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三氧化钨/聚(3,4-乙烯二氧噻吩)核壳纳米线阵列薄膜的制备与电致变色性能 被引量:1
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作者 陈传胜 李熙瑞 张青 《化学研究与应用》 北大核心 2025年第2期401-409,共9页
本文采用溶剂热和电沉积相结合的方法制备了三氧化钨/聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(WO_(3)/PEDOT)核壳纳米线阵列薄膜,对实验样品进行表面结构表征、电化学性能测试和电致变色性能测试。测试显示WO_(3)/PEDOT纳米线阵列直径约为15-55 nm。透射... 本文采用溶剂热和电沉积相结合的方法制备了三氧化钨/聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(WO_(3)/PEDOT)核壳纳米线阵列薄膜,对实验样品进行表面结构表征、电化学性能测试和电致变色性能测试。测试显示WO_(3)/PEDOT纳米线阵列直径约为15-55 nm。透射电子显微镜表征结果证实WO_(3)/PEDOT纳米线阵列薄膜为核壳结构,X射线衍射花样和拉曼光谱证明核壳结构为六方相的WO_(3)核与非晶PEDOT薄壳层所组成。循环伏安曲线显示WO_(3)/PEDOT纳米线的电化学反应为扩散控制过程。WO_(3)/PEDOT纳米线在波长为633 nm处获得了对比度为78.2%、着色时间为4.6 s、褪色时间为2.0 s以及着色效率为78.6 cm^(2)/C的优异特性,由于核与壳层结构之间的协同作用,使得复合结构的变色响应速度和循环稳定性获得了显著的提升,在智能显示、节能窗等领域具有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 三氧化钨 聚(3 4-乙烯二氧噻吩) 核壳纳米结构 溶剂热 电致变色
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