期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
稀土La掺杂CrSi_2电子结构与光学性质的第一性原理研究
被引量：
5
1
作者
张忠政
张春红
+2 位作者
闫万珺
周士芸
郭本华
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期652-656,共5页
基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对稀土La掺杂CrSi2的几何结构,电子结构和光学性质进行了计算与分析.结果表明,La掺杂后,CrSi2的晶格常数a,b和c均增大,晶格体积增大.La掺杂导致费米面进入价带,带隙明显变窄仅为0.07eV;在...
基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对稀土La掺杂CrSi2的几何结构,电子结构和光学性质进行了计算与分析.结果表明,La掺杂后,CrSi2的晶格常数a,b和c均增大,晶格体积增大.La掺杂导致费米面进入价带,带隙明显变窄仅为0.07eV;在费米面附近,La原子的5d层电子态密度只占总态密度很小的一部分,而总态密度仍然由Si的3p层和Cr的3d层电子的分波态密度决定;La掺杂后CrSi2的静态介电常数ε1(0)由28.98增大为91.69,ε2(ω)的两个介电峰均向低能方向偏移且增强,光学吸收边向低能方向移动,吸收峰减小.计算结果为CrSi2材料掺杂改性的实验研究提供了理论依据.
展开更多
关键词
CrSi2
第一性原理
掺杂
电子结构
光学性质
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
稀土La掺杂CrSi_2电子结构与光学性质的第一性原理研究
被引量：
5
1
作者
张忠政
张春红
闫万珺
周士芸
郭本华
机构
安顺学院电子与信息工程学院航空电子电气与信息网络工程中心
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期652-656,共5页
基金
贵州省科技厅自然科学基金项目(黔科合J字(2010)2001)
贵州省教育厅自然科学基金项目(黔教科KY(2012)056号)
+3 种基金
贵州省科学技术厅
安顺市人民政府
安顺学院联合科技基金资金资助(黔科合J字LKA(2012)15号)
贵州省教育厅2011市州地普通本科高校教育质量提升项目(黔高教发KY(2011)278号)
文摘
基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对稀土La掺杂CrSi2的几何结构,电子结构和光学性质进行了计算与分析.结果表明,La掺杂后,CrSi2的晶格常数a,b和c均增大,晶格体积增大.La掺杂导致费米面进入价带,带隙明显变窄仅为0.07eV;在费米面附近,La原子的5d层电子态密度只占总态密度很小的一部分,而总态密度仍然由Si的3p层和Cr的3d层电子的分波态密度决定;La掺杂后CrSi2的静态介电常数ε1(0)由28.98增大为91.69,ε2(ω)的两个介电峰均向低能方向偏移且增强,光学吸收边向低能方向移动,吸收峰减小.计算结果为CrSi2材料掺杂改性的实验研究提供了理论依据.
关键词
CrSi2
第一性原理
掺杂
电子结构
光学性质
Keywords
CrSi2 First principle
Doping
Electronic structure
Optical properties
分类号
O474 [理学—半导体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
稀土La掺杂CrSi_2电子结构与光学性质的第一性原理研究
张忠政
张春红
闫万珺
周士芸
郭本华
《原子与分子物理学报》
CAS
CSCD
北大核心
2014
5
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
