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梳齿结构深刻蚀工艺改进
被引量：
1
1
作者
杜广森
张富强
徐锡金
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2024年第2期49-51,56,共4页
梳齿型谐振式传感器对谐振器梳齿的形貌有很高的要求,需要梳齿侧壁很好的垂直度、粗糙度以及片间均匀性等。采用感应耦合等离子体(ICP)深硅刻蚀工艺对具有深宽比较大的梳齿结构进行深刻蚀研究。影响深硅刻蚀的主要因素包括SF_(6)和C_(4)...
梳齿型谐振式传感器对谐振器梳齿的形貌有很高的要求,需要梳齿侧壁很好的垂直度、粗糙度以及片间均匀性等。采用感应耦合等离子体(ICP)深硅刻蚀工艺对具有深宽比较大的梳齿结构进行深刻蚀研究。影响深硅刻蚀的主要因素包括SF_(6)和C_(4)F_(8)气体流量、腔室压力、刻蚀与钝化保护时间、下基板功率等工艺参数,着重研究了片间均匀性、垂直度、粗糙度等影响结构性能的几个方面,得到了宽4.5μm、深70μm的梳齿结构,垂直度为89.7°,侧壁粗糙度46 nm,均匀性1.2%的优化工艺,为高精度MEMS梳齿型传感器的制作提供了基础。
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关键词
深刻蚀
刻蚀速率
均匀性
粗糙度
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职称材料
题名
梳齿结构深刻蚀工艺改进
被引量：
1
1
作者
杜广森
张富强
徐锡金
机构
济南大学物理学院
山东产业技术研究院微纳与智能制造研究院
北京信息科技大学理学院
出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2024年第2期49-51,56,共4页
文摘
梳齿型谐振式传感器对谐振器梳齿的形貌有很高的要求,需要梳齿侧壁很好的垂直度、粗糙度以及片间均匀性等。采用感应耦合等离子体(ICP)深硅刻蚀工艺对具有深宽比较大的梳齿结构进行深刻蚀研究。影响深硅刻蚀的主要因素包括SF_(6)和C_(4)F_(8)气体流量、腔室压力、刻蚀与钝化保护时间、下基板功率等工艺参数,着重研究了片间均匀性、垂直度、粗糙度等影响结构性能的几个方面,得到了宽4.5μm、深70μm的梳齿结构,垂直度为89.7°,侧壁粗糙度46 nm,均匀性1.2%的优化工艺,为高精度MEMS梳齿型传感器的制作提供了基础。
关键词
深刻蚀
刻蚀速率
均匀性
粗糙度
Keywords
deep etching
etching rate
uniformity
roughness
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
梳齿结构深刻蚀工艺改进
杜广森
张富强
徐锡金
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2024
1
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