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电流模式控制Boost变换器中的呼吸现象被引量：16: 1; 作者周宇飞陈军宁柯导明《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期915-919,共5页; 　本文揭示了在电流模式控制Boost变换器中,由于存在内部或外部耦合电路引起的传导和辐射干扰,使得有可能产生呼吸现象,这是一种以较长的周期按顺序交替历经规则、分谐波和混沌状态的时间分叉现象,在功率变换电路中是一种非正常的工作状... 展开更多; 关键词 BOOST变换器电流模式控制呼吸功率变换电路辐射干扰耦合电路分叉现象混沌状态干扰信号工作状态开关频率分叉控制数值仿真分析结果稳定设计电路实验初相位时间; 在线阅读下载PDF 职称材料

采用频域紧支集正交小波基消除瞬态散射回波中的高斯白噪声干扰被引量：8: 2; 作者焦丹徐善驾 +1 位作者吴先良李世雄《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期120-122,共3页; 本文提出一种采用频域紧支集正交小波基的非线性柔性阈值滤波方法，该方法利用频域紧支集小波基的良好频谱特性和信号压缩能力，有效地消除了高斯白噪声对瞬态散射回波的干扰．文中以一人工合成瞬态回波，实测球体瞬态晚期响应和1：72的... 展开更多; 关键词瞬态散射回波小波变换高斯白噪声; 在线阅读下载PDF 职称材料

高温CMOS集成电路闩锁效应分析被引量：2: 3; 作者柯导明陈军宁 +4 位作者代月花高珊孟坚赵海峰周国祥《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1894-1896,共3页; 本文详细地分析了LDD结构高温CMOS集成电路闩锁效应.文中提出了亚微米和深亚微米CMOS集成电路闩锁效应的模型.在该模型中,针对器件的尺寸和在芯片上分布情况,我们认为CMOS IC闩锁效应的维持电流有两种模式:大尺寸MOST的寄生双极晶体管... 展开更多; 关键词高温 CMOS 集成电路闩锁效应解析表达式; 在线阅读下载PDF 职称材料

高压功率LDMOS的场极板击穿电压分析被引量：3: 4; 作者柯导明陈军宁 +3 位作者时龙兴孙伟锋吴秀龙柯宜京《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期20-22,107,共4页; 提高 LDMOS的一个关键步骤是加场极板以降低其表面击穿电压。文中分析了加场极板后的 LDMOS击穿电压模式 ,指出了场极板的分压作用和场极板边界的影响。; 关键词横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管场极板击穿电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

高压LDMOS导通电阻的高温特性分析: 5; 作者柯导明陈军宁《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期1111-1113,共3页; 本文提出了高压LDMOS的高温等效电路 ,讨论了LDMOS泄漏电流及本征参数在 2 5℃～ 30 0℃范围内随温度变化规律 .根据本文分析 :源漏pn结的反向泄漏电流决定了LDMOS的高温极限温度 ;导通电阻与温度的关系是 (T/T1) y(y为 1 5～ 2 5 ) .; 关键词高压LDMOS 导通电阻高温等效电路泄漏电流本征参数; 在线阅读下载PDF 职称材料

FDTD与DFT在分析开口式微波加热器中的应用: 6; 作者陈绍平《微波学报》 CSCD 北大核心 2003年第1期76-79,共4页; 本文应用时域有限差分法 (FDTD)和离散傅立叶变换 (DFT)分析和计算了一种开口式同轴加热装置内部谐振场和外部辐射场 ,给出了使用两种不同激励源以及是否使用扼流槽后的场的结果。测量结果显示了这种方法的准确性。; 关键词 FDTD DFT 开口式微波加热器微波加热时域有限差分离散傅立叶变换; 在线阅读下载PDF 职称材料

带反射板的阿基米德螺旋天线: 7; 作者陈绍平《电子技术应用》北大核心 1993年第5期23-24,共2页; 本文用矩量法计算了带有反射板的互补式阿基米德螺旋天线。计算结果表明,这种天线在臂长为1.6λ时,有一带宽为1∶1.2,轴比小于3dB 的圆极化辐射波。天线的输入阻抗为一接近60πΩ的纯电阻,功率增益可达8.6dB,比不带反射板的螺旋天线提... 展开更多; 关键词螺旋天线矩量法镜象法接收天线; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电流模式控制Boost变换器中的呼吸现象被引量：16: 1; 作者周宇飞陈军宁柯导明; 机构安徽大学电子工程系; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期915-919,共5页; 基金国家自然科学基金(No.60402001) 国家863计划课题(No.2003AA1Z1400); 文摘　本文揭示了在电流模式控制Boost变换器中,由于存在内部或外部耦合电路引起的传导和辐射干扰,使得有可能产生呼吸现象,这是一种以较长的周期按顺序交替历经规则、分谐波和混沌状态的时间分叉现象,在功率变换电路中是一种非正常的工作状态.可以通过建立具有固定初相位的模拟干扰信号,并使其频率与变换器的开关频率相同,以便将呼吸现象(时间分叉)转换为参数分叉,并从分叉控制的角度来对这种呼吸现象进行合理解释和理论分析,从而给出变换器稳定设计的理论依据.理论分析结果与数值仿真是完全一致的,另外,在电路实验中也得到了印证.; 关键词 BOOST变换器电流模式控制呼吸功率变换电路辐射干扰耦合电路分叉现象混沌状态干扰信号工作状态开关频率分叉控制数值仿真分析结果稳定设计电路实验初相位时间; Keywords Bifurcation (mathematics) Chaos theory Computer simulation Harmonic analysis Numerical analysis Signal interference; 分类号 TN624 [电子电信—电路与系统] TN86 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名采用频域紧支集正交小波基消除瞬态散射回波中的高斯白噪声干扰被引量：8: 2; 作者焦丹徐善驾吴先良李世雄; 机构中国科学技术大学电子工程系安徽大学电子工程系安徽大学数学系; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期120-122,共3页; 基金国家科委95地方重点科技攻关项目资助; 文摘本文提出一种采用频域紧支集正交小波基的非线性柔性阈值滤波方法，该方法利用频域紧支集小波基的良好频谱特性和信号压缩能力，有效地消除了高斯白噪声对瞬态散射回波的干扰．文中以一人工合成瞬态回波，实测球体瞬态晚期响应和1：72的B-58飞机模型的散射回波为例，对本文方法的有效性作了检验，并将其与傅立叶滤波、样条拟合消噪小波变换极大模算法及采用Daubechies基的非线性柔性阈值滤波法作了比较，显示了本文方法的优越性．; 关键词瞬态散射回波小波变换高斯白噪声; Keywords Orthogonal wavelet bases with compact support in frequency domain, Transient scattered response, Nonlinear soft-thresholding, Gaussian white noise; 分类号 TN911.1 [电子电信—通信与信息系统] TN911.4 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高温CMOS集成电路闩锁效应分析被引量：2: 3; 作者柯导明陈军宁代月花高珊孟坚赵海峰周国祥; 机构安徽大学电子工程系合肥工业大学计算机系; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1894-1896,共3页; 基金国家自然科学基金(No.60276042); 文摘本文详细地分析了LDD结构高温CMOS集成电路闩锁效应.文中提出了亚微米和深亚微米CMOS集成电路闩锁效应的模型.在该模型中,针对器件的尺寸和在芯片上分布情况,我们认为CMOS IC闩锁效应的维持电流有两种模式:大尺寸MOST的寄生双极晶体管是长基区,基区输运因子起主要作用;VLSI和ULSI中MOST的寄生双极晶体管是短基区,发射效率起主要作用.但是他们的维持电流都与温度是负指数幂关系.文章给出了这两种模式下的维持电流与温度关系,公式在25℃至300℃之间能与实验结果符合.; 关键词高温 CMOS 集成电路闩锁效应解析表达式; Keywords high temperature LDD CMOS integrated circuits latch-up characteristics analysis expression; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高压功率LDMOS的场极板击穿电压分析被引量：3: 4; 作者柯导明陈军宁时龙兴孙伟锋吴秀龙柯宜京; 机构安徽大学电子工程系东南大学ASIC工程技术中心; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期20-22,107,共4页; 基金国家 8 63计划项目 :高压驱动集成技术的研究 (2 0 0 2 AA1Z15 5 0 ) 安徽省教育厅重点项目 (2 0 0 3 kj0 0 12 d); 文摘提高 LDMOS的一个关键步骤是加场极板以降低其表面击穿电压。文中分析了加场极板后的 LDMOS击穿电压模式 ,指出了场极板的分压作用和场极板边界的影响。; 关键词横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管场极板击穿电压; Keywords LDMOS field plate bre akdown voltage; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高压LDMOS导通电阻的高温特性分析: 5; 作者柯导明陈军宁; 机构安徽大学电子工程系; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期1111-1113,共3页; 基金安徽省自然科学基金 (No .1 0 1 4 2 1 0 4 ); 文摘本文提出了高压LDMOS的高温等效电路 ,讨论了LDMOS泄漏电流及本征参数在 2 5℃～ 30 0℃范围内随温度变化规律 .根据本文分析 :源漏pn结的反向泄漏电流决定了LDMOS的高温极限温度 ;导通电阻与温度的关系是 (T/T1) y(y为 1 5～ 2 5 ) .; 关键词高压LDMOS 导通电阻高温等效电路泄漏电流本征参数; Keywords high voltage LDMOS on-resistance high temperature equivalent circuit; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名FDTD与DFT在分析开口式微波加热器中的应用: 6; 作者陈绍平; 机构安徽大学电子工程系; 出处《微波学报》 CSCD 北大核心 2003年第1期76-79,共4页; 基金加拿大自然科学与工程学会的部分资助; 文摘本文应用时域有限差分法 (FDTD)和离散傅立叶变换 (DFT)分析和计算了一种开口式同轴加热装置内部谐振场和外部辐射场 ,给出了使用两种不同激励源以及是否使用扼流槽后的场的结果。测量结果显示了这种方法的准确性。; 关键词 FDTD DFT 开口式微波加热器微波加热时域有限差分离散傅立叶变换; Keywords Microwave heating, Finite difference time domain(FDTD), Discrete Fourier transform(DFT); 分类号 TM925 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名带反射板的阿基米德螺旋天线: 7; 作者陈绍平; 机构合肥市安徽大学电子工程系; 出处《电子技术应用》北大核心 1993年第5期23-24,共2页; 文摘本文用矩量法计算了带有反射板的互补式阿基米德螺旋天线。计算结果表明,这种天线在臂长为1.6λ时,有一带宽为1∶1.2,轴比小于3dB 的圆极化辐射波。天线的输入阻抗为一接近60πΩ的纯电阻,功率增益可达8.6dB,比不带反射板的螺旋天线提高约一倍。; 关键词螺旋天线矩量法镜象法接收天线; 分类号 TN827.2 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	电流模式控制Boost变换器中的呼吸现象	周宇飞陈军宁柯导明	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	16	在线阅读下载PDF 职称材料
2	采用频域紧支集正交小波基消除瞬态散射回波中的高斯白噪声干扰	焦丹徐善驾吴先良李世雄	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1999	8	在线阅读下载PDF 职称材料
3	高温CMOS集成电路闩锁效应分析	柯导明陈军宁代月花高珊孟坚赵海峰周国祥	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	高压功率LDMOS的场极板击穿电压分析	柯导明陈军宁时龙兴孙伟锋吴秀龙柯宜京	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2005	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	高压LDMOS导通电阻的高温特性分析	柯导明陈军宁	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	FDTD与DFT在分析开口式微波加热器中的应用	陈绍平	《微波学报》 CSCD 北大核心	2003	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	带反射板的阿基米德螺旋天线	陈绍平	《电子技术应用》北大核心	1993	0	在线阅读下载PDF 职称材料