检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

基于轻量级卷积神经网络的车辆声学识别被引量：2: 1; 作者封慧杰赵红东 +1 位作者于快快刘赫《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第7期136-140,共5页; 车型识别技术对交通监测具有重要意义。针对行驶中车辆的视觉信息易受环境干扰等问题,提出了一种基于ShuffleNet V2的车辆声学特征识别模型S-ShuffleNet,包含对ShuffleNet V2网络深度的缩减以及深度可分离卷积(DSC)中卷积(Conv)核大小... 展开更多; 关键词车型识别声学特征对数梅尔谱图轻量级卷积神经网络环境噪声; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于GaN HEMT的双向DC-DC变换器系统损耗分析被引量：5: 2; 作者高圣伟祁树岭 +2 位作者孙醒涛贺琛董晨名《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2020年第2期61-68,共8页; 为减小氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的全桥双向DC-DC变换器(DAB)系统损耗模型与实际运行损耗所存在的偏差,考虑GaN HEMT中寄生参数对DAB系统动态开关过程的影响,建立了精细化DAB系统损耗模型;在单移相控制(SPS)工作模式下,分析了... 展开更多; 关键词全桥双向DC-DC变换器氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 寄生参数单移相控制损耗分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaN HEMT预充电式驱动电路设计被引量：1: 3; 作者高圣伟段尧文 +2 位作者刘晓明李龙女董晨名《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2020年第1期69-76,共8页; 由于传统驱动电路难以发挥新型器件GaN HEMT的高频优势,为了提高电路工作频率,充分利用GaN HEMT特性,设计了一种适用于该器件的驱动电路。经过对比分析GaN HEMT器件和Si MOSFET器件的寄生参数和工作特性,得出GaN HEMT的特点和对驱动电... 展开更多; 关键词 GaN HEMT 驱动电路预充电箝位; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于GaN全桥LLC谐振变换器交错并联系统的损耗分析被引量：2: 4; 作者高圣伟贺琛 +1 位作者刘赫董晨名《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2021年第2期52-63,共12页; 为提高全桥LLC谐振变换器交错并联(FBLLC-SP)系统的效率,且使其理论损耗与实际运行损耗更贴近,对比Cascode型GaN HEMT向系统引入单体增强型GaN HEMT,并将其寄生参数引入到损耗模型中,建立了一种适用于单移相(SPS)开环控制和三移相(TPS)... 展开更多; 关键词单体增强型GaN HEMT 交错并联全桥LLC谐振变换器寄生参数单移相控制三移相控制损耗分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

双有源桥DC-DC变换器的回流功率优化控制被引量：11: 5; 作者刘赫路鑫 +2 位作者高圣伟董晨名刘海光《电源技术》 CAS 北大核心 2020年第2期277-280,294,共5页; 针对隔离型双有源桥DC-DC变换器在采用传统的单重移相控制时存在较大的回流功率的问题,提出了一种全工况条件下自然分段优化的双重移相控制策略实现回流功率优化控制。通过对双重移相控制下的DAB变换器分析以及数学建模,推导出全工况条... 展开更多; 关键词 DC-DC变换器双重移相控制传输功率回流功率; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于SAPSO算法的集成型三端口变换器回流功率优化被引量：2: 6; 作者董晨名高圣伟 +2 位作者查茜刘赫土洁玉《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2023年第3期64-72,共9页; 占空比加双重移相控制下的交错并联Buck-Boost和双有源全桥集成的三端口变换器功率密度高、工作方式灵活、应用广泛,但是由于控制方式较为复杂,回流功率高也成为其发展的瓶颈。针对该集成型三端口变换器工作过程中存在的功率回流问题,... 展开更多; 关键词集成型三端口变换器模拟退火算法(SA) 模拟退火粒子群算法(SAPSO) 占空比加双重移相控制回流功率; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于轻量级卷积神经网络的红外行人行为识别被引量：4: 7; 作者卢海燕赵红东 +3 位作者王添盟林江耿立新刘赫《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2022年第9期129-131,135,共4页; 基于行人保护系统的行人识别旨在保护交通系统中的行人安全。针对夜间交通场景成像质量差的问题,提出了红外热成像设备在交通系统中的应用,并建立包含骑车、跑、轮滑、走、坐、蹲在内的6类夜间行人数据集。为了适应硬件资源有限且实时... 展开更多; 关键词行人识别红外图像 MobileNet; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于轻量级卷积神经网络的车辆声学识别被引量：2: 1; 作者封慧杰赵红东于快快刘赫; 机构河北工业大学电子信息工程学院光电信息控制和安全技术重点实验室天津金沃能源科技股份有限公司; 出处《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第7期136-140,共5页; 基金天津市科技计划资助项目(21YDTPJC00050) 光电信息控制和安全技术重点实验室基金资助项目(2021JCJQLB055008)。; 文摘车型识别技术对交通监测具有重要意义。针对行驶中车辆的视觉信息易受环境干扰等问题,提出了一种基于ShuffleNet V2的车辆声学特征识别模型S-ShuffleNet,包含对ShuffleNet V2网络深度的缩减以及深度可分离卷积(DSC)中卷积(Conv)核大小的改进,通过提取车辆声信号的对数—梅尔谱图(LMS)特征作为该模型的输入,进行车型识别。同时,将风、雨、雷暴噪声叠加在车辆音频上,以验证不同环境噪声的影响。实验结果表明:该模型参数量少、训练速度快,在VS10数据集上识别精度比基础网络ShuffleNet V2提高2.4%,识别准确率可达97.5%,与不同分类网络相比,S-ShuffleNet也具有良好性能。; 关键词车型识别声学特征对数梅尔谱图轻量级卷积神经网络环境噪声; Keywords vehicle type recognition acoustic feature log-Mel spectrogram(LMS) lightweight convolutional neural network(CNN) environmental noise; 分类号 TP391.42 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于GaN HEMT的双向DC-DC变换器系统损耗分析被引量：5: 2; 作者高圣伟祁树岭孙醒涛贺琛董晨名; 机构天津工业大学电工电能新技术天津市重点实验室天津金沃能源科技股份有限公司; 出处《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2020年第2期61-68,共8页; 基金天津市优秀科技特派员计划资助项目(16JCTPJC46600) 天津市研究生科研创新项目(2019YJSS026)。; 文摘为减小氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的全桥双向DC-DC变换器(DAB)系统损耗模型与实际运行损耗所存在的偏差,考虑GaN HEMT中寄生参数对DAB系统动态开关过程的影响,建立了精细化DAB系统损耗模型;在单移相控制(SPS)工作模式下,分析了GaN HEMT的开关损耗、通态损耗、隔离变压器以及电感损耗,给出了不同工作阶段GaN HEMT的通态损耗、变压器的铜损耗和铁损耗的计算方法;搭建了DAB系统损耗模型仿真系统。实验结果表明:所建立的精细化损耗模型较实验损耗仅差约0.71%,可用于系统实际损耗的分析。; 关键词全桥双向DC-DC变换器氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 寄生参数单移相控制损耗分析; Keywords double active bridge(DAB) gallium nitride high electron mobility transistor(GaN HEMT) parasitic param-eter single phase shift control(SPS) loss analysis; 分类号 TM464 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN HEMT预充电式驱动电路设计被引量：1: 3; 作者高圣伟段尧文刘晓明李龙女董晨名; 机构天津工业大学天津市电工电能新技术重点实验室天津工业大学机械工程学院博士后流动站天津金沃能源科技股份有限公司; 出处《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2020年第1期69-76,共8页; 基金国家自然科学基金重点资助项目（51337001）国家自然科学基金资助项目（51777136）新能源电力系统国家重点实验室联合基金（LAPS16017）; 文摘由于传统驱动电路难以发挥新型器件GaN HEMT的高频优势,为了提高电路工作频率,充分利用GaN HEMT特性,设计了一种适用于该器件的驱动电路。经过对比分析GaN HEMT器件和Si MOSFET器件的寄生参数和工作特性,得出GaN HEMT的特点和对驱动电路的要求;采用LTspice软件仿真,描述该驱动电路低损耗和快速性特征,实现高/低电平箝位功能;通过搭建Boost电路,实验验证预充电式驱动电路的有效性。结果表明:在频率500 kHz、输出电压75 V的工作条件下,该驱动电路与谐振式驱动电路相比损耗下降45.8%,可实现GaN HEMT器件在9 ns内开通、15 ns内关断,比独立拉灌式驱动条件下的开关速度分别提高11 ns和24 ns,更能发挥GaN HEMT高频特性,同时该电路还具有高/低电平箝位功能,提高了电路工作可靠性。; 关键词 GaN HEMT 驱动电路预充电箝位; Keywords GaN HEMT drive circuit precharge clamp; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于GaN全桥LLC谐振变换器交错并联系统的损耗分析被引量：2: 4; 作者高圣伟贺琛刘赫董晨名; 机构天津工业大学天津市电工电能新技术重点实验室天津金沃能源科技股份有限公司; 出处《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2021年第2期52-63,共12页; 基金国家自然科学基金资助项目(51807139) 天津市科技计划资助项目(20YDTPJC01520) 天津市研究生科研创新项目(2019YJSS026)。; 文摘为提高全桥LLC谐振变换器交错并联(FBLLC-SP)系统的效率,且使其理论损耗与实际运行损耗更贴近,对比Cascode型GaN HEMT向系统引入单体增强型GaN HEMT,并将其寄生参数引入到损耗模型中,建立了一种适用于单移相(SPS)开环控制和三移相(TPS)双闭环控制的FBLLC-SP系统精准损耗模型;给出最佳死区时间计算方法,并分析了FBLLC-SP系统在单移相(SPS)开环控制下的理论损耗,提出了不同模态GaN HEMT的暂态损耗和各种通态损耗的精准计算方法;搭建了FBLLC-SP系统损耗模型仿真系统。实验结果表明:本文损耗模型的损耗值比系统实际运行损耗最多高约0.6%,说明本文建立的精细化损耗模型可用于分析系统的实际运行损耗。; 关键词单体增强型GaN HEMT 交错并联全桥LLC谐振变换器寄生参数单移相控制三移相控制损耗分析; Keywords monomer enhanced GaN HEMT staggered parallel full-bridge LLC resonant converter parasitic parameter single phase shift(SPS)control three phase shift(TPS)control loss analysis; 分类号 TM46.1 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双有源桥DC-DC变换器的回流功率优化控制被引量：11: 5; 作者刘赫路鑫高圣伟董晨名刘海光; 机构天津金沃能源科技股份有限公司天津工业大学电工电能新技术天津市重点实验室; 出处《电源技术》 CAS 北大核心 2020年第2期277-280,294,共5页; 基金新能源电力系统国家重点实验室联合基金(LAPS-16017); 文摘针对隔离型双有源桥DC-DC变换器在采用传统的单重移相控制时存在较大的回流功率的问题,提出了一种全工况条件下自然分段优化的双重移相控制策略实现回流功率优化控制。通过对双重移相控制下的DAB变换器分析以及数学建模,推导出全工况条件下自然分段回流功率优化控制策略,借助Matlab仿真软件搭建仿真模型,仿真实验表明全工况自然分段优化控制策略可以有效降低系统回流功率。通过搭建实验电路,验证了优化控制策略的正确性与有效性。; 关键词 DC-DC变换器双重移相控制传输功率回流功率; Keywords DC-DC converter dual phase shift control transmission power reflux power; 分类号 TM131 [电气工程—电工理论与新技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于SAPSO算法的集成型三端口变换器回流功率优化被引量：2: 6; 作者董晨名高圣伟查茜刘赫土洁玉; 机构天津金沃能源科技股份有限公司天津工业大学电气工程学院; 出处《天津工业大学学报》 CAS 北大核心 2023年第3期64-72,共9页; 基金国家自然科学基金青年基金项目(51807139) 天津市科技计划项目(20YDTPJC01520)。; 文摘占空比加双重移相控制下的交错并联Buck-Boost和双有源全桥集成的三端口变换器功率密度高、工作方式灵活、应用广泛,但是由于控制方式较为复杂,回流功率高也成为其发展的瓶颈。针对该集成型三端口变换器工作过程中存在的功率回流问题,分析了回流功率产生原理,建立了此变换器传输功率与回流功率数学模型,得到了回流功率与占空比和移相占空比的关系方程;基于此方程,采用模拟退火粒子群算法对占空比与移相角进行优化。通过运行工况为输入电压100 V、输出电压48 V、开关频率20 kHz的仿真与实验结果表明:所提方法可以实现减小回流功率的目标回流功率减少近13%,与模拟退火算法相比,该方法使集成型三端口变换器的回流功率明显降低。; 关键词集成型三端口变换器模拟退火算法(SA) 模拟退火粒子群算法(SAPSO) 占空比加双重移相控制回流功率; Keywords integrated three-port converter simulated annealing algorithm(SA) simulated annealing particle swarm algorithm(SAPSO) duty cycle plus dual phase shift control reflux power; 分类号 TM46 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于轻量级卷积神经网络的红外行人行为识别被引量：4: 7; 作者卢海燕赵红东王添盟林江耿立新刘赫; 机构河北工业大学电子信息工程学院天津金沃能源科技股份有限公司; 出处《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2022年第9期129-131,135,共4页; 基金光电信息控制和安全技术重点实验室基金资助项目(614210701041705)。; 文摘基于行人保护系统的行人识别旨在保护交通系统中的行人安全。针对夜间交通场景成像质量差的问题,提出了红外热成像设备在交通系统中的应用,并建立包含骑车、跑、轮滑、走、坐、蹲在内的6类夜间行人数据集。为了适应硬件资源有限且实时性要求高的行人保护系统,对MobileNet的深度可分离卷积结构进行改进,网络深度进行缩减得到S-MobileNet。针对夜间红外图像对网络优化器和宽度因子α进行选择。实验结果表明:在采用Nadam优化器和α为1时的S-MobileNet参数量仅为AlexNet的1/75,分类精度可达到96.3%。网络模型在识别精度和参数量上具有优势,更利于部署在嵌入式系统中。; 关键词行人识别红外图像 MobileNet; Keywords pedestrian recognition infrared image MobileNet; 分类号 TP391.4 [自动化与计算机技术—计算机应用技术] TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于轻量级卷积神经网络的车辆声学识别	封慧杰赵红东于快快刘赫	《传感器与微系统》 CSCD 北大核心	2024	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于GaN HEMT的双向DC-DC变换器系统损耗分析	高圣伟祁树岭孙醒涛贺琛董晨名	《天津工业大学学报》 CAS 北大核心	2020	5	在线阅读下载PDF 职称材料
3	GaN HEMT预充电式驱动电路设计	高圣伟段尧文刘晓明李龙女董晨名	《天津工业大学学报》 CAS 北大核心	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于GaN全桥LLC谐振变换器交错并联系统的损耗分析	高圣伟贺琛刘赫董晨名	《天津工业大学学报》 CAS 北大核心	2021	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	双有源桥DC-DC变换器的回流功率优化控制	刘赫路鑫高圣伟董晨名刘海光	《电源技术》 CAS 北大核心	2020	11	在线阅读下载PDF 职称材料
6	基于SAPSO算法的集成型三端口变换器回流功率优化	董晨名高圣伟查茜刘赫土洁玉	《天津工业大学学报》 CAS 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料
7	基于轻量级卷积神经网络的红外行人行为识别	卢海燕赵红东王添盟林江耿立新刘赫	《传感器与微系统》 CSCD 北大核心	2022	4	在线阅读下载PDF 职称材料