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掺硼直拉单晶硅棒不同位置硅片制备的PERC电池光衰及复原
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作者 袁帅 艾斌 +8 位作者 张卫民 庞毅聪 何溢懿 杨锦 吴浩彬 叶雄新 杨江海 孙小菩 梁学勤 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2020年第6期93-101,共9页
为了探究产业化发射极和背面钝化电池(Passivated Emitter and Rear Cells,简称PERC电池)光衰以及复原随硅片在硅棒位置的变化规律,将一根产业化掺硼直拉单晶硅棒从头至尾每隔一定距离进行切割得到6组硅片。在测量了硼、氧、碳、过渡金... 为了探究产业化发射极和背面钝化电池(Passivated Emitter and Rear Cells,简称PERC电池)光衰以及复原随硅片在硅棒位置的变化规律,将一根产业化掺硼直拉单晶硅棒从头至尾每隔一定距离进行切割得到6组硅片。在测量了硼、氧、碳、过渡金属杂质含量以及少子寿命之后,采用标准化工业过程将它们制成PERC电池。然后,使用太阳电池I-V特性测试仪测量在45℃、1 sun、12 h光衰→100℃、1 sun、24 h复原→45℃、1 sun、12 h再光衰实验中各参数随时间的变化。结果表明,尾部硅片制备的PERC电池的效率、开路电压和短路电流具有最高的复原上升幅度,在第二次光衰时其不仅效率最高而且最初光衰的幅度也较小,这说明100℃、1 sun光强、24 h的复原条件足以让PERC电池内部的硼氧缺陷近乎完全失活。第二次光衰时效率在初始阶段的小幅光衰可归因于未达到复原状态的硼氧缺陷所致,也证明了达到复原状态的硼氧缺陷具有很好的抗光衰性能。 展开更多
关键词 掺硼直拉单晶硅 PERC电池 光致衰减 复原
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