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热处理温度对电致变色玻璃用WO_3薄膜性能的影响研究 被引量:1
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作者 樊小伟 徐彩云 梁小平 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期111-113,118,共4页
采用过氧化聚钨酸法制备WO_3溶胶,在ITO导电玻璃基体上采用旋涂法制备WO_3薄膜。主要探讨了退火温度对WO_3薄膜结构与电变色性能、响应时间和循环稳定性的影响。热重和X射线衍射分析结果表明:热处理温度应低于320℃时,WO_3薄膜为非晶态... 采用过氧化聚钨酸法制备WO_3溶胶,在ITO导电玻璃基体上采用旋涂法制备WO_3薄膜。主要探讨了退火温度对WO_3薄膜结构与电变色性能、响应时间和循环稳定性的影响。热重和X射线衍射分析结果表明:热处理温度应低于320℃时,WO_3薄膜为非晶态。在240~320℃范围内,随着热处理温度升高,光密度变化量降低即电致变色性能变差,着-褪色时间延长,而薄膜的循环稳定性越来越好。经320℃退火处理的WO_3薄膜形成晶态,稳定性好,此时该电致变色薄膜的着-褪色响应时间分别为2.76和1.30s。 展开更多
关键词 WO3薄膜 电致变色 响应时间 热处理温度
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TiO_2对V_2O_5离子储存电极薄膜性能的影响 被引量:1
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作者 巫玮珊 梁小平 +6 位作者 王科翔 樊小伟 杨贵祥 陈鹏 王军 张薇 薛胜贤 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期140-145,共6页
采用溶胶-凝胶技术制备出(TiO2)x-V2O5复合离子存储电极薄膜,主要研究了有机、无机Ti源,TiO2掺杂量(x为0、0.05、0.1、0.2、0.3mol)等对V2O5薄膜结构与性能的影响。通过场发射扫描电镜(FE-SEM)、循环伏安测试(CV)、紫外-可见光谱等手段... 采用溶胶-凝胶技术制备出(TiO2)x-V2O5复合离子存储电极薄膜,主要研究了有机、无机Ti源,TiO2掺杂量(x为0、0.05、0.1、0.2、0.3mol)等对V2O5薄膜结构与性能的影响。通过场发射扫描电镜(FE-SEM)、循环伏安测试(CV)、紫外-可见光谱等手段研究了薄膜的表面形貌、电化学性能和光学性能。结果表明,TiO2掺杂降低了V2O5薄膜离子储存容量,采用无机Ti源四氯化钛较有机Ti源钛酸丁酯掺杂的复合薄膜具有更高的可见光透过率以及离子储存容量,与V2O5薄膜相比,透射率增大了20%。随着无机Ti源掺量增多,薄膜离子储存容量降低,但在循环过程中降低趋势减缓并逐渐保持稳定,50次循环后纯V2O5薄膜储存容量降低了25%,掺杂TiO2后平均降低16%,V2O5薄膜循环稳定性有所提高。TiO2掺杂显著降低了V2O5阴极的着色效应,随着TiO2掺量的增加,复合薄膜光透过性增强。 展开更多
关键词 V2O5 离子储存电极薄膜 溶胶-凝胶 TiO2掺杂 Ti源
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平行锚定和正交锚定液晶盒内胆甾相平面态液晶层指向矢排布随温度变化的特征 被引量:1
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作者 张路瑶 马子寒 +2 位作者 李志广 范志新 张得全 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2021年第8期1084-1092,共9页
为了研究胆甾相平面态液晶(Cholesteric liquid crystal with planar texture,CLCPT)层在上下表面取向平行(Parallel anchoring,PA)和上下表面取向垂直(Orthogonal anchoring,OA)两种液晶盒中指向矢排布随温度变化的特征,分别制备了PA... 为了研究胆甾相平面态液晶(Cholesteric liquid crystal with planar texture,CLCPT)层在上下表面取向平行(Parallel anchoring,PA)和上下表面取向垂直(Orthogonal anchoring,OA)两种液晶盒中指向矢排布随温度变化的特征,分别制备了PA和OA两种CLCPT液晶盒样品。构建了由梯形低折射率棱镜、匹配液、CLCPT液晶盒组成的全漏导模结构,采用全漏光学导波(Fully leaky optical guided wave,FLOGW)方法获得了在不同温度下反射率随内角(测试光线入射到CLCPT层上的入射角)变化的导波实验曲线Rss,将其与基于液晶弹性理论和多层光学理论模拟出的同一温度下的理论导波曲线Rss进行拟合,精准分析出在PA和OA盒内,CLCPT指向矢排布随温度变化的特征。此外,应用控制变量法测量出不同温度下胆甾相液晶(Cholesteric liquid crystal,CLC)双折射率实际参数值。 展开更多
关键词 胆甾相液晶 指向矢排列特性 光学导波技术 平面态 温度
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PEO/LiClO_4-(PC)_x-(SiO_2)_y电解质薄膜的制备及性能
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作者 陈鹏 梁小平 +6 位作者 巫玮珊 张颖策 樊小伟 杨贵祥 王军 张薇 薛胜贤 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期153-158,共6页
以聚环氧乙烷(PEO)/高氯酸锂(LiClO_4)为基体材料,碳酸丙烯酯(PC)为增塑剂,正硅酸乙酯(TEOS)水解制得的纳米SiO_2为掺杂相,采用匀胶法制备了PEO/LiClO_4-(PC)_x-(SiO_2)_y电解质薄膜,考察了PC单掺和PC-SiO_2共掺对电解质薄膜微观形貌、... 以聚环氧乙烷(PEO)/高氯酸锂(LiClO_4)为基体材料,碳酸丙烯酯(PC)为增塑剂,正硅酸乙酯(TEOS)水解制得的纳米SiO_2为掺杂相,采用匀胶法制备了PEO/LiClO_4-(PC)_x-(SiO_2)_y电解质薄膜,考察了PC单掺和PC-SiO_2共掺对电解质薄膜微观形貌、电性能和物相结构的影响。结果表明,随着PC掺量的增加,室温下电解质薄膜离子电导率呈现先增加后减小的趋势,PEO/LiClO_4-(PC)0.4电解质薄膜的电导率达到极值6.26×10^(-6)S/cm,与未增塑PEO/LiClO_4薄膜相比提高了66%,表面平整度有所提高但仍存在少量波纹。PC与纳米SiO2共掺时制备的PEO/LiClO_4-(PC)0.4-(SiO_2)0.08电解质薄膜离子电导率达到最高值为1.55×10-5 S/cm,与PEO/LiClO_4-(PC)0.4电解质薄膜极值相比提高了1.5倍,薄膜表面平整。X射线衍射分析表明,PC和纳米SiO_2的加入大大降低了PEO的结晶度,有利于提高电解质薄膜的离子电导率。 展开更多
关键词 聚环氧乙烷 高氯酸锂 碳酸丙烯酯 电解质薄膜 纳米SIO2 离子电导率
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