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题名快速上电响应的硅压阻式压力传感器温漂补偿
被引量：1
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作者
周聪
闫晋平
郭建成
游雨霖
杨振川
高成臣
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机构
北京大学集成电路学院
太原市太航压力测试科技有限公司
北京大学软件与微电子学院
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出处
《传感器与微系统》
北大核心
2025年第4期128-131,136,共5页
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基金
国家重点研发计划资助项目(2022YFB3207000)。
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文摘
温度变化使得硅压阻式压力传感器产生零点漂移和灵敏度漂移,该漂移误差是硅压阻式压力传感误差的主要来源,也导致压阻式压力传感器上电后短时间出现上电热漂移现象,需要一定的预热时间。本文改进了实验测试平台的温控系统,提出了上电热漂移补偿算法,设计了一种具有快速上电响应能力的压阻式压力传感器,能够实现自动化的温度补偿。经测试,温度补偿后,压力传感器的示值误差在0~40℃的温度范围优于0.02%FS。找出了影响上电热漂移的关键因素,对上电后8~60 s满量程输出进行上电热漂补,将上电热漂移由0.012%FS减小到了0.0016%FS,提高了上电快速响应能力。
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关键词
MEMS压力传感器
硅压阻式
上电响应
高精度
温度补偿
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Keywords
MEMS pressure sensor
silicon piezoresistive
power-on response
high precision
temperature com-pensation
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分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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