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PZT铁电材料的总剂量辐照效应实验研究 被引量：6
1
作者 娄利飞 杨银堂 +2 位作者 柴常春 高峰 唐重林 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期2091-2094,共4页
采用传统固相反应法制备PZT铁电材料,并制作成平行平板无源电容器结构,在ELV-8电子直线加速器上进行了总剂量效应辐照实验。结果表明:样片经过不同强度高能高速直流电子束辐照后的电滞回线随着辐照强度的增加,电滞回线所包围的面积逐渐... 采用传统固相反应法制备PZT铁电材料,并制作成平行平板无源电容器结构,在ELV-8电子直线加速器上进行了总剂量效应辐照实验。结果表明:样片经过不同强度高能高速直流电子束辐照后的电滞回线随着辐照强度的增加,电滞回线所包围的面积逐渐减小,饱和极化强度、剩余极化强度和矫顽场呈线性减小。其中当辐照剂量为1×108rad(Si)时,饱和极化强度、剩余极化强度和矫顽场的衰减幅度分别为14.1%,15.0%和2.7%,样片抗总剂量辐照能力可达1×108rad(Si)。 展开更多
关键词 铁电材料 电滞回线 总剂量辐照效应 抗辐照
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适用于高速信号传输的低失真及宽带模拟开关 被引量：1
2
作者 曹寒梅 蔡伟 +2 位作者 杨银堂 陆铁军 王宗民 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期838-841,共4页
提出了一种应用于高速信号传输系统的低失真、宽带自举模拟开关电路．所提出开关的栅源过驱动电压由NMOS和PMOS开启电压之和决定，并能够实现轨到轨（rai-to-rail）输入范围内开关的栅源电压与阈值电压之差（KGST）保持恒定，而且基本... 提出了一种应用于高速信号传输系统的低失真、宽带自举模拟开关电路．所提出开关的栅源过驱动电压由NMOS和PMOS开启电压之和决定，并能够实现轨到轨（rai-to-rail）输入范围内开关的栅源电压与阈值电压之差（KGST）保持恒定，而且基本消除了体效应的影响．采用TSMC0．18μmCMOS工艺，HSPICE仿真结果表明，输入信号在0～1．8V之间变化时，开关的KGST基本保持恒定，其-3dB带宽大于10GHz；当输入信号的频率为1．5GHz，满摆幅电压为0．8V时，输出信号几乎能够无衰减的跟随输入信号，其无杂散动态范围为65．4dB． 展开更多
关键词 低失真 高频 轨到轨 开关 自举
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一种3．1-10．6GHz超宽带低噪声放大器设计 被引量：2
3
作者 张滨 杨银堂 李跃进 《微波学报》 CSCD 北大核心 2012年第1期49-52,61,共5页
设计了一种基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,用于3.1～10.6GHz带宽的CMOS低噪声放大器。输入级采用共栅极结构,在宽频带内能较好地完成输入匹配。放大级采用共源共栅结构,为整个电路提供合适的增益。输出则采用源极输出器来进行输出匹配。使... 设计了一种基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,用于3.1～10.6GHz带宽的CMOS低噪声放大器。输入级采用共栅极结构,在宽频带内能较好地完成输入匹配。放大级采用共源共栅结构,为整个电路提供合适的增益。输出则采用源极输出器来进行输出匹配。使用ADS2006软件进行设计、优化和仿真。仿真结果显示,在3.1GHz～10.6GHz带宽内,放大器的电源电压在1.2V时,噪声系数低于2.5dB,增益为20.5dB,整个电路功耗为8mW。 展开更多
关键词 低噪声放大器 超宽带 增益 噪声系数 共源共栅
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SiGe HBT超宽带低噪声放大器设计 被引量：2
4
作者 张滨 杨银堂 李跃进 《微波学报》 CSCD 北大核心 2012年第4期76-80,共5页
采用ADS软件设计并仿真了一种应用于UWB标准的低噪声放大器。该低噪声放大器基于JAZZ 0.35μmSiGe工艺,工作带宽为3.1～10.6GHz。电路的输入极采用共发射极结构,利用反馈电感来进行输入匹配,第二级采用达林顿结构对信号提供合适的增益... 采用ADS软件设计并仿真了一种应用于UWB标准的低噪声放大器。该低噪声放大器基于JAZZ 0.35μmSiGe工艺,工作带宽为3.1～10.6GHz。电路的输入极采用共发射极结构,利用反馈电感来进行输入匹配,第二级采用达林顿结构对信号提供合适的增益。使用ADS2006软件进行设计、优化和仿真。仿真结果显示,在3.1～10.6GHz带宽内,放大器的电源电压在3.3V时,噪声系数低于2.5dB,增益大于24dB,功耗为28mV,输出三阶交调为17dBm。 展开更多
关键词 锗硅异质结晶体管 低噪声放大器 增益 噪声系数
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光电耦合器件闪烁噪声模型 被引量：11
5
作者 包军林 庄奕琪 +3 位作者 杜磊 马仲发 胡瑾 周江 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1359-1362,共4页
对电应力前后光电耦合器件的闪烁噪声(1/f噪声)进行了实验和理论研究.实验发现,应力前后1/f噪声幅值随偏置电流均有相同的变化规律:在低电流区,1/f噪声幅值与偏置电流成正比,在高电流区,1/f噪声幅值与偏置电流的平方成正比,且应力后1/f... 对电应力前后光电耦合器件的闪烁噪声(1/f噪声)进行了实验和理论研究.实验发现,应力前后1/f噪声幅值随偏置电流均有相同的变化规律:在低电流区,1/f噪声幅值与偏置电流成正比,在高电流区,1/f噪声幅值与偏置电流的平方成正比,且应力后1/f噪声幅值增大了约7倍.理论分析表明,小电流时该器件的1/f噪声为扩散1/f噪声,大电流时为复合1/f噪声,应力在器件有源区诱生的陷阱是1/f噪声增大的根本原因.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制,建立了一个光电耦合器件1/f噪声的定量分析模型,实验结果和模型符合良好. 展开更多
关键词 1/f噪声 光电耦合器件 涨落 陷阱
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一种新型无源UHFRFID带隙基准电路 被引量：8
6
作者 杜永乾 庄奕琪 +2 位作者 李小明 景鑫 戴力 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期148-152,200,共6页
设计了一种适用于无源超高频射频识别芯片的电流模带隙基准电路,其中负温度系数电流利用BJT管的基射极电压的负温度特性产生,正温度系数电流利用偏置在亚阈值区的MOS器件其漏源电流与栅源电压呈指数关系的特性产生.该基准电路采用TSMC 0... 设计了一种适用于无源超高频射频识别芯片的电流模带隙基准电路,其中负温度系数电流利用BJT管的基射极电压的负温度特性产生,正温度系数电流利用偏置在亚阈值区的MOS器件其漏源电流与栅源电压呈指数关系的特性产生.该基准电路采用TSMC 0.18μm工艺库仿真并投片验证,基准电压的绝对值偏差最大不超过1.75%.测试结果表明,该电路功耗仅为0.65μW,最低工作电压为0.829V,温度系数为±63×10-6/℃,芯片有效面积为0.04mm2.该基准电路已成功应用于一款无源超高频射频识别芯片中,其读取灵敏度为-16dBm. 展开更多
关键词 超高频射频识别 低压 低功耗 亚阈值 带隙基准
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光电耦合器件1/f噪声和g-r噪声的机理研究 被引量：8
7
作者 包军林 庄奕琪 +3 位作者 杜磊 马仲发 李伟华 李聪 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期857-860,共4页
对光电耦合器件1/f噪声和gr噪声(产生-复合噪声)的偏置特性及其产生机理进行了实验和理论研究.结果表明在低频段,光电耦合器件的gr噪声通常表现为叠加1/f噪声,且两者均随输入电流的增加呈现先增大后减小的规律.通过测量前级噪声和后级噪... 对光电耦合器件1/f噪声和gr噪声(产生-复合噪声)的偏置特性及其产生机理进行了实验和理论研究.结果表明在低频段,光电耦合器件的gr噪声通常表现为叠加1/f噪声,且两者均随输入电流的增加呈现先增大后减小的规律.通过测量前级噪声和后级噪声,发现光电耦合器件的gr噪声源为后级光敏三极管.理论分析表明光电耦合器件的1/f噪声主要为表面1/f噪声,gr噪声则源于光敏三极管发射结空间电荷区的深能级对载流子的俘获和发射. 展开更多
关键词 1/f噪声 G-R噪声 光电耦合器件 深能级
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纳米MOS器件RTS噪声测量与分析 被引量：5
8
作者 张鹏 庄奕琪 +3 位作者 鲍立 马中发 包军林 李伟华 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1041-1045,共5页
提出了一种基于虚拟仪器的纳米MOS器件随机电报信号噪声测量方法.应用虚拟仪器平台采集随机电报信号噪声的时间序列,采用逐点差分和高斯函数拟合方法,提取了随机电报信号噪声的相对幅度,再通过数字滤波和指数函数拟合方法提取随机电报... 提出了一种基于虚拟仪器的纳米MOS器件随机电报信号噪声测量方法.应用虚拟仪器平台采集随机电报信号噪声的时间序列,采用逐点差分和高斯函数拟合方法,提取了随机电报信号噪声的相对幅度,再通过数字滤波和指数函数拟合方法提取随机电报信号噪声时常数.通过对90 nm MOS器件的测量分析,结果表明该方法不但计算速度远高于传统方法,而且在相同精度要求下,需要的采样点仅为传统方法的1/10.在随机电报信号时常数较小的情况下,测量精度为传统方法的几倍到几十倍. 展开更多
关键词 随机电报信号噪声 噪声测量 虚拟仪器 纳米MOS器件
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铁电材料的核辐射效应 被引量：7
9
作者 唐重林 柴常春 +1 位作者 娄利飞 楼晓强 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期33-36,共4页
大量研究结果和实验数据显示,铁电材料与器件具有极强的抗辐射能力,在军事和空间领域具有广阔的应用前景,因此铁电材料及其器件的抗辐射能力与机理研究日益受到关注。首先综述了国内外关于铁电材料的核辐射效应研究最新进展,在此基础上... 大量研究结果和实验数据显示,铁电材料与器件具有极强的抗辐射能力,在军事和空间领域具有广阔的应用前景,因此铁电材料及其器件的抗辐射能力与机理研究日益受到关注。首先综述了国内外关于铁电材料的核辐射效应研究最新进展,在此基础上对其核辐射效应微观机理进行了分析和讨论,指出了铁电材料在抗辐射领域的发展趋势和研究方向。 展开更多
关键词 铁电材料 核辐射 位移效应 电离效应
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一种结构简单的曲率补偿CMOS带隙基准源 被引量：6
10
作者 曹寒梅 杨银堂 +2 位作者 蔡伟 陆铁军 王宗民 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期620-623,共4页
提出了一种结构简单新颖的高性能曲率补偿带隙电压基准源.电路设计中没有采用典型结构中的差分放大器,而是采用负反馈技术实现电压箝位,简化了电路结构;输出部分采用调节型共源共栅结构,保证了高的电源抑制比.整个电路采用SMIC 0.18μm... 提出了一种结构简单新颖的高性能曲率补偿带隙电压基准源.电路设计中没有采用典型结构中的差分放大器,而是采用负反馈技术实现电压箝位,简化了电路结构;输出部分采用调节型共源共栅结构,保证了高的电源抑制比.整个电路采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺实现,并用HSPICE进行仿真,结果表明所设计的电路在-45℃-125℃范围内的温度系数为12.9×10^-6/℃,频率为10 Hz时的电源抑制比为67.2 dB.该结构可应用于高速模数转换器的设计中. 展开更多
关键词 负反馈箝位 带隙电压基准源 高温度稳定性
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基于负反馈箝位技术的高性能CMOS带隙基准源 被引量：6
11
作者 曹寒梅 杨银堂 +2 位作者 蔡伟 陆铁军 王宗民 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2008年第6期1517-1520,共4页
该文提出了一种结构简单的高性能带隙电压基准源。电路设计中采用负反馈箝位技术实现电压箝位,消除了运放自身失调效应的影响,简化了电路设计;输出部分采用调节型共源共栅结构,保证了高的电源抑制比(PSRR)。整个电路采用SMIC0.18μm标准... 该文提出了一种结构简单的高性能带隙电压基准源。电路设计中采用负反馈箝位技术实现电压箝位,消除了运放自身失调效应的影响,简化了电路设计;输出部分采用调节型共源共栅结构,保证了高的电源抑制比(PSRR)。整个电路采用SMIC0.18μm标准CMOS工艺实现,并用HSPICE进行仿真,结果表明所设计的电路在-15～70℃范围内的温度系数为10.8ppm/℃,直流PSRR为74.7dB,在10Hz^1MHz频带内的总的输出噪声电压为148.7μV/sqrt(Hz)。 展开更多
关键词 带隙电压基准源 负反馈箝位 温度稳定性
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SiC材料的低速率浅刻蚀工艺研究 被引量：5
12
作者 贾护军 杨银堂 +1 位作者 柴常春 李跃进 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期440-443,共4页
对比研究了SiC材料在CF4+O2混合气体中的ICP刻蚀和RIE刻蚀,获得了刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度随刻蚀功率、偏置功率、工作真空、氧含量等工艺条件的变化规律,研究结果表明,通过牺牲一定的刻蚀速率可以获得原子量级的刻蚀表面粗糙度,能够满... 对比研究了SiC材料在CF4+O2混合气体中的ICP刻蚀和RIE刻蚀,获得了刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度随刻蚀功率、偏置功率、工作真空、氧含量等工艺条件的变化规律,研究结果表明,通过牺牲一定的刻蚀速率可以获得原子量级的刻蚀表面粗糙度,能够满足SiC微波功率器件研制的要求。 展开更多
关键词 碳化硅 刻蚀 感应耦合等离子体 反应离子刻蚀 表面粗糙度
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ALD淀积温度对HfO_2高k栅介质材料特性的影响 被引量：4
13
作者 匡潜玮 刘红侠 +2 位作者 樊继斌 马飞 张言雷 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期164-167,共4页
采用原子层淀积方法,在不同生长温度下制备了HfO2高k栅介质薄膜,研究了生长温度对HfO2薄膜特性的影响.实验结果表明,HfO2薄膜的生长速率受生长温度的影响很大,在高温区将随着温度的上升而增大,而在低温区将随着温度的降低而增大.通过分... 采用原子层淀积方法,在不同生长温度下制备了HfO2高k栅介质薄膜,研究了生长温度对HfO2薄膜特性的影响.实验结果表明,HfO2薄膜的生长速率受生长温度的影响很大,在高温区将随着温度的上升而增大,而在低温区将随着温度的降低而增大.通过分析HfO2薄膜的C-V特性发现,不同生长温度下淀积的HfO2薄膜的介电常数和氧化层缺陷数量都有很大区别,过高和过低的生长温度都将增加HfO2薄膜中的原生缺陷,其中,280℃～310℃区间生长的HfO2薄膜中的缺陷最少. 展开更多
关键词 高K栅介质 二氧化铪 原子层淀积 生长温度 氧化层缺陷
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PZT铁电薄膜材料的ECR等离子体刻蚀研究 被引量：3
14
作者 娄利飞 肖斌 +2 位作者 汪家友 杨银堂 李跃进 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期555-558,598,共5页
以SF6和SF6+Ar为刻蚀气体,采用电子回旋共振等离子体刻蚀工艺成功地对溶胶-凝胶工艺制备的锆钛酸铅铁电薄膜进行了有效的刻蚀去除.研究了不同气体总流量、混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响,指出当气体混合比约为20%时,刻蚀速率... 以SF6和SF6+Ar为刻蚀气体,采用电子回旋共振等离子体刻蚀工艺成功地对溶胶-凝胶工艺制备的锆钛酸铅铁电薄膜进行了有效的刻蚀去除.研究了不同气体总流量、混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响,指出当气体混合比约为20%时,刻蚀速率达到最大值.锆钛酸铅铁电薄膜表面组份XPS能谱分析曲线表明,在SF6和SF6+Ar气体中,被刻蚀后样品的Pb含量大大减少,TiO2的刻蚀是限制锆钛酸铅铁电薄膜刻蚀速率的主要因素. 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体刻蚀 锆钛酸铅 凝胶-溶胶工艺
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PZT压电陶瓷的总剂量辐照效应实验研究 被引量：4
15
作者 娄利飞 高峰 +2 位作者 杨银堂 唐重林 柴常春 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第5期585-587,共3页
采用传统固相反应法制备PZT压电陶瓷材料,并制作成平行平板无源电容器结构。在ELV-8电子直线加速器上对其进行总剂量辐照效应实验,对辐照前后PZT材料的介电和压电性能参数进行了测试和比较。实验结果表明,PZT材料平行平板电容器的压电... 采用传统固相反应法制备PZT压电陶瓷材料,并制作成平行平板无源电容器结构。在ELV-8电子直线加速器上对其进行总剂量辐照效应实验,对辐照前后PZT材料的介电和压电性能参数进行了测试和比较。实验结果表明,PZT材料平行平板电容器的压电性能抗总剂量水平可达2×108rad(Si),领先国际水平。 展开更多
关键词 压电材料 压电常数 介电常数 总剂量辐照效应
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逐次逼近ADC无源器件的匹配性与高层次模型 被引量：3
16
作者 佟星元 杨银堂 +1 位作者 朱樟明 刘帘曦 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期123-129,共7页
对逐次逼近A/D转换器的无源器件匹配性进行了研究.基于理论分析,明确了电荷再分配结构、电压等比例缩放结构以及混合结构等几种典型逐次逼近A/D转换器对无源器件网络匹配性的具体要求,并利用Matlab工具,通过建立逐次逼近A/D转换器无源... 对逐次逼近A/D转换器的无源器件匹配性进行了研究.基于理论分析,明确了电荷再分配结构、电压等比例缩放结构以及混合结构等几种典型逐次逼近A/D转换器对无源器件网络匹配性的具体要求,并利用Matlab工具,通过建立逐次逼近A/D转换器无源器件匹配性高层次模型对理论分析结果进行了验证.在此基础上提出了一种基于单位电容缩放的新型电荷再分配结构,在不提高无源器件匹配性要求的前提下,利用单位电容取代原有缩放电容并增加一定的时序控制,有效地解决了传统电容缩放结构中缩放电容工艺实现困难以及对寄生电容敏感的问题,适合片上系统的嵌入式应用. 展开更多
关键词 模数转换器 逐次逼近 无源器件 匹配性 高层次模型
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沟道尺寸对深亚微米GGNMOS保护器件特性的影响 被引量：2
17
作者 吴晓鹏 杨银堂 +1 位作者 刘海霞 董刚 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期113-117,共5页
基于测试结果,研究了不同沟道宽度、沟道长度对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响机制,并得出保护器件沟道尺寸的优化准则.基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行流片及传输线脉冲测试,得到了不同版图参数条... 基于测试结果,研究了不同沟道宽度、沟道长度对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响机制,并得出保护器件沟道尺寸的优化准则.基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行流片及传输线脉冲测试,得到了不同版图参数条件下保护器件的I-V特性.基于失效电流水平变化趋势以及器件仿真结果,分析了相关物理机制.研究结果表明,沟道宽度的选取必须结合器件的导通均匀性情况,同时沟道长度值则通过改变器件沟道下方的热分布影响保护器件的鲁棒性.利用实验方法分析了沟道尺寸对单叉指栅接地N型金属氧化物半导体保护器件性能影响的物理机制,对深亚微米保护器件的版图设计提供了优化指导. 展开更多
关键词 沟道宽度 沟道长度 静电放电 栅接地N型金属氧化物半导体
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电子器件噪声高斯性和线性的定量分析方法 被引量：1
18
作者 李伟华 庄奕琪 +2 位作者 杜磊 包军林 马中发 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1059-1062,1091,共5页
基于高阶统计量理论,采用双相干系数平方和对电子器件噪声进行了定量分析.通过分析非线性非高斯信号、线性非高斯信号、非线性高斯信号、线性高斯信号,给出噪声信号的线性与高斯性的定量判定标准.将这种分析方法用于实验测量的电子器件... 基于高阶统计量理论,采用双相干系数平方和对电子器件噪声进行了定量分析.通过分析非线性非高斯信号、线性非高斯信号、非线性高斯信号、线性高斯信号,给出噪声信号的线性与高斯性的定量判定标准.将这种分析方法用于实验测量的电子器件噪声信号分析,表明电子器件噪声中存在这4种类型的信号,并可以用该方法进行有效区分.研究结果为电子器件噪声非常规特性的分析提供了理论依据与定量判据. 展开更多
关键词 电子器件的噪声 时间序列分析 高阶统计量 高斯性 线性
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大功率P沟道VDMOS器件设计与工艺仿真 被引量：2
19
作者 蒲石 杜林 张得玺 《重庆大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期133-138,共6页
作为现代电力电子核心器件之一的P沟道VDMOS(vertical double-diffuse,MOS)器件,一直以来由于应用领域狭窄而并未得到足够的研究。以P沟道VDMOS器件为研究对象,为一款击穿电压超过-200V的P沟道VDMOS设计了有源区的元胞结构及复合耐压终... 作为现代电力电子核心器件之一的P沟道VDMOS(vertical double-diffuse,MOS)器件,一直以来由于应用领域狭窄而并未得到足够的研究。以P沟道VDMOS器件为研究对象,为一款击穿电压超过-200V的P沟道VDMOS设计了有源区的元胞结构及复合耐压终端结构,并开发了一套完整的P沟道VDMOS专用非自对准工艺流程。最后通过仿真得到器件的击穿电压超过-200V,阈值电压为-2.78V,完全满足了设计要求,也为下一步流片提供了有益的参考。 展开更多
关键词 P沟道VDMOS 击穿电压 导通电阻 阈值电压
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新型HfO_2栅介质电特性的理论分析与实验研究 被引量：3
20
作者 蔡乃琼 刘红侠 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期513-516,共4页
对结合NH4F表面预处理和高温退火新型工艺制作的超薄HfO2栅介质MOS电容的C-V特性进行了模拟仿真和实验研究,理论分析的界面态分布与实验结果吻合.利用高频C-V法计算了平带电压漂移量、氧化层内陷阱电荷密度和界面态密度,比较了不同工艺... 对结合NH4F表面预处理和高温退火新型工艺制作的超薄HfO2栅介质MOS电容的C-V特性进行了模拟仿真和实验研究,理论分析的界面态分布与实验结果吻合.利用高频C-V法计算了平带电压漂移量、氧化层内陷阱电荷密度和界面态密度,比较了不同工艺条件下样品的电参数.结果表明NH4F表面预处理和高温退火新型工艺可以显著降低界面态和氧化层陷阱电荷,从而降低栅极漏电流. 展开更多
关键词 二氧化铪 C-V特性 界面态 氧化层陷阱
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