,共4页

在n+-GaAs(n=1×1018cm-3)衬底上,用MOCVD方法制备了610 nm的AlGaInP发光二极管的外延片,用X射线双晶衍射和PL谱表征了ALGaInP外延片样品的性质,通过对减薄到不同厚度的LED外延片的管芯在相同条件下的退化实验,发现了亮度的退化随... 在n+-GaAs(n=1×1018cm-3)衬底上,用MOCVD方法制备了610 nm的AlGaInP发光二极管的外延片,用X射线双晶衍射和PL谱表征了ALGaInP外延片样品的性质,通过对减薄到不同厚度的LED外延片的管芯在相同条件下的退化实验,发现了亮度的退化随厚度的减小而减小的结果。由理论计算结果可以得到,衬底厚度的降低对于LED样品稳定性产生作用的主要因素是由于产生的耗散热的减小而使缺陷增殖速度减小和非辐射复合中心浓度的相应降低,同时衬底厚度的降低也有助于提高AlGaInP LED的器件的稳定性。 展开更多

关键词 发光二极管 稳定性 厚度 砷化镓 GAAS MOCVD 薄膜 化学气相沉积法

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大应变In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs量子阱激光器的生长和研究 被引量：1

5

作者 潘教青 黄柏标 +4 位作者 张晓阳 任忠祥 秦晓燕 朱宝富 李先林 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期707-710,共4页

金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长应变InGaAs/GaAs量子阱,应变缓冲层结合生长中断改善量子阱的PL谱特性.用该量子阱制备的激光器有很低的阈值电流密度(43 A/cm^2)和较高的斜率效率(0.34W/A,per facet)。

关键词 金属有机物化学气相沉积 生长中断 应变缓冲层 应变量子阱激光器 INGAAS/GAAS量子阱

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808nm无Al量子阱激光器mini阵列的研制

6

作者 王翎 李沛旭 +5 位作者 房玉锁 汤庆敏 张新 夏伟 任忠祥 徐现刚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第12期920-922,共3页

通过分析激光器的结构,优化设计了非对称宽波导激光器结构及外延生长条件。利用低压金属有机化合物气相淀积技术(LP-MOCVD)生长了高质量的InGaAsP/GaInP无铝应变量子阱外延材料,制作成808 nm高功率半导体激光器mini阵列,将其应用到1 064... 通过分析激光器的结构,优化设计了非对称宽波导激光器结构及外延生长条件。利用低压金属有机化合物气相淀积技术(LP-MOCVD)生长了高质量的InGaAsP/GaInP无铝应变量子阱外延材料,制作成808 nm高功率半导体激光器mini阵列,将其应用到1 064 nm全固态激光器中。20℃下,制作的808 nm,0.5 cm半导体激光器mini阵列,连续驱动电流50 A时输出功率达到50 W,最高光电转换效率达到53%。将该808 nm激光器mini阵列应用到全固态1 064 nm激光模组中,50 W,1 064 nm激光输出时,工作电流只有15 A。经过多于500 h老化以后,1 064 nm全固态激光器的功率衰减小于2%。 展开更多

关键词 半导体激光器mini阵列 InGaAsP/GaInP 应变量子阱 金属有机化合物化学气相淀积

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非对称结构大功率940nm量子阱激光器

7

作者 蒋锴 李沛旭 +3 位作者 张新 汤庆敏 夏伟 徐现刚 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期110-114,共5页

为改善940 nm大功率InGaAs/GaAs半导体激光器输出特性,通过模拟计算了非对称波导层及限制层结构的光场分布,并参照模拟制作了非对称结构半导体激光器器件。采用低压金属有机物气相沉积(LP-MOCVD)生长技术,获得了低内吸收系数的高质量外... 为改善940 nm大功率InGaAs/GaAs半导体激光器输出特性,通过模拟计算了非对称波导层及限制层结构的光场分布,并参照模拟制作了非对称结构半导体激光器器件。采用低压金属有机物气相沉积(LP-MOCVD)生长技术,获得了低内吸收系数的高质量外延材料,通过实验数据计算得到激光器材料内吸收系数仅为0.44mm^(-1)。进而通过管芯工艺制作了条宽100μm、腔长2000μm的940 nm半导体激光器器件。25℃室温10 A直流连续(CW)测试镀膜后器件阈值电流251 mA,斜率效率1.22 W/A,最大输出功率达到9.6 W,最大光电转化效率超过70%。 展开更多

关键词 量子阱激光器 大功率 非对称结构 INGAAS/GAAS 金属有机物化学气相沉积

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烧结温度对AuSn焊料薄膜及封装激光器性能的影响 被引量：4

8

作者 杨扬 孙素娟 +2 位作者 李沛旭 夏伟 徐现刚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第11期840-845,共6页

采用不同温度对Au80Sn20共晶合金焊料进行烧结实验,研究了Au Sn焊料薄膜在烧结后的形貌、物相组成以及对封装激光器的性能影响等。焊料在烧结后形成ζ相Au5Sn和δ相Au Sn两种金属间化合物,随着烧结温度的上升,两相晶粒均明显长大,而ζ相... 采用不同温度对Au80Sn20共晶合金焊料进行烧结实验,研究了Au Sn焊料薄膜在烧结后的形貌、物相组成以及对封装激光器的性能影响等。焊料在烧结后形成ζ相Au5Sn和δ相Au Sn两种金属间化合物,随着烧结温度的上升,两相晶粒均明显长大,而ζ相Au5Sn趋向于形成枝晶。较低温度下烧结的焊料表面粗糙度较高,不利于激光器管芯的贴装。高温过烧焊料薄膜的导电导热性能有少许提升,对封装激光器管芯的功率没有明显影响,但焊料薄膜中残余应力较高,使激射波长有所蓝移。该结果将为Au Sn焊料的烧结参数优化和硬焊料封装激光器的性能分析提供参考和指导。 展开更多

关键词 激光器 金锡焊料 烧结 温度 金属间化合物

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MOCVD生长AlGaInP/InGaAsP大功率808nm无铝量子阱激光器

9

作者 李沛旭 夏伟 +4 位作者 李树强 张新 汤庆敏 任忠祥 徐现刚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期65-67,共3页

设计制作非对称宽波导结构无铝量子阱激光器,可降低内部损耗,实现低阈值电流、高转换效率的目的,同时也增加了最大输出功率。采用金属有机气相化学沉积(MOCVD)进行外延生长,制作了100μm条宽,1500μm腔长的808nm激光器器件,镀膜后阈值电... 设计制作非对称宽波导结构无铝量子阱激光器,可降低内部损耗,实现低阈值电流、高转换效率的目的,同时也增加了最大输出功率。采用金属有机气相化学沉积(MOCVD)进行外延生长,制作了100μm条宽,1500μm腔长的808nm激光器器件,镀膜后阈值电流230.5mA,斜率效率1.31W/A。连续电流条件下,得到最大输出功率超过8W,并且计算得到内吸收系数为1.7cm-1。 展开更多

关键词 量子阱激光器 非对称结构 金属有机化学气相外延

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大功率660nm半导体激光器的电流电压特性

10

作者 朱振 李沛旭 +2 位作者 张新 王钢 徐现刚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期661-665,共5页

利用Zn扩散形成非吸收窗口技术,制备了大功率红光660 nm半导体激光器。对封装后的器件进行电流电压(I-V)特性测试。由于材料本身串联电阻的影响,半导体激光器的I-V曲线不再符合理想二极管I-V特性方程。通过数据拟合,得到半导体激光器的... 利用Zn扩散形成非吸收窗口技术,制备了大功率红光660 nm半导体激光器。对封装后的器件进行电流电压(I-V)特性测试。由于材料本身串联电阻的影响,半导体激光器的I-V曲线不再符合理想二极管I-V特性方程。通过数据拟合,得到半导体激光器的串联电阻约为0.5Ω。测试中还发现了两种异常I-V曲线,分别源于器件并联电阻及寄生二极管的影响。对每种I-V曲线建立了电路模型,并推导了I-V特性方程。分析认为制作过程中的金属工艺、烧结工艺和Zn扩散工艺等都会影响半导体激光器的电流分布及I-V特性。I-V特性测试可以用于半导体激光器的工艺监控与失效分析等。 展开更多

关键词 半导体激光器 ZN扩散 电流电压特性 理想二极管 寄生效应

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SiC衬底上MOCVD法外延GaN基蓝光LED

11

作者 朱学亮 曲爽 +5 位作者 刘存志 李树强 夏伟 沈燕 任忠祥 徐现刚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期187-189,共3页

利用MOCVD在SiC衬底上采用AlN缓冲层外延GaN材料。GaN的X射线(002)和(102)摇摆曲线分别是303″和311″,表明获得了高质量的GaN材料。原子力显微镜照片能清晰地观察到GaN表面的原子台阶,材料的表面粗糙度为0.19nm,小于蓝宝石衬底上GaN薄... 利用MOCVD在SiC衬底上采用AlN缓冲层外延GaN材料。GaN的X射线(002)和(102)摇摆曲线分别是303″和311″,表明获得了高质量的GaN材料。原子力显微镜照片能清晰地观察到GaN表面的原子台阶,材料的表面粗糙度为0.19nm,小于蓝宝石衬底上GaN薄膜的粗糙度。采用不同厚度的AlN缓冲层外延GaN基蓝光LED,并研究了薄膜中的应变状态。当采用不同的AlN缓冲层时,倒易空间图证实InGaN/GaN量子阱区完全应变的外延在GaN层上,而AlN缓冲层则是弛豫的。外延片进行管芯工艺制备,得到高亮度的LED。 展开更多

关键词 碳化硅 氮化镓 光电二极管

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蓝光LED芯片透明导电薄膜ITO退火工艺的研究

12

作者 沈燕 彭璐 +1 位作者 杨鑫沼 刘存志 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期396-398,共3页

蓝宝石衬底GaN基LED的电流拥挤效应一直是影响二极管寿命主要问题,常见问题有电流扩展层薄Ni/Au层或ITO导电薄膜。通过实验主要研究了ITO导电膜的退火对蓝光LED光电参数的影响,发现经过ITO退火工艺的芯片比没有ITO退火的芯片正向压降低0... 蓝宝石衬底GaN基LED的电流拥挤效应一直是影响二极管寿命主要问题,常见问题有电流扩展层薄Ni/Au层或ITO导电薄膜。通过实验主要研究了ITO导电膜的退火对蓝光LED光电参数的影响,发现经过ITO退火工艺的芯片比没有ITO退火的芯片正向压降低0.2V以上,亮度一致性更高,这为提高蓝光管芯参数性能提供了依据。 展开更多

关键词 氮化镓 氧化铟锡 退火 二极管 蓝光管

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