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题名钽掺杂FTO薄膜的制备及其光学电学性能的影响
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作者
吴宝棋
付晨
刘起英
史国华
王智浩
赵洪力
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机构
燕山大学亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室
威海中玻新材料研发有限公司
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出处
《功能材料》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第7期7183-7190,共8页
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基金
国家自然科学基金项目(52172105)。
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文摘
采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)以单丁基氯化锡(MBTC)为锡源、氟化铵(NH 4F)为氟源、甲醇做溶剂、五氯化钽(TaCl_(5))为钽源在钠钙玻璃上成功沉积Ta掺杂的FTO(TFTO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、X光电子能谱(XPS)、分光光度计、霍尔效应测试仪等设备分析了薄膜的物相组成、微观形貌、光学性能、电学性能和低辐射性能。结果表明,钽掺杂的FTO薄膜具有四方金红石结构,为N型半导体。当Ta/Sn为1%(原子比分数)时,可见光区段透射比T为74.18%、电阻率ρ为2.78×10^(-4)Ω·cm、载流子浓度n为1.44×10^(21)cm^(-3)、迁移率μ为18.73 cm^(2)/V·s、红外反射率R IR为94%、辐射率ε为0.12。
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关键词
FTO薄膜
钽掺杂
AACVD
光学性能
电学性能
低辐射性能
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Keywords
FTO film
tantalum-doped
AACVD
optical property
electrical property
low-E
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分类号
TB43
[一般工业技术]
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题名镍掺杂对FTO薄膜光电性能的影响及机理分析
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作者
吴宝棋
张琴
刘起英
史国华
赵洪力
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机构
燕山大学材料科学与工程学院亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室
威海中玻新材料技术研发有限公司
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出处
《硅酸盐通报》
CAS
北大核心
2023年第9期3379-3386,共8页
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基金
国家自然科学基金(52172105)
泰山产业领军人才工程。
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文摘
本文以单丁基三氯化锡(MBTC)为锡源,氟化铵(NH_(4)F)为氟源,甲醇为溶剂,六水合氯化镍(NiCl_(2)·6H_(2)O)为镍源,采用气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)制备了镍掺杂FTO薄膜。利用分光光度计、四探针电阻仪及霍尔效应测试仪对镍掺杂FTO薄膜的光学性能、电学性能进行表征和分析,并基于第一性原理对掺杂体系的电子结构进行了计算。结果表明,Ni掺杂的FTO薄膜为四方金红石结构,导电性能有所提高。当Ni/Sn为2%(原子数分数)时,品质因数Φ_(TC)达到3×10^(-2)Ω^(-1),电阻率ρ为3.79×10^(-4)Ω·cm,可见光平均透过率约为80%,载流子浓度n为6.88×10^(20)cm^(-3),迁移率μ为13.31 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)。
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关键词
镍掺杂
FTO薄膜
气溶胶辅助化学气相沉积
电学性质
第一性原理
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Keywords
Ni-doping
FTO thin film
AACVD
electrical property
first principle
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分类号
TB43
[一般工业技术]
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