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坩埚下降法生长钨酸镉闪烁单晶的晶体缺陷
被引量：
4
1
作者
陈红兵
沈琦
+4 位作者
方奇术
肖华平
王苏静
梁哲
蒋成勇
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期829-833,共5页
采用坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过光学显微镜、电子探针观察分析了所获CdWO4单晶的典型晶体缺陷,包括晶体开裂、丝状包裹物和晶体黑化。结果表明,CdWO4单晶存在显著的解理特性,常出现因热应力导致的沿(010)解理面的晶体开裂;...
采用坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过光学显微镜、电子探针观察分析了所获CdWO4单晶的典型晶体缺陷,包括晶体开裂、丝状包裹物和晶体黑化。结果表明,CdWO4单晶存在显著的解理特性,常出现因热应力导致的沿(010)解理面的晶体开裂;当采用富镉多晶料进行单晶生长时,所获单晶棒的下部常出现沿轴向分布的丝状包裹物,电子探针分析证实这种丝状包裹物是熔体内过量CdO沉积所致;在氮气氛中进行高温退火处理,CdWO4单晶还会出现黑化现象。
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关键词
钨酸镉
晶体生长
坩埚下降法
晶体缺陷
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职称材料
非真空密闭条件下的Ce3＋：LiYF4晶体生长
被引量：
1
2
作者
徐方
方奇术
+3 位作者
王苏静
武安华
蒋成勇
陈红兵
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期813-817,共5页
本文报道了氟化物激光晶体Ce3+∶LiYF4的坩埚下降法生长工艺。以高纯氟化物LiF、YF3和CeF3为初始试剂,按照LiF∶YF3∶CeF3=51.5∶47.5∶1.0的物质的量比配料,经高温氟化处理合成严格无水的Ce3+∶LiYF4多晶料。将Ce3+∶LiYF4多晶料密封...
本文报道了氟化物激光晶体Ce3+∶LiYF4的坩埚下降法生长工艺。以高纯氟化物LiF、YF3和CeF3为初始试剂,按照LiF∶YF3∶CeF3=51.5∶47.5∶1.0的物质的量比配料,经高温氟化处理合成严格无水的Ce3+∶LiYF4多晶料。将Ce3+∶LiYF4多晶料密封于铂坩埚中,添加少量聚四氟乙烯粉末,可避免氟化物熔体的氧化与挥发,从而在非真空条件下实现Ce3+∶LiYF4晶体的坩埚下降法生长,成功生长出尺寸达28 mm×70 mm的无色透明完整单晶。采用XRD、差热/热重分析、透射光谱和荧光光谱对Ce3+∶LiYF4单晶基本性质的进行表征。结果表明,该晶体在320~3000 nm区域内的光透过率达90%以上,晶体在297 nm处有一强吸收峰;荧光光谱显示晶体在紫外光区310nm、325 nm处有两个强发射峰。
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关键词
激光晶体
Ce3+∶LiYF4
氟化处理
晶体生长
坩埚下降法
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职称材料
坩埚下降法生长弛豫铁电晶体PIMNT的单晶性表征
3
作者
梁哲
陈红兵
+3 位作者
方奇术
王西安
李振荣
徐卓
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期318-322,337,共6页
采用固相合成法制备PIMNT多晶料,通过垂直坩埚下降法生长出大尺寸PIMNT晶体;从晶体原坯不同部位切取系列晶片,应用X射线衍射旋转定向测试法,获得这些晶片的常规扫描图和蝴蝶图,从而对PIMNT晶体的单晶性做出分析表征。X射线粉末衍射分析...
采用固相合成法制备PIMNT多晶料,通过垂直坩埚下降法生长出大尺寸PIMNT晶体;从晶体原坯不同部位切取系列晶片,应用X射线衍射旋转定向测试法,获得这些晶片的常规扫描图和蝴蝶图,从而对PIMNT晶体的单晶性做出分析表征。X射线粉末衍射分析表明PIMNT晶体为钙钛矿结构,系列晶片的常规扫描图显示整个晶体轴向自下至上均呈[111]结晶学方向,其蝴蝶图所示晶体的取向分散度为1.2°-1.5°,这些结果证实了所生长PIMNT晶体的单晶性。
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关键词
PIMNT单晶
晶体生长
X射线衍射
单晶性
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职称材料
题名
坩埚下降法生长钨酸镉闪烁单晶的晶体缺陷
被引量：
4
1
作者
陈红兵
沈琦
方奇术
肖华平
王苏静
梁哲
蒋成勇
机构
宁波大学材料科学与工程研究所 宁波市新型功能材料及其制备科学国家重点实验室培育基地
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期829-833,共5页
基金
浙江省自然科学基金(Y4090057)
宁波市自然科学基金(No.2009610016)
+1 种基金
宁波大学科研基金(xkl09074),宁波大学王宽诚幸福基金
宁波市新型光电功能材料及器件创新团队(2009B21007)
文摘
采用坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过光学显微镜、电子探针观察分析了所获CdWO4单晶的典型晶体缺陷,包括晶体开裂、丝状包裹物和晶体黑化。结果表明,CdWO4单晶存在显著的解理特性,常出现因热应力导致的沿(010)解理面的晶体开裂;当采用富镉多晶料进行单晶生长时,所获单晶棒的下部常出现沿轴向分布的丝状包裹物,电子探针分析证实这种丝状包裹物是熔体内过量CdO沉积所致;在氮气氛中进行高温退火处理,CdWO4单晶还会出现黑化现象。
关键词
钨酸镉
晶体生长
坩埚下降法
晶体缺陷
Keywords
CdWO4
crystal growth
Bridgman method
crystal defects
分类号
O77 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
非真空密闭条件下的Ce3＋：LiYF4晶体生长
被引量：
1
2
作者
徐方
方奇术
王苏静
武安华
蒋成勇
陈红兵
机构
宁波大学
材料
科学与
工程
研究所
中国
科学
院上海硅酸盐
研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期813-817,共5页
基金
宁波市自然科学基金项目(No.2009A610012)
浙江省高校中青年学科带头人项目
宁波大学王宽诚幸福基金资助项目
文摘
本文报道了氟化物激光晶体Ce3+∶LiYF4的坩埚下降法生长工艺。以高纯氟化物LiF、YF3和CeF3为初始试剂,按照LiF∶YF3∶CeF3=51.5∶47.5∶1.0的物质的量比配料,经高温氟化处理合成严格无水的Ce3+∶LiYF4多晶料。将Ce3+∶LiYF4多晶料密封于铂坩埚中,添加少量聚四氟乙烯粉末,可避免氟化物熔体的氧化与挥发,从而在非真空条件下实现Ce3+∶LiYF4晶体的坩埚下降法生长,成功生长出尺寸达28 mm×70 mm的无色透明完整单晶。采用XRD、差热/热重分析、透射光谱和荧光光谱对Ce3+∶LiYF4单晶基本性质的进行表征。结果表明,该晶体在320~3000 nm区域内的光透过率达90%以上,晶体在297 nm处有一强吸收峰;荧光光谱显示晶体在紫外光区310nm、325 nm处有两个强发射峰。
关键词
激光晶体
Ce3+∶LiYF4
氟化处理
晶体生长
坩埚下降法
Keywords
laser crystal
Ce3＋：LiYF4
fluoridation process
crystal growth
Bridgman method
分类号
O782 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
坩埚下降法生长弛豫铁电晶体PIMNT的单晶性表征
3
作者
梁哲
陈红兵
方奇术
王西安
李振荣
徐卓
机构
宁波大学
材料
科学与
工程
研究所
西安交通
大学
电子
材料
研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期318-322,337,共6页
基金
浙江省科技计划优先主题(2009C11144)
宁波市自然科学基金(2009610012)
文摘
采用固相合成法制备PIMNT多晶料,通过垂直坩埚下降法生长出大尺寸PIMNT晶体;从晶体原坯不同部位切取系列晶片,应用X射线衍射旋转定向测试法,获得这些晶片的常规扫描图和蝴蝶图,从而对PIMNT晶体的单晶性做出分析表征。X射线粉末衍射分析表明PIMNT晶体为钙钛矿结构,系列晶片的常规扫描图显示整个晶体轴向自下至上均呈[111]结晶学方向,其蝴蝶图所示晶体的取向分散度为1.2°-1.5°,这些结果证实了所生长PIMNT晶体的单晶性。
关键词
PIMNT单晶
晶体生长
X射线衍射
单晶性
Keywords
PIMNT single crystal
crystal growth
X-ray diffraction
mono-crystallinity
分类号
O77 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
坩埚下降法生长钨酸镉闪烁单晶的晶体缺陷
陈红兵
沈琦
方奇术
肖华平
王苏静
梁哲
蒋成勇
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
4
在线阅读
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职称材料
2
非真空密闭条件下的Ce3＋：LiYF4晶体生长
徐方
方奇术
王苏静
武安华
蒋成勇
陈红兵
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
坩埚下降法生长弛豫铁电晶体PIMNT的单晶性表征
梁哲
陈红兵
方奇术
王西安
李振荣
徐卓
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
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