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LaCl_3:Ce^(3+)晶体生长用无水氯化镧的制备 被引量:3
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作者 陈红兵 周昌勇 +2 位作者 杨培志 蒋成勇 潘建国 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期686-691,共6页
本文报道了LaC l3:Ce3+晶体生长用无水氯化镧的氯化焙烧脱水制备方法。应用差热/热重分析研究了LaC l3.7H2O的脱水过程,以寻求避免发生水解反应的有效途径;以LaC l3.7H2O为初始原料,采用氯化氢保护下的焙烧脱水处理进行无水氯化镧的制备... 本文报道了LaC l3:Ce3+晶体生长用无水氯化镧的氯化焙烧脱水制备方法。应用差热/热重分析研究了LaC l3.7H2O的脱水过程,以寻求避免发生水解反应的有效途径;以LaC l3.7H2O为初始原料,采用氯化氢保护下的焙烧脱水处理进行无水氯化镧的制备,通过系列实验掌握了氯化焙烧脱水处理的最佳工艺条件;为验证所制备无水氯化镧的纯度,采用该原料进行了LaC l3:Ce3+单晶生长。结果表明,在氯化焙烧脱水处理过程中,保持通入足量干燥氯化氢气体,控制焙烧温度于220~230℃,经过6~7h焙烧处理,能够制备出较高纯度的无水氯化镧,所获原料可成功地用于生长无色透明的LaC l3:Ce3+单晶。 展开更多
关键词 无水氯化镧 焙烧 脱水 晶体生长
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