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中高能电子入射单电离He原子过程中屏蔽效应的理论研究 被引量:2
1
作者 张穗萌 吴兴举 +2 位作者 陈展斌 杨欢 刘向远 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1105-1113,共9页
这篇文章用3C和DS3C模型,在不同几何条件下研究了中高能电子入射单电离He原子的三重微分截面(TDCS),将计算结果与早期的测量和最新的绝对测量结果进行了比较;分析了有效电荷对三重微分截面影响.研究表明:在中高入射能下,截面的角分布由b... 这篇文章用3C和DS3C模型,在不同几何条件下研究了中高能电子入射单电离He原子的三重微分截面(TDCS),将计算结果与早期的测量和最新的绝对测量结果进行了比较;分析了有效电荷对三重微分截面影响.研究表明:在中高入射能下,截面的角分布由binary峰和recoil峰组成,末态电子与电子之间的排斥作用对峰的大小有显著贡献.更进一步,修正后的binary峰的幅值对入射电子能量E_0和散射电子偏角θ_1的变化比较敏感. 展开更多
关键词 中高能入射电子 有效电荷 屏蔽效应
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氦原子(e,2e)反应中库仑波描述入射电子的理论研究 被引量:8
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作者 张穗萌 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期171-174,共4页
在前期工作的基础上 ,当初通道使用具有有效电荷库仑波时 ,完成了电子入射离化氦原子三重微分截面的理论推导。计算表明 :初通道库仑场对较低入射能量情况下 ,(e ,2e)
关键词 初通道 库仑波 有效电荷
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低能氢原子(e,2e)反应中非一阶效应的理论研究
3
作者 杨欢 高矿 +1 位作者 吴兴举 张穗萌 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第B08期69-74,共6页
用BBK模型和修正后的BBK模型对入射能为27.2eV时,共面非对称几何条件下电子离化氢原子的三重微分散射截面进行了计算,并把结果与一级玻恩近似下的计算结果以及实验数据进行了比较,对修正后的BBK模型中非一阶效应进行了分析和探讨.
关键词 DS3C模型 BINARY峰 RECOIL峰 交换效应
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中高能电子电离He原子的二重微分截面 被引量:2
4
作者 张穗萌 吴兴举 +3 位作者 孙瑞 杨欢 高矿 周军 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期887-893,共7页
这篇文章用BBK和DS3C模型,计算了入射能为100,200,300,400和600 eV等中、高能情况下,电子入射电离He原子的二重微分截面(DDCS),给出了散射电子和敲出电子截面的角分布.散射电子和敲出电子的二重微分截面分别通过敲出电子和散射电子三重... 这篇文章用BBK和DS3C模型,计算了入射能为100,200,300,400和600 eV等中、高能情况下,电子入射电离He原子的二重微分截面(DDCS),给出了散射电子和敲出电子截面的角分布.散射电子和敲出电子的二重微分截面分别通过敲出电子和散射电子三重微分截面(TDCS)在全空间的角度积分而得到,所有的理论结果与有效的实验测量进行了比较.研究表明:除400和600 eV的高入射能之外,理论结果均能与绝对测量的实验结果较好的符合. 展开更多
关键词 二重微分截面 中高能入射电子 敲出电子 散射电子
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入射电子被中性原子散射过程中的库仑波描述 被引量:2
5
作者 张穗萌 张玉 +1 位作者 吴兴举 宋军 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期636-640,共5页
在前期工作的基础上,给出了有效电荷Zeff的解析形式.研究发现:有效电荷Zeff与入射电子的能量和散射角有关.我们早期工作的一个重要缺陷是:对于初、末通道,分别使用了解析的平面波和库仑波,而现有的波函数与早期工作之间的一个重要差别在... 在前期工作的基础上,给出了有效电荷Zeff的解析形式.研究发现:有效电荷Zeff与入射电子的能量和散射角有关.我们早期工作的一个重要缺陷是:对于初、末通道,分别使用了解析的平面波和库仑波,而现有的波函数与早期工作之间的一个重要差别在于:在初通道,现有的波函数包含有入射电子与中性原子之间的短程相互作用效应,而早期文章则没有这种效应.这里使用的末态波函数与以前是相同的.当入射电子处在有效电荷库仑场的情形下,我们计算了电子入射离化氦原子的三重微分截面,并发现现有的理论计算与实验结果很好的一致. 展开更多
关键词 初通道 库仑波 有效电荷 三重微分截面
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入射电子被中性原子散射过程中的库仑波描述 被引量:2
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作者 张穗萌 张玉 +1 位作者 吴兴举 宋军 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第B04期119-122,共4页
在前期工作的基础上,培出了有效电荷Zeff的解析形式.研究发现:有效电荷Zeff与入射电子的能量和散射角有关.当入射电子处在有效电荷库仑场的情形下,我们计算了电子入射高化氯原子的三重微分截面,并发现现有的理论计算与实验结果很... 在前期工作的基础上,培出了有效电荷Zeff的解析形式.研究发现:有效电荷Zeff与入射电子的能量和散射角有关.当入射电子处在有效电荷库仑场的情形下,我们计算了电子入射高化氯原子的三重微分截面,并发现现有的理论计算与实验结果很好的一致. 展开更多
关键词 初通道 库仑波 有效电荷
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大能量损失几何条件下剩余电子屏蔽效应的理论研究
7
作者 陈展斌 杨欢 张穗萌 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期850-858,共9页
这篇文章,通过考虑末通道He^+中剩余电子的屏蔽效应,用BBK模型及修正方案在大能量损失小动量转移几何条件下对电子电离氯原子的三重微分截面进行了计算,并从物理本质上系统地研究和分析了剩余电子的屏蔽效应在大能量损失几何条件下对三... 这篇文章,通过考虑末通道He^+中剩余电子的屏蔽效应,用BBK模型及修正方案在大能量损失小动量转移几何条件下对电子电离氯原子的三重微分截面进行了计算,并从物理本质上系统地研究和分析了剩余电子的屏蔽效应在大能量损失几何条件下对三重微分截面所产生的影响. 展开更多
关键词 两体一次碰撞峰 反冲峰 三重微分截面 BBK模型
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非共面双对称几何条件下电子离化He的(e,2e)反应 被引量:4
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作者 高矿 杨欢 +1 位作者 吴兴举 张穗萌 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期683-690,共8页
运用修正后的BBK理论计算了入射能为27.6 eV,29.6 eV和34.6 eV,非共面双对称几何条件下,电子入射离化氦原子的三重微分截面,计算结果与实验结果进行比较发现两者符合的较好.验证了低入射能时修正后的BBK模型同样适用于非共面双对称条件... 运用修正后的BBK理论计算了入射能为27.6 eV,29.6 eV和34.6 eV,非共面双对称几何条件下,电子入射离化氦原子的三重微分截面,计算结果与实验结果进行比较发现两者符合的较好.验证了低入射能时修正后的BBK模型同样适用于非共面双对称条件下的(e,2e)过程.从碰撞的微观机理上分析了影响出射电子角分布的原因. 展开更多
关键词 非共面 双对称几何条件 三重微分截面 BBK模型 角分布 索末菲参量
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