期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
PVK空穴传输层对Ndq_3近红外发光二极管性能的影响
被引量：
1
1
作者
陈义鹏
辛传祯
+5 位作者
罗程远
王丽师
葛林
张晓松
徐建萍
李岚
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第7期888-893,共6页
以PEDOT∶PSS作为空穴注入层,聚合物PVK作为空穴传输层,制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/PVK/8-羟基喹啉钕(Ndq3)/Al的近红外OLED,研究了PVK与PEDOT∶PSS功能层对器件I-V特性和EL光谱的影响。结果显示,在EL光谱中的905,1 064,1 340 nm处均...
以PEDOT∶PSS作为空穴注入层,聚合物PVK作为空穴传输层,制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/PVK/8-羟基喹啉钕(Ndq3)/Al的近红外OLED,研究了PVK与PEDOT∶PSS功能层对器件I-V特性和EL光谱的影响。结果显示,在EL光谱中的905,1 064,1 340 nm处均观察到了荧光发射,分别对应于Nd3+的4F3/2→4I9/2、4F3/2→4I11/2和4F3/2→4I13/2能级跃迁。与参考器件对比分析认为,PEDOT∶PSS高的导电性降低了器件的串联电阻,增大了器件的工作电流;PVK与PEDOT∶PSS共同降低了空穴的注入势垒,实现了Ndq3发光层区域的载流子的注入平衡并改善了器件的发射强度。此外,PVK有效降低了ITO电极表面粗糙度,也是器件性能提高的原因之一。
展开更多
关键词
近红外发光二极管
空穴注入层
空穴传输层
8-羟基喹啉钕
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
PVK空穴传输层对Ndq_3近红外发光二极管性能的影响
被引量：
1
1
作者
陈义鹏
辛传祯
罗程远
王丽师
葛林
张晓松
徐建萍
李岚
机构
天津理工大学材料物理研究所显示材料与光电器件省部共建教育部重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第7期888-893,共6页
基金
国家自然科学基金(60977035
60907021)
+1 种基金
天津市自然科学基金(11JCYBJC00300)
科技创新体系及条件平台建设计划(10SYSYJC28100)资助项目
文摘
以PEDOT∶PSS作为空穴注入层,聚合物PVK作为空穴传输层,制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/PVK/8-羟基喹啉钕(Ndq3)/Al的近红外OLED,研究了PVK与PEDOT∶PSS功能层对器件I-V特性和EL光谱的影响。结果显示,在EL光谱中的905,1 064,1 340 nm处均观察到了荧光发射,分别对应于Nd3+的4F3/2→4I9/2、4F3/2→4I11/2和4F3/2→4I13/2能级跃迁。与参考器件对比分析认为,PEDOT∶PSS高的导电性降低了器件的串联电阻,增大了器件的工作电流;PVK与PEDOT∶PSS共同降低了空穴的注入势垒,实现了Ndq3发光层区域的载流子的注入平衡并改善了器件的发射强度。此外,PVK有效降低了ITO电极表面粗糙度,也是器件性能提高的原因之一。
关键词
近红外发光二极管
空穴注入层
空穴传输层
8-羟基喹啉钕
Keywords
near-infrared light emitting diode
hole injection layer
hole transport layer
neodymium tris-(8-hydroxyquinoline)
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PVK空穴传输层对Ndq_3近红外发光二极管性能的影响
陈义鹏
辛传祯
罗程远
王丽师
葛林
张晓松
徐建萍
李岚
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
