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基于ZigBee技术的井下人员定位安全监测系统 被引量:12
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作者 崔璐 蔡觉平 +1 位作者 赵博超 王鑫 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第S1期102-106,共5页
采用德州仪器(TI)公司CC2431芯片,构建了基于ZigBee协议的井下人员定位及安全监控系统.网络由网络协调器、定位参考基站、人员终端组成,通过在井下建立线状和网状ZigBee无线网络,实现井下人员定位、环境监测和通信等功能.通过人员终端... 采用德州仪器(TI)公司CC2431芯片,构建了基于ZigBee协议的井下人员定位及安全监控系统.网络由网络协调器、定位参考基站、人员终端组成,通过在井下建立线状和网状ZigBee无线网络,实现井下人员定位、环境监测和通信等功能.通过人员终端测定附近定位基站的信号强度,可以用监控系统上位机软件实时观测井下人员的活动,并进行数据采集和传输.通过对天线的近场效应进行补偿性修正,定位误差降低了约50%.模拟井下环境的性能测试结果表明,该系统可以达到0.25 m的测量分辨率,定位误差小于2 m,可以支持4 kbps的数据传输,满足井下人员定位和事故发生时的疏散调度要求. 展开更多
关键词 ZIGBEE 井下安全 定位 通信
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1 MHz~40 GHz超宽带分布式低噪声放大器设计 被引量:1
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作者 闵丹 马晓华 +1 位作者 刘果果 王语晨 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第8期590-594,622,共6页
为满足宽带系统中低噪声放大器(LNA)宽带的要求,采用0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了两款1 MHz^40 GHz的超宽带LNA,分别采用均匀分布式放大器结构及渐变分布式放大器结构,电路面积分别为1.8 mm×0.85 mm和1.8... 为满足宽带系统中低噪声放大器(LNA)宽带的要求,采用0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了两款1 MHz^40 GHz的超宽带LNA,分别采用均匀分布式放大器结构及渐变分布式放大器结构,电路面积分别为1.8 mm×0.85 mm和1.8 mm×0.8 mm。电磁场仿真结果表明,1 MHz^40 GHz频率范围内,均匀分布式LNA增益为15.3 dB,增益平坦度为2 dB,噪声系数小于5.1 dB;渐变分布式LNA增益为14.16 dB,增益平坦度为1.74 dB,噪声系数小于3.9 dB。渐变分布式LNA较均匀分布式LNA,显著地改善了增益平坦度、噪声性能和群延时特性。 展开更多
关键词 低噪声放大器(LNA) 超宽带 均匀分布式LNA 渐变分布式LNA GaAs PHEMT
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多上下文MQ编码器优化与VLSI实现 被引量:2
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作者 邸志雄 史江义 +3 位作者 刘凯 李云松 马佩军 郝跃 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期918-925,共8页
MQ(Multiple Quantization)编码器由于效率低下已经成为JPEG2000的性能瓶颈.本文对MQ编码算法中的上下文关系进行了提取,对索引表中的启动态和非暂态进行了分离,并提出一种用于预测索引值的方法.同时,对重归一化运算中出现的大概率事件... MQ(Multiple Quantization)编码器由于效率低下已经成为JPEG2000的性能瓶颈.本文对MQ编码算法中的上下文关系进行了提取,对索引表中的启动态和非暂态进行了分离,并提出一种用于预测索引值的方法.同时,对重归一化运算中出现的大概率事件和小概率事件进行分离,使其可并行对2个上下文完成编码.依据该算法,本文提出了一种多上下文并行处理的MQ编码器VLSI结构.实验结果表明,本文提出的MQ编码器能够工作在286.80MHz,吞吐量为573.60 Msymbols/sec,相比Dyer提出的Brute Force with Modified Byteout结构,本文的吞吐量提升约35%,且面积减小78%. 展开更多
关键词 MQ编码器 JPEG2000 并行
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GaN基高电子迁移率晶体管的质子辐照效应研究 被引量:2
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作者 吕玲 林志宇 +2 位作者 张进成 马晓华 郝跃 《空间电子技术》 2013年第3期33-38,共6页
文章研究了A1GaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的质子辐照效应。在3MeV质子辐照下,采用三种不同辐照剂量6×10^(14),4×10^(14)和1×10^(15)protons/cm^2。在最高辐照剂量下,漏极饱和电流下降了20%,最大跨导降低了5%。随着... 文章研究了A1GaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的质子辐照效应。在3MeV质子辐照下,采用三种不同辐照剂量6×10^(14),4×10^(14)和1×10^(15)protons/cm^2。在最高辐照剂量下,漏极饱和电流下降了20%,最大跨导降低了5%。随着剂量增加,阈值电压向正向漂移,栅泄露电流增加。AlGaN/GaN HEMT电学特性的退化主要是由辐照引入的位移损伤引起的。从SRIM软件计算出空位密度,将Ga空位对应的能级引入Silvaco器件仿真软件中,仿真结果与实验结果相匹配。Hall测试结果显示二维电子气(2DEG)浓度和迁移率在辐照后有所降低。 展开更多
关键词 质子辐照 氮化镓高电子迁移率晶体管 Ga空位 二维电子气
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InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触(英文)
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作者 张静 吕红亮 +3 位作者 倪海桥 牛智川 张义门 张玉明 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期679-682,687,共5页
为了得到较低的接触电阻,研究了帽层未掺杂的InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触.利用传输线模型(TLM)测量了接触电阻Rc.在最佳的快速热退火条件为275℃和20s时,InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au接触电阻值为0.128Ω·mm.TEM... 为了得到较低的接触电阻,研究了帽层未掺杂的InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触.利用传输线模型(TLM)测量了接触电阻Rc.在最佳的快速热退火条件为275℃和20s时,InAs/AlSb异质结的Pd/Ti/Pt/Au接触电阻值为0.128Ω·mm.TEM观察发现经过快速热退火后Pd已经扩散到半导体中有利于高质量欧姆接触的形成.研究表明经过Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触后Rc有明显减小,适用于InAs/AlSb异质结的应用. 展开更多
关键词 欧姆接触 快速热退火 InAs/AlSb异质结
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利用Al_xGa_(1-x)N在Si(111)上生长无裂纹GaN
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作者 王振晓 张锴 +2 位作者 李涛 王丹丹 韩孟序 《电子科技》 2014年第1期115-116,120,共3页
利用LP-MOCVD技术在Si(111)衬底上,用不同Al组分的AlGaN做缓冲层,再在缓冲层上生长GaN薄膜,采用XRD技术和原子力显微镜(AFM)分析样品知,样品整体的结晶质量良好。通过分析外延层的拉曼谱得出GaN中存在应力,而且是张应力,通过计算得出,... 利用LP-MOCVD技术在Si(111)衬底上,用不同Al组分的AlGaN做缓冲层,再在缓冲层上生长GaN薄膜,采用XRD技术和原子力显微镜(AFM)分析样品知,样品整体的结晶质量良好。通过分析外延层的拉曼谱得出GaN中存在应力,而且是张应力,通过计算得出,应力为0.23 GPa。 展开更多
关键词 MOCVD SI(111) GAN 双晶X射线衍射
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硅双极器件及电路电离总剂量辐照损伤研究 被引量:4
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作者 王鹏 崔占东 +1 位作者 邹学锋 杨筱莉 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期58-63,共6页
针对硅双极器件及其构成的双极集成电路有着如低剂量率辐照损伤增强效应等不同于其他类型电路的特殊的辐照响应问题,分析了空间辐射电离总剂量环境及铝屏蔽作用,双极晶体管及电路总剂量辐照损伤机理,低剂量率辐照损伤增强效应、规律和... 针对硅双极器件及其构成的双极集成电路有着如低剂量率辐照损伤增强效应等不同于其他类型电路的特殊的辐照响应问题,分析了空间辐射电离总剂量环境及铝屏蔽作用,双极晶体管及电路总剂量辐照损伤机理,低剂量率辐照损伤增强效应、规律和电参数变化。通过选取几种典型的双极晶体管和电路进行地面辐照模拟试验和测试,证明了双极器件及电路的关键参数受辐照影响较大,特别是对低剂量率辐照损伤增强效应敏感,低剂量率辐照损伤增强因子基本都大于1.5,不同双极器件和电路的低剂量率辐照损伤增强效应有着明显的不同,与器件类型、加工工艺(如氧化层厚度)等密切相关。 展开更多
关键词 双极器件 总剂量辐照 低剂量率 低剂量率辐照损伤增强效应 增强因子
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蝶形天线增强的InP基室温HEMT太赫兹探测器研究 被引量:2
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作者 李金伦 崔少辉(指导) +4 位作者 张静 张振伟 张博文 倪海桥 牛智川 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第9期132-138,共7页
采用分子束外延技术制备了InP基HEMT样片,室温下样片迁移率达10 289 cm2/(V·s)。通过光刻、腐蚀、磁控溅射、点焊等工艺技术制备出了蝶形天线耦合的太赫兹探测器件。器件采用的蝶形天线经HFSS软件仿真优化后,天线S11参数为-40 d B... 采用分子束外延技术制备了InP基HEMT样片,室温下样片迁移率达10 289 cm2/(V·s)。通过光刻、腐蚀、磁控溅射、点焊等工艺技术制备出了蝶形天线耦合的太赫兹探测器件。器件采用的蝶形天线经HFSS软件仿真优化后,天线S11参数为-40 d B,电压驻波比(VSWR)为1.15,增益可达6 dB,并与二维电子气沟道实现阻抗匹配。在VDI公司0.3 THz肖特基二极管太赫兹源辐照下进行器件测试,测试结果表明,室温下器件噪声等效功率(NEP)为40 nW/Hz1/2,探测响应度46 V/W,器件响应时间优于330μs。 展开更多
关键词 太赫兹探测器 高电子迁移率场效应晶体管 磷化铟 蝶形天线 分子束外延
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石墨烯/硅异质结光电导型探测器光电响应及噪声 被引量:1
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作者 李云杰 付津滔 +3 位作者 聂长斌 包军林 李兆成 伍俊 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2022年第8期732-741,共10页
设计并制备了石墨烯/硅异质结光电导型光电探测器,重点分析了光电响应与噪声性能。相比纯硅光电导探测器,石墨烯/硅异质结光电导探测器对635 nm波长激光的净光电流从20μA提升至260μA,与此同时,其1 Hz噪声幅值从3.2×10^(-17) A^(2... 设计并制备了石墨烯/硅异质结光电导型光电探测器,重点分析了光电响应与噪声性能。相比纯硅光电导探测器,石墨烯/硅异质结光电导探测器对635 nm波长激光的净光电流从20μA提升至260μA,与此同时,其1 Hz噪声幅值从3.2×10^(-17) A^(2)/Hz增加至2.1×10^(-16) A^(2)/Hz。进一步比较两种探测器的相对信噪比(净光电流/1 Hz噪声幅值),发现石墨烯/硅异质结探测器的相对信噪比(1.2×10^(18))优于纯硅探测器的(6.3×10^(17))。此外,探究了石墨烯条带尺寸对于光电响应及噪声的影响,发现随着石墨烯条带长度的增加,探测器的光电响应与噪声呈下降趋势;随着石墨烯条带宽度的增加,探测器的光电响应与噪声呈上升趋势。进一步比较了不同石墨烯条带长宽比探测器的净光电流与相对信噪比,发现净光电流随着长宽比的增大而减小,而相对信噪比随着长宽比的增大而增加。此外,通过沉积Al_(2)O_(3)对探测器的噪声进行了抑制。最后,利用栅压调制对探测器的综合性能进行了优化。上述结果对石墨烯基光电探测器的研究具有一定参考价值。 展开更多
关键词 光电探测器 石墨烯/硅异质结 石墨烯条带 光电响应 噪声 相对信噪比
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氮化镓HEMT器件辐射效应综述
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作者 吕航航 曹艳荣 +6 位作者 马毛旦 张龙涛 任晨 王志恒 吕玲 郑雪峰 马晓华 《太赫兹科学与电子信息学报》 2022年第6期535-542,564,共9页
在高频、大功率、高温、高压等领域,氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)器件因其优异的耐辐射性能而被广泛地应用于卫星、太空探测、核反应堆等领域。尽管从理论和一些试验研究中可以得知,氮化镓材料具有良好的耐辐射特性,但在实际应用中,... 在高频、大功率、高温、高压等领域,氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)器件因其优异的耐辐射性能而被广泛地应用于卫星、太空探测、核反应堆等领域。尽管从理论和一些试验研究中可以得知,氮化镓材料具有良好的耐辐射特性,但在实际应用中,因其制作工艺及结构等因素的影响,氮化镓HEMT器件的耐辐射特性受到了很大的影响和挑战。本文介绍了氮化镓HEMT器件几种辐射效应,并对氮化镓HEMT器件辐射的研究进行了综述。 展开更多
关键词 氮化镓HEMT器件 γ射线辐射 质子辐射 中子辐射 电子辐射
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