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交叉覆盖网络的球形领域构造与功能函数 被引量:5
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作者 吴涛 张旻 +1 位作者 张燕平 张铃 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2003年第16期43-45,共3页
基于前向神经网络的交叉覆盖算法有效地解决了传统网络运行慢、数据处理能力差的问题,但仍存在拒识的缺陷。文章在对交叉覆盖算法分析的基础上,提出了几种球形领域和特征函数的构造方法,并通过实例对各种模型的分类能力进行比较。
关键词 神经网络 覆盖算法 功能函数
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基于类信息的文本聚类中特征选择算法 被引量:7
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作者 严莉莉 张燕平 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2007年第12期144-146,217,共4页
文本聚类属于无监督的学习方法,由于缺乏类信息还很难直接应用有监督的特征选择方法,因此提出了一种基于类信息的特征选择算法,此算法在密度聚类算法的聚类结果上使用信息增益特征选择法重新选择最有分类能力的特征,实验验证了算法的可... 文本聚类属于无监督的学习方法,由于缺乏类信息还很难直接应用有监督的特征选择方法,因此提出了一种基于类信息的特征选择算法,此算法在密度聚类算法的聚类结果上使用信息增益特征选择法重新选择最有分类能力的特征,实验验证了算法的可行性和有效性。 展开更多
关键词 文本聚类 特征选择 密度聚类算法
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用于单个纳米颗粒检测的固态纳米孔器件的仿真与优化 被引量:1
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作者 张宇 魏胜 +3 位作者 李民权 赵超 罗军 黄成军 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第10期1425-1431,共7页
基于固态纳米孔器件的检测技术是近年来的研究热点,它可广泛用于各种纳米颗粒、生物分子检测及DNA测序等各个领域。采用数值方法对两种常用的纳米孔器件,即圆柱形纳米孔和棱台形纳米孔器件在检测纳米颗粒穿过时的局部电场变化以及离子... 基于固态纳米孔器件的检测技术是近年来的研究热点,它可广泛用于各种纳米颗粒、生物分子检测及DNA测序等各个领域。采用数值方法对两种常用的纳米孔器件,即圆柱形纳米孔和棱台形纳米孔器件在检测纳米颗粒穿过时的局部电场变化以及离子电流特性进行了系统性的仿真和分析,提出了采用纳米孔阻塞电流因子,来评估器件性能。在此基础上,深入分析和讨论了纳米孔的孔径和孔深等参数的变化对检测纳米粒子性能的影响,并提出了优化的纳米孔器件设计方案。研究结果对纳米孔器件的制备,以及其在检测纳米颗粒的应用实践中提供了理论指导。 展开更多
关键词 纳米孔 数值方法 单纳米粒子检测 阻塞电流因子
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基于覆盖算法的降雨量预测 被引量:1
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作者 赵勇 施尧 +2 位作者 杨雪洁 赵姝 张燕平 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2008年第9期232-234,共3页
首先介绍了覆盖算法的基本原理,然后在此基础上,以安徽省宣城市1960年至2006年的降雨量数据为应用实例,尝试应用覆盖算法进行建模,利用算法的优势,充分挖掘和利用数据中的隐含信息,用于对该地区的降雨量状况进行预测和分析,从中检验覆... 首先介绍了覆盖算法的基本原理,然后在此基础上,以安徽省宣城市1960年至2006年的降雨量数据为应用实例,尝试应用覆盖算法进行建模,利用算法的优势,充分挖掘和利用数据中的隐含信息,用于对该地区的降雨量状况进行预测和分析,从中检验覆盖算法在该领域的预测效果。实验表明将覆盖算法应用于降雨量预测中,能得到较好的预测结果,为降雨量预测提供了一个新的实现方法,为气象科学的研究提供了新的研究模型。 展开更多
关键词 覆盖算法 领域覆盖 降雨量预测
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基于DGS的新型宽带带阻滤波器设计 被引量:1
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作者 彭猛 李民权 +2 位作者 荣波 丁友 常海星 《微波学报》 CSCD 北大核心 2014年第S1期257-259,共3页
提出了一种基于开口谐振环(SRR)新型宽带带阻滤波器的设计方法。通过在地板开SRR环,实现缺陷地结构(DGS),并在金属接地板与传输线之间添加金属圆柱进行耦合,实现宽带带阻特性。采用高频仿真软件HFSS进行仿真,研究了金属柱耦合对宽带带... 提出了一种基于开口谐振环(SRR)新型宽带带阻滤波器的设计方法。通过在地板开SRR环,实现缺陷地结构(DGS),并在金属接地板与传输线之间添加金属圆柱进行耦合,实现宽带带阻特性。采用高频仿真软件HFSS进行仿真,研究了金属柱耦合对宽带带阻滤波器性能的影响。在此基础上设计了3个SRR缺陷地结构单元级联的带阻滤波器。结果表明,带内最大阻带深度达到55d B,-10d B的阻带宽度达3GHz(5.6~8.6GHz),相对带宽为42%,通带插损不大于1.3d B。 展开更多
关键词 SRR DGS 宽带带阻滤波器 金属柱
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在Si_xGe_(1-x)C_(0.02)衬底上直接生长石墨烯
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作者 魏胜 彭猛 +1 位作者 李民权 罗军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第7期531-535,553,共6页
基于锗衬底在石墨烯生长方面的自限制生长和表面催化特性,以甲烷(CH4)和氢气(H2)为前驱体,采用化学气相沉积(CVD)法分别在锗硅碳(SixGe1-xC0.02)(x=0.15,0.25,0.73)衬底和外延锗上直接生长石墨烯。研究了不同Si组分、H2与CH4体积流量比... 基于锗衬底在石墨烯生长方面的自限制生长和表面催化特性,以甲烷(CH4)和氢气(H2)为前驱体,采用化学气相沉积(CVD)法分别在锗硅碳(SixGe1-xC0.02)(x=0.15,0.25,0.73)衬底和外延锗上直接生长石墨烯。研究了不同Si组分、H2与CH4体积流量比和生长温度对石墨烯质量的影响。利用光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)以及喇曼光谱对衬底和生长的石墨烯进行了表征分析。喇曼光谱结果表明,Si0.15Ge0.85C0.02衬底在750℃下可以生长出石墨烯,调节气体H2与CH4的体积流量比为50∶0.5时,生长出的石墨烯是双层的。OM和SEM结果表明,锗硅碳衬底具有比锗更好的热稳定性,高温下不会升华。 展开更多
关键词 锗硅碳(SixGe1-xC0.02) 化学气相沉积(CVD) 外延Ge 石墨烯 热稳定性
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