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题名废旧纺织品的再利用
被引量：75
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作者
史晟
戴晋明
牛梅
蔡智锋
侯文生
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机构
太原理工大学轻纺工程与美术学院
太原理工大学新材料研究中心
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出处
《纺织学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第11期147-152,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(50943027)
山西省教育厅科技开发项目(20090010)
山西省重点实验室开放基金资助项目(2009011059-14)
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文摘
从废旧纺织品的多样性和复杂性以及现有的技术手段入手,综述了近年来废旧纺织品的4种循环再利用方法:即机械法、化学法、物理法和热能法,阐述了各方法的研究现状,并分析了各自的优缺点。结合我国目前废旧纺织品循环利用体系中所存在的意识薄弱、技术落后、政策导向缺失等问题,提出了增强意识、加快研发、政策支持等一系列可行性建议,为进一步推动纺织品的循环利用研究提供一定参考和借鉴作用。
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关键词
废旧纺织品
资源
污染
回收再利用
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Keywords
waste textile
resources
pollution
recovery and reuse
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分类号
TS102.9
[轻工技术与工程—纺织工程]
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题名SiC/SiO_2界面的原子分辨率三维重构
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作者
刘培植
许并社
郭俊杰
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机构
太原理工大学新材料工程研究中心
太原理工大学教育部新材料界面与工程重点实验室
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出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2015年第5期371-376,共6页
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基金
山西省青年科技研究基金资助项目(No.2015021071)
山西省国际科技合作计划(No.2015081045)
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文摘
碳化硅(Si C)作为一种新型材料被广泛应用于高功率半导体器件中。目前的Si C基金属氧化物半导体场效应晶体管器件存在的主要问题是沟道电子迁移率低。Si C/Si O2界面处的过渡层被认为是造成沟道电子迁移率低的主要原因,但是该过渡层的原子结构尚不清楚。本文利用球差矫正扫描透射电子显微镜深入研究了Si C/Si O2的界面。以变聚焦序列技术得到了界面过渡层不同深度的原子分辨率断层扫描图像,用变聚焦序列图像重构了界面的原子分辨率三维结构。精确的界面原子结构表明Si C/Si O2界面处的过渡区是由于邻晶界面上台阶突起和微刻面构成的。它是界面原子尺度的粗糙度的反映。邻晶界面上的台阶突起和微刻面增加了电子在界面传输过程中的散射几率,造成了沟道电子迁移率过低。
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关键词
扫描透射显微镜
变聚焦图像序列
三维重构
界面
沟道电子迁移率
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Keywords
STEM
through-focal series
3D reconstruction
interface
channel electron mobility
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分类号
TN304.2
[电子电信—物理电子学]
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