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65 nm CMOS工艺的低功耗加固12T存储单元设计
被引量：
2
1
作者
黄正峰
李雪健
+5 位作者
鲁迎春
欧阳一鸣
方祥圣
易茂祥
梁华国
倪天明
《计算机辅助设计与图形学学报》
EI
CSCD
北大核心
2019年第3期504-512,共9页
随着CMOS工艺尺寸的不断缩减,存储单元对高能辐射粒子变得更加敏感,由此产生的软错误和因电荷共享导致的双节点翻转急剧增多.为了提高存储单元的可靠性,提出一种由4个PMOS晶体管和8个NMOS晶体管组成的抗辐射加固12T存储单元,并由NMOS晶...
随着CMOS工艺尺寸的不断缩减,存储单元对高能辐射粒子变得更加敏感,由此产生的软错误和因电荷共享导致的双节点翻转急剧增多.为了提高存储单元的可靠性,提出一种由4个PMOS晶体管和8个NMOS晶体管组成的抗辐射加固12T存储单元,并由NMOS晶体管中的N_1和N_2以及N_3和N_4构成了堆叠结构来降低存储单元的功耗;其基于物理翻转机制避免了存储节点产生负向的瞬态脉冲,在存储节点之间引入的负反馈机制,有效地阻碍了存储单元的翻转.大量的HSPICE仿真结果表明,所提出的存储单元不仅能够完全容忍敏感节点的翻转,还能够部分容忍电荷共享引起的敏感节点对翻转;与已有的存储单元相比,所提出的存储单元的功耗、面积开销、读/写时间平均减小了18.28%, 13.18%, 5.76%和22.68%,并且噪声容限的值较大;结果表明该存储单元在面积开销、存取时间、功耗和稳定性方面取得了很好的折中.
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关键词
抗辐射加固设计
软错误
单粒子翻转
存取可靠性
存储单元
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职称材料
题名
65 nm CMOS工艺的低功耗加固12T存储单元设计
被引量：
2
1
作者
黄正峰
李雪健
鲁迎春
欧阳一鸣
方祥圣
易茂祥
梁华国
倪天明
机构
合肥工业大学电子科学与应用物理
学院
合肥工业大学计算机与
信息
学院
安徽行政学院信息工程系
安徽
工程
大学电气
工程
学院
出处
《计算机辅助设计与图形学学报》
EI
CSCD
北大核心
2019年第3期504-512,共9页
基金
国家自然科学基金(61874156
61574052
+2 种基金
61674048)
安徽行政学院科研团队项目(YJKT1417T01)
安徽工程大学启动基金(2018YQQ007)
文摘
随着CMOS工艺尺寸的不断缩减,存储单元对高能辐射粒子变得更加敏感,由此产生的软错误和因电荷共享导致的双节点翻转急剧增多.为了提高存储单元的可靠性,提出一种由4个PMOS晶体管和8个NMOS晶体管组成的抗辐射加固12T存储单元,并由NMOS晶体管中的N_1和N_2以及N_3和N_4构成了堆叠结构来降低存储单元的功耗;其基于物理翻转机制避免了存储节点产生负向的瞬态脉冲,在存储节点之间引入的负反馈机制,有效地阻碍了存储单元的翻转.大量的HSPICE仿真结果表明,所提出的存储单元不仅能够完全容忍敏感节点的翻转,还能够部分容忍电荷共享引起的敏感节点对翻转;与已有的存储单元相比,所提出的存储单元的功耗、面积开销、读/写时间平均减小了18.28%, 13.18%, 5.76%和22.68%,并且噪声容限的值较大;结果表明该存储单元在面积开销、存取时间、功耗和稳定性方面取得了很好的折中.
关键词
抗辐射加固设计
软错误
单粒子翻转
存取可靠性
存储单元
Keywords
radiation hardened by design
soft errors
single event upset
access reliability
memory cell
分类号
TP391.41 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
65 nm CMOS工艺的低功耗加固12T存储单元设计
黄正峰
李雪健
鲁迎春
欧阳一鸣
方祥圣
易茂祥
梁华国
倪天明
《计算机辅助设计与图形学学报》
EI
CSCD
北大核心
2019
2
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职称材料
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