AgO_x掩膜的制备和性能研究 被引量：1

1

作者 张约品 阮昊 +1 位作者 沈德芳 干福熹 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期156-157,共2页

磁控反应溅射制备了AgOx掩膜,用聚焦激光热效应装置测得的光透过特性,分析了AgOx掩膜的开关性能。结果表明,AgOx 掩膜在较低的温度作用下有良好的开关性能,反应AgOx Ag+O2可逆,适用于LSC-super-RENS光盘。用X-ray和TEM分析了热处理后的A... 磁控反应溅射制备了AgOx掩膜,用聚焦激光热效应装置测得的光透过特性,分析了AgOx掩膜的开关性能。结果表明,AgOx 掩膜在较低的温度作用下有良好的开关性能,反应AgOx Ag+O2可逆,适用于LSC-super-RENS光盘。用X-ray和TEM分析了热处理后的AgOx薄膜的成分结构,表明200℃热处理AgOx掩膜存在纳米量级Ag颗粒。 展开更多

关键词 磁控反应溅射 AgOx掩膜 聚焦激光热效应 开关性能 制备 光盘

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坩埚下降法生长近化学计量比Cr∶LiNbO_3晶体及光谱研究 被引量：1

2

作者 王金浩 张约品 +1 位作者 夏海平 陈红兵 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B06期18-22,共5页

以K2O为助熔剂,在较大的温度梯度(60～80℃/cm)条件下进行引种和晶体生长,应用坩埚下降法技术生长了Cr3+掺杂的近化学计量比的LiNbO3晶体。采用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)分析了晶体的主要成分,其中Cr3+、Li2O、Nb2O3的... 以K2O为助熔剂,在较大的温度梯度(60～80℃/cm)条件下进行引种和晶体生长,应用坩埚下降法技术生长了Cr3+掺杂的近化学计量比的LiNbO3晶体。采用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)分析了晶体的主要成分,其中Cr3+、Li2O、Nb2O3的含量分别为0.62mol%、49.23mol%和50.15mol%,并在FT-IR谱中观察到了因组分变化引起的OH-伸缩振动的变化。测定了晶体的吸收与发射光谱,观测到Cr3+在晶体中有两个宽且强的吸收带及两个微弱的吸收线,两宽带中心波长分别为480nm与658nm,对应于Cr3+的4A2→4T1与4A2→4T2两个具有相同的总自旋能级之间的跃迁,并观测到了微弱的684nm和728nm的R线吸收。同时测定了Cr3+∶LiNbO3晶体在670nm激发下的荧光光谱,是由4T2→4A2跃起所产生的850～1150nm的宽带荧光发射发光带,此发光带是由于取代Li+与Nb5+格位的Cr3+的4T2→4A2能级跃起的复合发光所致,并计算了该晶体的晶场强度以及Racah参数等。 展开更多

关键词 坩埚下降法 近化学计量比 CR^3+ LINBO3

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GdFeCo/TbFeCo磁超分辨磁光记录薄膜研究

3

作者 张约品 夏海平 +2 位作者 李佐宜 沈德芳 干福熹 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1376-1379,共4页

用磁控溅射法制备了GdFeCo/TbFeCo交换耦合两层薄膜,利用不同温度的克尔磁滞回线和VSM磁滞回线研究了读出层(GdFeCo)变温磁化方向变化过程.结果表明,随温度升高读出层从平面磁化转变为垂直磁化,交换耦合两层薄膜具有中心孔探测磁超分辨... 用磁控溅射法制备了GdFeCo/TbFeCo交换耦合两层薄膜,利用不同温度的克尔磁滞回线和VSM磁滞回线研究了读出层(GdFeCo)变温磁化方向变化过程.结果表明,随温度升高读出层从平面磁化转变为垂直磁化,交换耦合两层薄膜具有中心孔探测磁超分辨的基本性能.转变过程主要受饱和磁化强度(Ms)的影响,在GdFeCo的补偿温度附近,读出层的磁化强度较小,退磁场能也较小,在交换耦合的作用下,使读出层(GdFeCo)的磁化方向发生转变.磁化方向的转变在75℃～125℃的温度范围内变化较快. 展开更多

关键词 磁光记录 磁超分辨 交换耦合两层薄膜 磁化

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NiFeMnO4系列热敏电阻的溶胶-凝胶制备技术研究 被引量：2

4

作者 梅春明 夏海平 +2 位作者 张约品 李抒智 徐军 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第F11期170-172,共3页

用溶胶-凝胶（Sol-gel）技术以及柠檬酸自燃方法制备了NiMn2.0-xFexO4（x=0、0．1、0．15、0．2、0．3）纳米氧化物粉体，并将得到的超细粉体进行压片、烧结、封装等工艺制得热敏电阻。用XRD、SEM、电阻测量等手段表征了烧结体材料的晶... 用溶胶-凝胶（Sol-gel）技术以及柠檬酸自燃方法制备了NiMn2.0-xFexO4（x=0、0．1、0．15、0．2、0．3）纳米氧化物粉体，并将得到的超细粉体进行压片、烧结、封装等工艺制得热敏电阻。用XRD、SEM、电阻测量等手段表征了烧结体材料的晶相、微观形貌以及电阻性能。电阻测量结果表明：随着铁离子的增加，所得热敏电阻的阻值增大。在所有获得的材料中，其灵敏度B值大于4300K，可认为是一种具有实际应用价值的负系数热敏电阻。 展开更多

关键词 NiMn2.0-xFexO4 NTC热敏电阻 溶胶-凝胶法 柠檬酸自燃方法

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Yb：YAG微晶玻璃的制备与光谱特性 被引量：5

5

作者 张约品 夏海平 +2 位作者 张新民 王金浩 姜淳 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1307-1312,共6页

高温熔制摩尔组分为32CaO-12Y_2O_3-24Al_2O_3-31SiO_2-1Yb_2O_3的玻璃,制得的玻璃于950、1050、1100℃三个不同温度进行热处理,用XRD分析热处理后样品的相变,用TEM观察1050℃热处理后的样品,并研究了1050℃热处理前后样品的光谱特性．... 高温熔制摩尔组分为32CaO-12Y_2O_3-24Al_2O_3-31SiO_2-1Yb_2O_3的玻璃,制得的玻璃于950、1050、1100℃三个不同温度进行热处理,用XRD分析热处理后样品的相变,用TEM观察1050℃热处理后的样品,并研究了1050℃热处理前后样品的光谱特性．研究结果表明：玻璃在1050℃热处理后,在玻璃中产生单一YAG相微晶颗粒；热处理前后样品光谱特性的变化表明热处理后掺杂的Yb^(3+)离子择优进入到YAG晶格位,制备得到了透明Yb：YAG微晶玻璃． 展开更多

关键词 镱 钇铝石榴石 微晶玻璃 制备 光谱特性

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ICP与吸收光谱测定LiNbO_3,Zn:LiNbO_3晶体中Cr^(3+)离子的分布及有效分凝系数 被引量：2

6

作者 夏海平 王金浩 +3 位作者 曾宪林 章践立 张新民 聂秋华 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期960-963,共4页

应用坩埚下降法生长了掺杂Cr与双掺杂Cr,Zn的LiNbO3晶体。测定了掺杂晶体不同部位的吸收系数。用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法测定了Cr离子在LN晶体中的浓度,并计算了Cr离子在LiNbO3晶体中的有效分凝系数。研究结果表明:在单掺... 应用坩埚下降法生长了掺杂Cr与双掺杂Cr,Zn的LiNbO3晶体。测定了掺杂晶体不同部位的吸收系数。用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)法测定了Cr离子在LN晶体中的浓度,并计算了Cr离子在LiNbO3晶体中的有效分凝系数。研究结果表明:在单掺杂Cr的LiNbO3晶体中,随着Cr3+ 掺杂浓度从0 1增加到0 5mol%时,其有效分凝系数从3 75减少到2 4 9,Cr3+ 离子在晶体中的浓度分布差异逐步减少;ZnO的掺入能有效地减少Cr3+ 的分凝系数,然而ZnO掺杂浓度从3增加到6mol%时,其有效分凝系数且从1 85增加到2 2 5。可从ZnO组分对Cr离子的排斥作用及Zn离子在LN晶体中随掺杂数量变化的分凝现象解释了产生Cr离子浓度及有效分凝系数变化的原因。 展开更多

关键词 铌酸锂晶体 氧化锌 铬离子 吸收光谱 电感耦合等离子体原子发射光谱 有效分凝系数

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二氯硅酞菁染料在SiO_2介质中的掺入及光学效应 被引量：3

7

作者 章践立 王金浩 夏海平 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第2期69-71,共3页

用溶胶-凝胶低温合成非晶态技术,成功地把二氯硅酞菁染料掺入到SiO_2无机凝胶介质中。对材料的吸收特性作了测定与讨论。用脉宽8ns,波长532nm的Nd^(3+):YAG激光对凝胶固体材料的光限幅效应作了初步的研究。

关键词 光学限幅器 二氯硅钛菁 光限幅 SiO2介质 染料 二氧化硅介质 光学效应

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卟啉掺杂MEH-PPV的发光性能 被引量：3

8

作者 吴俊 钟国伦 +2 位作者 孙建中 王金浩 夏海平 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期259-263,共5页

研究了在聚(2-甲氧基,5-(2′乙基-己氧基)-对苯乙炔)(MEH-PPV)中掺杂不同质量分数的四对甲基苯基卟啉(TTP)薄膜材料的光致发光和电致发光性能,结果表明,在这个复合体系中存在着从MEH-PPV到TTP的Frster能量转移,从而导致了强的TTP的饱和... 研究了在聚(2-甲氧基,5-(2′乙基-己氧基)-对苯乙炔)(MEH-PPV)中掺杂不同质量分数的四对甲基苯基卟啉(TTP)薄膜材料的光致发光和电致发光性能,结果表明,在这个复合体系中存在着从MEH-PPV到TTP的Frster能量转移,从而导致了强的TTP的饱和红光发射。另一方面,在电致发光中TTP的发射除了来自于从MEH-PPV的能量转移外,还来自于自身对载流子的捕获,TTP掺杂的MEH-PPV组成的薄膜复合材料的光致发光和电致发光过程遵循不同的机理。 展开更多

关键词 有机电致发光 卟啉 能量转移

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掺Eu^(3+)近化学计量比铌酸锂晶体的生长与光谱特性 被引量：1

9

作者 万云涛 夏海平 +1 位作者 张嗣春 章践立 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期112-115,共4页

以K2O为助熔剂,采用大的固液界面温度梯度(90～100℃),应用坩埚下降法成功地生长了含Eu3+离子(原料中初始Eu3+摩尔浓度0。95%)的近化学计量比铌酸锂单晶。测定了晶体中Eu3+离子的浓度以及晶体的室温吸收光谱、激发与发射光谱。根据晶体... 以K2O为助熔剂,采用大的固液界面温度梯度(90～100℃),应用坩埚下降法成功地生长了含Eu3+离子(原料中初始Eu3+摩尔浓度0。95%)的近化学计量比铌酸锂单晶。测定了晶体中Eu3+离子的浓度以及晶体的室温吸收光谱、激发与发射光谱。根据晶体吸收边的位置,估算出晶体中Li2O的摩尔分数含量为约49.47%。分别在吸收光谱与激发光谱中观测到特征的Eu3+吸收与激发峰。在394nm波长光的激发下观测到5 D0—7FJ(0,1,2,3,4)的荧光发射峰。根据测得的不同部位Eu3+离子的浓度与不同部位晶片的吸收和发射峰的强度情况,可推断出Eu3+离子浓度在晶体中的分布沿着生长方向逐渐减少。根据测得的Eu3+浓度,计算得到有效分凝系数为约1.02。 展开更多

关键词 Eu3+离子 K2O 近化学计量比铌酸锂 坩埚下降法 光谱

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掺Bi的GeO_2-Al_2O_3-Na_2O玻璃的热学和光学性质 被引量：1

10

作者 王雪俊 夏海平 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期309-312,共4页

用高温熔融法制备了96GeO-(3-χ)Al2O3-χNa2O-1NaBiO3(将χ分别为0,0.5,1.5的玻璃命名为A1,A2,A3)和96GeO-(3.5-ψ)Al2O3-ψNa2O-0.5Bi2O3(将ψ分别为0,0.5,2的玻璃命名为B1,B2,B3)玻璃。观察到样品在1220 nm处(800 nm激光二极管激发)... 用高温熔融法制备了96GeO-(3-χ)Al2O3-χNa2O-1NaBiO3(将χ分别为0,0.5,1.5的玻璃命名为A1,A2,A3)和96GeO-(3.5-ψ)Al2O3-ψNa2O-0.5Bi2O3(将ψ分别为0,0.5,2的玻璃命名为B1,B2,B3)玻璃。观察到样品在1220 nm处(800 nm激光二极管激发)的超宽带发光特性(半高宽约250 nm)。结果表明,以NaBiO3形式引入Bi5+到玻璃原料中比以Bi2O3形式引入Bi3+到原料中得到的玻璃在1220 nm处的发光强度大4.6倍,且荧光寿命和荧光半高宽也分别从280μs和195 nm增加到了434μs和275 nm。从A3,A2和A1的吸收边带的红移可初步推断出A3,A2及A1玻璃中Bi5+的含量逐步增加。总结吸收光谱与发射光谱的变化规律,认为Bi离子近红外高发射强度和宽荧光半高宽是由Bi5+的发光引起的。在两组玻璃中,热稳定性以及荧光发射截面积与荧光寿命的乘积值和荧光发射截面积与荧光半高宽的乘积值随着Na2O含量的增加而增加。 展开更多

关键词 Bi掺杂玻璃 荧光半高宽 超宽带发光 荧光发射截面 吸收边带

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掺杂ZnO-Al2O3-SiO2微晶玻璃的研制及吸收光谱特性

11

作者 王洪影 夏海平 +1 位作者 章践立 王金浩 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期479-482,共4页

在ZnO-Al2O3-SiO2系统玻璃中掺入少量晶核剂TiO2,再掺入过渡金属离子和稀土离子,在高温下熔制得到透明母体玻璃.对上述玻璃进行晶化热处理,最后得到透明微晶玻璃.测定了晶化前后玻璃的密度与硬度变化.用差热分析(DTA)确定晶化温度,用X... 在ZnO-Al2O3-SiO2系统玻璃中掺入少量晶核剂TiO2,再掺入过渡金属离子和稀土离子,在高温下熔制得到透明母体玻璃.对上述玻璃进行晶化热处理,最后得到透明微晶玻璃.测定了晶化前后玻璃的密度与硬度变化.用差热分析(DTA)确定晶化温度,用X射线粉末衍射确定微晶相,并用透射电镜观察了晶相的形貌.测定并讨论了所得微晶玻璃在紫外波段至近红外波段的吸收光谱特性.研究结果表明:微晶化后的密度与硬度都增大.掺杂于微晶玻璃中的Cr离子和Co离子的吸收光谱在微晶前后发生较大差异,而其余均未明显变化,这一现象归属于掺杂离子所处的不同位置所致. 展开更多

关键词 微晶玻璃 吸收光谱 ZnO-Al2O3-SiO2 过渡离子 稀土离子

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Zn,Co双掺杂近化学计量比LiNbO_3晶体的生长及性能

12

作者 夏海平 张嗣春 +1 位作者 王金浩 章践立 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1063-1067,共5页

以K2O为助熔剂,应用坩埚下降法生长出了Co2+初始浓度为0.5mol%,以及ZnO分别为3mol%与6mol%的单掺与双掺杂SLN晶体(分别用SLN0,SLN3,SLN6表示)。测定了晶体上下部位的吸收与发射光谱。在晶体的吸收光谱中均可观察到520nm,549nm,612nm,144... 以K2O为助熔剂,应用坩埚下降法生长出了Co2+初始浓度为0.5mol%,以及ZnO分别为3mol%与6mol%的单掺与双掺杂SLN晶体(分别用SLN0,SLN3,SLN6表示)。测定了晶体上下部位的吸收与发射光谱。在晶体的吸收光谱中均可观察到520nm,549nm,612nm,1447nm四个吸收峰,表明Co2+处于晶体的八面体场中。ZnO的掺入明显地改变了吸收峰的相对强度。在520nm光的激发下,观察到776nm的荧光发射,其荧光强度的相对强弱也与ZnO的掺杂量有明显的联系。从吸收边带估算出SLN0,SLN3,SLN6晶体中Li2O的含量分别为49.06mol%,49.28mol%,49.10mol%。ZnO的掺杂量对Co2+在铌酸锂晶体中的浓度分布有很大的影响作用,当ZnO的掺入量为3mol%时,明显地抑制了Co2+在LiNbO3晶体中的掺入,当ZnO掺杂量达到6mol%时,抑制作用减弱。本文从Zn2+在LiNbO3中随浓度变化的分凝情况以及对Co2+的排斥作用解释了Co2+在晶体中的分布特性以及光谱的变化情况。 展开更多

关键词 近化学计量比LiNbO3 助熔剂坩埚下降法 光谱

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坩埚下降法生长的LiNbO_3,Fe∶LiNbO_3,Zn∶Fe∶LiNbO_3单晶的吸收光谱特性

13

作者 曾宪林 王金浩 +4 位作者 夏海平 章践立 宋宏伟 张家骅 姚连增 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期435-440,共6页

用紫外可见光谱 (UV/VisibleSpectra)测试并研究了坩埚下降法生长的LiNbO3 、Fe∶LiNbO3 ,以及Zn∶Fe∶LiN bO3 晶体的吸收特性。分析了产生这些吸收特性的原因以及与工艺生长方法的内在联系。研究结果表明 :LiNbO3 单晶沿晶体生长方向 ... 用紫外可见光谱 (UV/VisibleSpectra)测试并研究了坩埚下降法生长的LiNbO3 、Fe∶LiNbO3 ,以及Zn∶Fe∶LiN bO3 晶体的吸收特性。分析了产生这些吸收特性的原因以及与工艺生长方法的内在联系。研究结果表明 :LiNbO3 单晶沿晶体生长方向 ,其紫外吸收边向长波方向移动 ,且在 35 0～ 4 5 0nm波段的吸收也逐渐增大 ,这是由于Li的分凝与挥发 ,逐渐产生缺锂所造成的 ;在Fe∶LiNbO3 单晶中观察到Fe2 + 离子在 4 80nm附近的特征吸收峰 ,并发现沿生长方向 ,Fe2 + 离子的浓度逐渐增加 ,这与提拉法生长得到的晶体不同 ;在Fe∶LiNbO3 单晶中掺入质量分数为 1.7%ZnO后 ,吸收边位置发生蓝移 ,而掺杂质量分数达到 3.4 %时 ,观察到有红移现象。Fe2 + 离子在Zn∶Fe∶LiNbO3 单晶中的浓度与ZnO掺杂量有密切关系。在掺杂质量分数 1.7%ZnO的Fe∶LiNbO3 单晶中 ,Fe2 + 离子从底部到顶部的浓度变化比在掺杂质量分数 3.4 %ZnO晶体中大 ,这是由于Zn2 + 抑制Fe2 + 离子进入Li位的能力随掺杂量的增加而逐渐减弱造成的。就该下降法工艺技术对Fe2 + 展开更多

关键词 铌酸锂晶体 吸收光谱 坩埚下降法

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不同化学组分对CaCu_3Ti_4O_(12)介电陶瓷性能的影响

14

作者 金淑华 夏海平 章践立 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第F11期186-188,共3页

用溶胶-凝胶（Sol-gel）技术制备了掺杂5％、10％的Ca、Cu及Ti化学组分的化合物CaCu3Ti4O12系列纳米粉体并后续烧结成多晶陶瓷。用XRD、SEM手段表征了烧结体的晶相和微观形貌。通过研究样品的介电性能，发现系列金属离子的掺杂几乎没有... 用溶胶-凝胶（Sol-gel）技术制备了掺杂5％、10％的Ca、Cu及Ti化学组分的化合物CaCu3Ti4O12系列纳米粉体并后续烧结成多晶陶瓷。用XRD、SEM手段表征了烧结体的晶相和微观形貌。通过研究样品的介电性能，发现系列金属离子的掺杂几乎没有改善样品的介电性能。实验研究表明，经1000℃烧结、保温2h严格按照化学组分配制的CaCu3Ti4O12介电陶瓷的致密性好、晶粒均匀，具有良好的介电性能，室温下在10^2～10^5Hz宽频范围，介电常数ε达到～10^4，介电损耗低于～0.15。 展开更多

关键词 CaCu3Ti4O12溶胶-凝胶 掺杂 介电性能

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