日本光电子学材料研究的现状与将来

1

作者 魏海岩 《材料导报》 EI CAS CSCD 1992年第4期56-59,共4页

介绍了近几年日本研究人员在光电子学材料方面的研究现状,并着重阐述了日本在液晶材料、太阳电池材料、光纤材料及激光材料研究方面的新进展以及今后欲开发的课题。

关键词 光电子学 材料 日本

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SiC薄膜材料在MEMS中应用的研究进展 被引量：7

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作者 崔梦 胡明 严如岳 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第6期482-484,490,共4页

SiC材料具有极为优良的物理化学性能,以SiC材料替代传统Si材料制成的SiC微电子机械系统(MEMS),克服了SiMEMS本身性能的局限性,可满足在高温、高腐蚀等极端条件下的应用。文章综述了近几年SiC薄膜在MEMS中应用的研究进展,详细讨论了薄膜... SiC材料具有极为优良的物理化学性能,以SiC材料替代传统Si材料制成的SiC微电子机械系统(MEMS),克服了SiMEMS本身性能的局限性,可满足在高温、高腐蚀等极端条件下的应用。文章综述了近几年SiC薄膜在MEMS中应用的研究进展,详细讨论了薄膜的性能、主要制备方法及微机械加工技术在SiCMEMS的应用。最后,分别举例说明SiC薄膜材料在MEMS中作为保护层和结构层应用的研究现状。 展开更多

关键词 SIC 微电子机械系统(MEMS) 保护层 微结构层 应用

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活性碳在电子材料中的应用

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作者 魏海岩 《材料导报》 EI CAS CSCD 1989年第9期19-21,共3页

活性碳是通过碳化有机物而得到的一种具有很强吸附能力的碳素物质,也是一种无味无臭的黑色粉末或黑色颗粒。活性碳作为一种新型功能材料,实际具有很广的应用范围。以往颗粒状活性碳材料主要应用于化学工业方面,如有机溶剂蒸汽回收及处理... 活性碳是通过碳化有机物而得到的一种具有很强吸附能力的碳素物质,也是一种无味无臭的黑色粉末或黑色颗粒。活性碳作为一种新型功能材料,实际具有很广的应用范围。以往颗粒状活性碳材料主要应用于化学工业方面,如有机溶剂蒸汽回收及处理(丙酮、乙醇、乙醚酯、苯和二硫化碳等); 展开更多

关键词 活性炭 电子材料 炭素材料 电容器

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跨入下世纪的微组装用材料 被引量：3

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作者 张忱 张志刚 谢重木 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期12-15,共4页

评述了“跨入下世纪的微组装用基板材料、导体布线材料、层间介质材料和封装材料的研制应用动向及其发展趋势。

关键词 微组装技术 微组装用材料 电子电路材料

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非有意掺杂LEC SI GaAs中EL2分布特性的研究 被引量：1

5

作者 杨瑞霞 付濬 李光平 《电子科学学刊》 CSCD 1995年第1期92-97,共6页

测量比较了不同条件下热处理后非有意掺杂半绝缘(SI)LEC GaAs中EL2浓度及其分布的变化,为了分析这一变化,还检测了位错和As沉淀的分布。在实验结果基础上,对EL2分布不均匀性的起源和热处理改善EL2分布均匀性的机理进行了讨论。

关键词 EL2 分布特性 结构模型 半导体材料

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日本传感器材料及其应用发展现状 被引量：1

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作者 张忱 《材料导报》 EI CAS CSCD 1995年第1期9-13,共5页

介绍了日本传感器用半导体材料、陶瓷材料、光纤材料和生物材料的应用发展现状及其发展趋势。

关键词 半导体材料 陶瓷材料 光纤材料 传感器材料 日本

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日本光盘材料的现状与发展趋势 被引量：1

7

作者 张忱 《材料导报》 EI CAS CSCD 1993年第3期61-65,共5页

重点介绍近几年日本光盘基板材料、磁光记录材料和相变光盘材料的现状与发展趋势。

关键词 光盘 材料 磁光记录材料 日本

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ZnO-B2O_3-SiO_2系统的相结构与介电性能的研究

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作者 吴霞宛 李玲霞 +2 位作者 王洪儒 张志萍 郝建民 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第3期206-208,共3页

对 Zn O- B2 O3- Si O2 三元系统进行了 XRD和介电性能定量关系的研究。系统的主、次晶相为 Si O2 、Zn2 Si O4相。调整各组分 ,获得了超低介电常数的介质陶瓷 ,其介电常数ε为 5 ,介电损耗 tanδ≤ 5× 10 - 4 ,容量温度系参数αc... 对 Zn O- B2 O3- Si O2 三元系统进行了 XRD和介电性能定量关系的研究。系统的主、次晶相为 Si O2 、Zn2 Si O4相。调整各组分 ,获得了超低介电常数的介质陶瓷 ,其介电常数ε为 5 ,介电损耗 tanδ≤ 5× 10 - 4 ,容量温度系参数αc≤ (0± 30 )× 10 - 6 /°C、绝缘电阻 IR≥ 10 1 2 Ω ,烧结温度为 1140°C。并对系统进行了 X-射线分析 ,探讨了用X-射线衍射峰强度计算各物相含量的方法。 展开更多

关键词 ZnO-B2O3-SiO2系统 相结构 介电性能 表面组装技术 集成电路

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LEC GaAs中碳的分布及其对材料特性影响

9

作者 杨瑞霞 付濬 李光平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第5期62-64,61,共4页

用碳的局域振动模(LVM)红外吸收的方法测量了未掺杂半绝缘(SI)LECGaAs中碳的纵向和横向分布,对碳的掺入机理、影响碳分布的因素进行了讨论,并对碳含量与材料热稳定性的关系进行了分析研究。

关键词 LECGaAs 材料 掺碳 测量 性能

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SIMOX材料的SIMS分析

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作者 马农农 刘容 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第A12期130-132,共3页

对ＳＩＭＯＸ材料进行了ＳＩＭＳ深度剖析，研究了电荷积累效应、二次离子传输效率等实验因素对测试结果的影响，氧检测的动态范围达三个量级。对国内、外的ＳＩＭＯＸ材料做了对比研究。

关键词 二次离子质谱 注氧隔离 深度剖析 硅 SOI材料

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发电厂锅炉高压给水管爆破事故分析及失效预防的研究

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作者 王志新 邓星临 齐芸馨 《动力工程》 CSCD 1992年第1期32-38,共7页

本文对在工作温度为346℃、压力为14.7MPa下运行的电厂锅炉给水管泄漏、爆破事故进行了分析研究.发现的在上述工况下长期运行中碳钢管.氮的晶界偏聚引起的材质脆化是爆裂事故的主要原因.文中首次提出可以通过原子数比N/Al判断在350℃左... 本文对在工作温度为346℃、压力为14.7MPa下运行的电厂锅炉给水管泄漏、爆破事故进行了分析研究.发现的在上述工况下长期运行中碳钢管.氮的晶界偏聚引起的材质脆化是爆裂事故的主要原因.文中首次提出可以通过原子数比N/Al判断在350℃左右长期使用的碳钢的时效脆化倾向,从而找到了避免或延缓低温长期运行钢管脆化的有效途径. 展开更多

关键词 锅炉 高压 给水管 爆破 事故 失效

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硅材料与未来军事战争 被引量：1

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作者 黄义贞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第3期56-58,共3页

电子战是未来战争的主要作战手段.未来战争中,先进的技术将是赢得胜利的决定因素之一.不言而喻,电子对抗设备、通讯设备、导航装置等,哪一样都离不开电子材料.新型电子材料的出现。

关键词 半导体材料 硅 战争 军事

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光传感器用半导体材料的现状

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作者 魏海岩 《材料导报》 EI CAS CSCD 1989年第12期7-8,共2页

传感器是近年电子学领域内发展较快的一门技术。传感器种类繁多,但其中目前占主要地位的是光传感器,它包括红外线传感器、紫外线传感器、可见光传感器以及放射线传感器等。制造光传感器所用基础材料是半导体材料,因为它能满足光传感所... 传感器是近年电子学领域内发展较快的一门技术。传感器种类繁多,但其中目前占主要地位的是光传感器,它包括红外线传感器、紫外线传感器、可见光传感器以及放射线传感器等。制造光传感器所用基础材料是半导体材料,因为它能满足光传感所需的两个条件,即它与金属和电介质不同。 展开更多

关键词 光传感器 半导体材料

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硬质合金的断裂韧性及其无损评估 被引量：8

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作者 刘寿荣 郝建民 +3 位作者 褚连青 赵光远 梁福起 杨惠琴 《有色金属》 CSCD 2000年第2期83-87,共5页

用Ｘ射线衍射相分析、扫描电镜、Ｐａｌｍｑｖｉｓｔ压痕试验和磁性分析对烧结态两相ＷＣ－Ｃｏ硬质合金断裂韧性Ｋｌｃ的研究表明，在两相区碳成分范围内，随合金碳含量的变化，合金的Ｋｌｃ（ＭＰａｍ^（１／２））和比矫顽磁力Ｈ_（... 用Ｘ射线衍射相分析、扫描电镜、Ｐａｌｍｑｖｉｓｔ压痕试验和磁性分析对烧结态两相ＷＣ－Ｃｏ硬质合金断裂韧性Ｋｌｃ的研究表明，在两相区碳成分范围内，随合金碳含量的变化，合金的Ｋｌｃ（ＭＰａｍ^（１／２））和比矫顽磁力Ｈ_（ＳＣ）（Ａ·ｍ~２·ｋｇ^（－１））间具有正向相关的变化规律：Ｈ_（ＳＣ）＝７．６５２－０．３３０４１－７．３５６Ｘ_（Ｃｏ）－１２０．０Ｘ_ｃ，Ｋ_（１ｃ）＝１７．３９＋２６．０４ｌｇ＋２２．２９Ｈ_（ｓｃ）＝６２０．８－５６． ５７Ｈ_（ｓｃ）－９４６２Ｘ_ｃ－５８０．１Ｘ_（Ｃｏ）。用比饱和磁化强度４πσ（Ａ·ｍ~２·ｋｇ^（－１））和矫顽磁力Ｈｃ（ｋ·Ａ·ｍ^（－１））测定值预先确定合金试样的碳含量 Ｘｃ、真实钻含量 Ｘ_（Ｃｏ）（Ｗｔ．）和比矫顽磁力Ｈ_（ｓｃ）Ａ·ｍ~２·ｋｇ^（－１））可通过上式用磁性无损评估烧结态两相 ＷＣ－Ｃｏ硬质合金的断裂韧性Ｋ_（１ｃ），评估精度优于５％。 展开更多

关键词 硬质合金 断裂韧性 比矫顽磁力 无损评估

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未掺杂LECSIGaAs中总EL2浓度及其费米占据函数的分布 被引量：7

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作者 杨瑞霞 李光平 王琴 《应用科学学报》 CAS CSCD 1995年第2期189-194,共6页

用“多波长红外吸收”的方法测量了未掺杂半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣＧａＡｓ中电离的和电中性ＥＬ２浓度径向分布，并由此得到了总ＥＬ２浓度及其费米占据函数（ｆ＿ｎ）的分布，结果表明：电离的、电中性的和总的ＥＬ２及ＥＬ２的费米占据... 用“多波长红外吸收”的方法测量了未掺杂半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣＧａＡｓ中电离的和电中性ＥＬ２浓度径向分布，并由此得到了总ＥＬ２浓度及其费米占据函数（ｆ＿ｎ）的分布，结果表明：电离的、电中性的和总的ＥＬ２及ＥＬ２的费米占据函数均呈不均匀分布，电中性的和总ＥＬ２浓度径向分布均为ｗ形，电中性ＥＬ２Ｗ形径向分布不是由于ｆ＿ｎ的波动。 展开更多

关键词 EL2 红外吸收 浓度 砷化镓 费米占据函数

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非掺杂半绝缘LECGaAs的光电流谱 被引量：2

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作者 杨瑞霞 胡恺生 +1 位作者 周智慧 郭小兵 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期22-24,共3页

研究了非掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ的非本征室温（３００Ｋ）光电流谱，在０．４０～０．７０ｅＶ范围发现了一个光响应宽带Ｍ１。Ｍ１带在０．４６、０．４９、０．５６、０．６５和０．６９ｅＶ处出现五个峰，其中０．４６、０．４９... 研究了非掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ的非本征室温（３００Ｋ）光电流谱，在０．４０～０．７０ｅＶ范围发现了一个光响应宽带Ｍ１。Ｍ１带在０．４６、０．４９、０．５６、０．６５和０．６９ｅＶ处出现五个峰，其中０．４６、０．４９、０．５６和０．６９ｅＶ峰的起始阈值分别为０．４４、０．４７、０．５１和０．６７ｅＶ。本文讨论了Ｍ１带的起源，提出了０．４４、０．４７和０．５１ｅＶ光电离阈值与铜受主、ＥＬ３和氧施主间的可能联系，并研究了Ｍ１带与ＧａＡｓ场效应晶体管漏－源电流光响应特性的关系。 展开更多

关键词 LECSIGaAs 光电流谱 场效应晶体管 砷化镓

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X射线多重衍射的进展 被引量：6

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作者 杨传铮 郝建民 《物理学进展》 CSCD 北大核心 1999年第1期1-23,共23页

若晶体具有多个（≥３）原子平面同时满足Ｂｒａｇｇ定律，并同时衍射一单色入射Ｘ射线光束，这就是多重衍射现象。本文介绍Ｘ射线多重衍射的基本原理，获得多重衍射花样的实验方法、衍射理论和若干应用。

关键词 X射线衍射 晶体 多重衍射 基本原理 进展

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日本微波介电陶瓷的发展现状和趋势 被引量：3

18

作者 张忱 《材料导报》 EI CAS CSCD 1995年第5期46-48,41,共4页

介绍了日本近年来复合钙钛矿型化合物、Pb系钙钛矿型化合物、(Zr,Sn)TiO_3系化合物和BaO-TiO_2系化合物等高介电常数、低损耗微波介电陶瓷的发展现状和趋势。

关键词 复合钙钛 矿型化合物 微波介电陶瓷 日本 陶瓷

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Rietveld法在半结晶聚酯二相共存结构分析中的应用

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作者 韩甫田 郝建明 +2 位作者 郭立平 刘平安 刘军 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期18-21,共4页

用Rietveld法对试样BaF2 的实测X射线衍射全谱图 (XDWP)数据进行精修 ,获得正确的结晶相结构参数 ,重点讨论了如何正确选择衍射峰型函数和评价精修结构参数的可靠性 ;特别指出 ,当把Rietveld法和Fourier过滤技术及径向分布函数 (radiald... 用Rietveld法对试样BaF2 的实测X射线衍射全谱图 (XDWP)数据进行精修 ,获得正确的结晶相结构参数 ,重点讨论了如何正确选择衍射峰型函数和评价精修结构参数的可靠性 ;特别指出 ,当把Rietveld法和Fourier过滤技术及径向分布函数 (radialdistributionfunction,RDF)联用来研究半结晶聚酯 (PET)的两相结构参数时 ,除需用R因子判断结晶相之精修结构参数的可靠性外 ,还要判断由非晶相散射强度数据计算的RDF是否合理 ;如果忽视后一判据 ,则有可能导致错误的计算结果。 展开更多

关键词 Rietveld法 半结晶聚酯 结构分析 应用 径向分布函数 X射线衍射全谱图 Fourier过滤技术

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GaAs中碳受主局域振动模的非简谐性对主吸收带的影响

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作者 杨瑞霞 李光平 +1 位作者 贾晓华 罗晋生 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期792-793,共2页

在ＧａＡｓ中碳受主局域振动模主吸收带低能侧，观察到一个吸收边带，其峰频率与局域振动模吸收主带的峰频率之差约为３５ ｃｍ － １。该边带的积分面积随温度变化，并影响主吸收带积分面积的温度关系。

关键词 砷化镓 主吸收带 碳 局域振动模 边带 非筒谐性

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