采用一种新颖的方法,以聚醚酰亚胺(PEI)为原料,N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)为溶剂,聚乙烯吡咯烷酮(PVP K30)为添加剂,在高压静电场下采用浸没沉淀相转化法制备出荷电纳滤膜。首先研究了铸膜液组成及成膜条件对膜分离性能的影响。得到最佳制...采用一种新颖的方法,以聚醚酰亚胺(PEI)为原料,N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)为溶剂,聚乙烯吡咯烷酮(PVP K30)为添加剂,在高压静电场下采用浸没沉淀相转化法制备出荷电纳滤膜。首先研究了铸膜液组成及成膜条件对膜分离性能的影响。得到最佳制膜条件为:PEI质量分数为22%,静电场强度2 k V,所制备的荷电纳滤膜对聚乙二醇(PEG) 1000的截留率为77. 97%。接下来研究了成膜条件以及铸膜液组成对膜表面切向流动电位(zeta电位)的影响。结果表明,随着静电场强度的升高,zeta电位增大;添加PVP K30浓度过低或过高均导致zeta电位降低,当PVP K30质量分数为6%时,zeta电位最大,为96. 19 m V;添加不同相对分子量的PEG,zeta电位值变化并无明确规律,但添加PEG300、PEG600时,zeta电位值较大,分别为49. 98 m V、41. 51 m V。该研究结果对于进一步开发高性能荷电聚醚酰亚胺纳滤膜具有一定的参考价值。展开更多
文摘采用一种新颖的方法,以聚醚酰亚胺(PEI)为原料,N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)为溶剂,聚乙烯吡咯烷酮(PVP K30)为添加剂,在高压静电场下采用浸没沉淀相转化法制备出荷电纳滤膜。首先研究了铸膜液组成及成膜条件对膜分离性能的影响。得到最佳制膜条件为:PEI质量分数为22%,静电场强度2 k V,所制备的荷电纳滤膜对聚乙二醇(PEG) 1000的截留率为77. 97%。接下来研究了成膜条件以及铸膜液组成对膜表面切向流动电位(zeta电位)的影响。结果表明,随着静电场强度的升高,zeta电位增大;添加PVP K30浓度过低或过高均导致zeta电位降低,当PVP K30质量分数为6%时,zeta电位最大,为96. 19 m V;添加不同相对分子量的PEG,zeta电位值变化并无明确规律,但添加PEG300、PEG600时,zeta电位值较大,分别为49. 98 m V、41. 51 m V。该研究结果对于进一步开发高性能荷电聚醚酰亚胺纳滤膜具有一定的参考价值。
