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铝互连工艺中光刻胶残留原因及解决方法 被引量:1
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作者 李兆营 陈国雪 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2024年第10期96-102,共7页
铝互连工艺结束后检查晶圆表面发现大片残留缺陷,通过成分分析确认其为光刻胶。对镀膜、光刻、腐蚀、去胶工序进行工艺排查后发现改变镀膜工艺可以改善光刻胶残留情况。实验结果证明铝薄膜表面形貌与光刻胶残留现象密切相关。减小薄膜... 铝互连工艺结束后检查晶圆表面发现大片残留缺陷,通过成分分析确认其为光刻胶。对镀膜、光刻、腐蚀、去胶工序进行工艺排查后发现改变镀膜工艺可以改善光刻胶残留情况。实验结果证明铝薄膜表面形貌与光刻胶残留现象密切相关。减小薄膜表面粗糙度可以改善光刻胶残留现象。 展开更多
关键词 光刻胶残留 铝互连 表面粗糙度 磁控溅射
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融合机理模型与深度学习的加热炉钢坯温度预测
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作者 冯旭刚 杨克 +5 位作者 安硕 王正兵 唐得志 王伟 柳传武 潘磊 《中南大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第7期2719-2730,共12页
数据驱动模型在加热炉钢坯温度预测中存在机理模糊性与参数敏感性的局限,导致预测精度降低。为此,本文提出一种结合机理模型与深度学习的钢坯温度模型预测算法。首先,基于对流与辐射传热的一维非稳态传热模型(convection-radiation heat... 数据驱动模型在加热炉钢坯温度预测中存在机理模糊性与参数敏感性的局限,导致预测精度降低。为此,本文提出一种结合机理模型与深度学习的钢坯温度模型预测算法。首先,基于对流与辐射传热的一维非稳态传热模型(convection-radiation heat transfer model,CRHT),初步计算钢坯出段温度,并将其与加热炉工况参数进行融合,实现机理知识的整合;其次,采用tent混沌映射和动态自适应权重改进差异创意搜索(differentiated creative search,DCS)算法,实现双向时间卷积网络(bidirectional temporal convolutional networks,BITCN)与双向长短期记忆网络(bidirectional long short-term memory,BILSTM)融合模型的超参数协同优化;最后,通过加热炉实际生产数据,系统地验证了该模型的准确性。研究结果表明:在加热炉均热段的钢坯温度预测中,与常规BITCN-BILSTM模型的预测结果相比,所提出的预测算法所得结果的平均绝对误差、均方根误差的相对误差分别降低了52.8%和28.9%,模型预测精度得到明显提升。 展开更多
关键词 钢坯温度预测 机理模型 双向时间卷积神经网络 双向长短期记忆 差异创意搜索
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大尺寸超高纯锗单晶的生长和性能研究
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作者 赵青松 牛晓东 +1 位作者 顾小英 狄聚青 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第1期34-39,共6页
高纯锗探测器具有分辨率高、探测效率高、稳定性好等优点,应用越来越广泛,但是其关键原材料超高纯锗单晶需要满足极高的纯度和晶体结构要求,制备难度很大。国内超高纯锗单晶制备技术仍不成熟,制备的晶体质量仍不够高。利用直拉法和自制... 高纯锗探测器具有分辨率高、探测效率高、稳定性好等优点,应用越来越广泛,但是其关键原材料超高纯锗单晶需要满足极高的纯度和晶体结构要求,制备难度很大。国内超高纯锗单晶制备技术仍不成熟,制备的晶体质量仍不够高。利用直拉法和自制设备,在氢气气氛下生长了大尺寸的超高纯锗单晶,通过低温霍尔测试、位错测试和深能级杂质测试,对晶体性能进行了分析表征,结果表明其净载流子浓度小于1×10^(10)cm^(-3),深能级杂质浓度小于4.5×10^(9)cm^(-3),位错密度小于5000 cm^(-2),位错线数量小于3条,符合探测器级超高纯锗单晶的要求,最终得到直径85 mm和长度60 mm的合格晶体。 展开更多
关键词 锗探测器 超高纯锗单晶 霍尔测试 净载流子浓度 位错密度 深能级杂质浓度
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13N超高纯锗单晶的制备与性能研究 被引量:1
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作者 顾小英 赵青松 +4 位作者 牛晓东 狄聚青 张家瑛 肖溢 罗恺 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期497-502,共6页
13N超高纯锗单晶是制作超高纯锗探测器的核心材料。本文通过还原法获得还原锗锭,再由水平区熔法提纯获得12N高纯锗多晶,最后由直拉法生长得到13N超高纯锗单晶。通过低温霍尔测试、位错密度检测、深能级瞬态谱(DLTS)测试对13N超高纯锗单... 13N超高纯锗单晶是制作超高纯锗探测器的核心材料。本文通过还原法获得还原锗锭,再由水平区熔法提纯获得12N高纯锗多晶,最后由直拉法生长得到13N超高纯锗单晶。通过低温霍尔测试、位错密度检测、深能级瞬态谱(DLTS)测试对13N超高纯锗单晶性能进行分析。低温霍尔测试结果显示,晶体头部截面平均迁移率为4.515×10^(4)cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),载流子浓度为1.176×10^(10)cm^(-3),导电类型为p型,位错密度为2256 cm^(-2);尾部截面平均迁移率为4.620×10^(4)cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),载流子浓度为1.007×10^(10)cm^(-3),导电类型为p型,位错密度为2589 cm^(-2)。晶体深能级杂质浓度为1.843×10^(9)cm^(-3)。以上结果表明该晶体是13N超高纯锗单晶。 展开更多
关键词 锗单晶 探测器 迁移率 载流子浓度 位错密度
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硅衬底温度对电子束蒸发钛薄膜性能的影响
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作者 李兆营 李萌萌 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2024年第3期1-5,共5页
采用电子束蒸发法在硅衬底表面制备Ti薄膜。采用台阶仪、原子力显微镜、反射率测试仪、四探针电阻测试仪和应力测试仪分析了在不同衬底温度下所得Ti薄膜的厚度、表面粗糙度、镜面反射率、方块电阻和残余应力。结果表明,随着衬底温度从2... 采用电子束蒸发法在硅衬底表面制备Ti薄膜。采用台阶仪、原子力显微镜、反射率测试仪、四探针电阻测试仪和应力测试仪分析了在不同衬底温度下所得Ti薄膜的厚度、表面粗糙度、镜面反射率、方块电阻和残余应力。结果表明,随着衬底温度从25℃升高到200℃,Ti薄膜的厚度、方块电阻和残余应力逐渐降低;表面粗糙度先减小后增大,镜面反射率则先升高后降低。 展开更多
关键词 电子束蒸发 硅衬底温度 钛薄膜 方块电阻 残余应力 表面粗糙度 镜面反射率
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共蒸发法制备金锡共晶焊料环及其性能研究
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作者 李萌萌 李兆营 黄添萍 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第1期59-61,共3页
采用电子束共蒸发法制备了金锡共晶(Au80Sn20)焊料环,与非制冷红外探测器芯片进行气密性封装。通过SEM、AFM、X-ray、振荡测试以及测漏氦等方式验证了封装后芯片的气密性和可靠性。结果表明:键合后焊料环无明显缺陷,仅存在轻微溢料现象... 采用电子束共蒸发法制备了金锡共晶(Au80Sn20)焊料环,与非制冷红外探测器芯片进行气密性封装。通过SEM、AFM、X-ray、振荡测试以及测漏氦等方式验证了封装后芯片的气密性和可靠性。结果表明:键合后焊料环无明显缺陷,仅存在轻微溢料现象;经过振荡测试,溢料无脱落、无位移,且芯片密封性能可达到1×10^(-3) Pa/(cm^(3)·s),符合探测器的气密性要求。 展开更多
关键词 非制冷红外探测器 晶圆级封装 电子束蒸发 金锡共晶焊料环 键合
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功率对直流磁控溅射氧化钒薄膜电学性能的影响 被引量:2
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作者 李兆营 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2023年第4期45-50,共6页
采用直流磁控溅射方法在长有300 nm厚的Si_(3)N_(4)薄膜的Si(100)晶圆上制备了氧化钒薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和探针法分析了不同功率对薄膜结晶结构、成分、表面形貌和电学性能的影响。结... 采用直流磁控溅射方法在长有300 nm厚的Si_(3)N_(4)薄膜的Si(100)晶圆上制备了氧化钒薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和探针法分析了不同功率对薄膜结晶结构、成分、表面形貌和电学性能的影响。结果表明:不同功率沉积的氧化钒薄膜均为非晶结构,薄膜主要成分为VO_(2)和V_(2)O_(5);随着功率的提高,薄膜的平均粗糙度降低,V_(2)O_(5)的含量升高,进而导致电阻温度系数绝对值也随之增大。 展开更多
关键词 氧化钒薄膜 功率 直流磁控溅射 电阻温度系数
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