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SOI全硅无引线MEMS高温压力传感器的设计
1
作者
吴思佳
陈士涛
+2 位作者
陈志亮
王鹏
王文婧
《传感器与微系统》
北大核心
2025年第5期103-106,111,共5页
介绍了一种基于绝缘体上硅(SOI)材料的微机电系统(MEMS)压阻式高温压力传感器。传感器的压力敏感芯片采用E型膜结构,缓解灵敏度与线性度无法协调的矛盾;采用氧化的单晶硅(Si)而非硼硅(B-Si)玻璃与传感器芯片进行硅-硅(Si-Si)直接键合,...
介绍了一种基于绝缘体上硅(SOI)材料的微机电系统(MEMS)压阻式高温压力传感器。传感器的压力敏感芯片采用E型膜结构,缓解灵敏度与线性度无法协调的矛盾;采用氧化的单晶硅(Si)而非硼硅(B-Si)玻璃与传感器芯片进行硅-硅(Si-Si)直接键合,相同的热膨胀系数使得传感器工作时的热失配应力减小;采用无引线封装技术,与传统封装技术相比,其减小了器件尺寸。设计传感器的压力量程为0~35 kPa,且能够在-40~200℃的温度范围内正常工作,满量程输出高于90 mV。
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关键词
微机电系统
绝缘体上硅
全硅
无引线封装
高温压力传感器
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职称材料
题名
SOI全硅无引线MEMS高温压力传感器的设计
1
作者
吴思佳
陈士涛
陈志亮
王鹏
王文婧
机构
安徽大学
电子信息工程学院
安徽
北方微电子
研究院
集团有限公司
安徽大学集成电路先进材料与技术产教融合研究院
出处
《传感器与微系统》
北大核心
2025年第5期103-106,111,共5页
基金
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(62001002)
安徽省博士后基金资助项目(2022A573)。
文摘
介绍了一种基于绝缘体上硅(SOI)材料的微机电系统(MEMS)压阻式高温压力传感器。传感器的压力敏感芯片采用E型膜结构,缓解灵敏度与线性度无法协调的矛盾;采用氧化的单晶硅(Si)而非硼硅(B-Si)玻璃与传感器芯片进行硅-硅(Si-Si)直接键合,相同的热膨胀系数使得传感器工作时的热失配应力减小;采用无引线封装技术,与传统封装技术相比,其减小了器件尺寸。设计传感器的压力量程为0~35 kPa,且能够在-40~200℃的温度范围内正常工作,满量程输出高于90 mV。
关键词
微机电系统
绝缘体上硅
全硅
无引线封装
高温压力传感器
Keywords
microelectromechanical systems(MEMS)
silicon on insulator(SOI)
all-silicon
leadless packaging
high temperature pressure sensor
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SOI全硅无引线MEMS高温压力传感器的设计
吴思佳
陈士涛
陈志亮
王鹏
王文婧
《传感器与微系统》
北大核心
2025
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职称材料
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