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聚合物/碳量子点复合EL器件及光谱移动机理
被引量:
1
1
作者
刘泽明
徐建萍
+4 位作者
李霖霖
张旭光
董晓菲
任鹏飞
李岚
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第7期823-828,共6页
制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/polyvinylcarbazole(PVK)/carbon quantum dots(CDs)/LiF/Al的电致发光器件。器件的发光光谱显示:在电压从7 V增大到13 V的过程中,光谱峰值从380 nm移动到520 nm,色坐标由(0.20,0.20)移动到(0.29,0...
制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/polyvinylcarbazole(PVK)/carbon quantum dots(CDs)/LiF/Al的电致发光器件。器件的发光光谱显示:在电压从7 V增大到13 V的过程中,光谱峰值从380 nm移动到520 nm,色坐标由(0.20,0.20)移动到(0.29,0.35)。经与PL光谱对比认为,EL光谱包含了PVK与碳量子点的双重贡献,随着电压的增大,碳量子点的发射逐渐增强,PVK发光先增强后减弱。结合器件能级结构讨论了器件的发光机制,认为低电场下的PVK兼具发光层和电子阻挡层的功能,EL光谱为PVK层和碳量子点的发光叠加;随着电场强度的增大,碳量子点和PVK界面区的空间电荷阻止了电子向PVK的传输,光谱转变为由碳量子点和激基复合物的共同贡献。
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关键词
碳量子点
电致发光
载流子传输
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职称材料
单层密集ZnO纳米棒阻变器件的导电机制
被引量:
1
2
作者
王雪亮
徐建萍
+6 位作者
石少波
张晓松
张旭光
赵相国
石鑫
李淑彬
李岚
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第7期795-800,共6页
制备了一种具有多级存储效应的密集ZnO纳米棒阵列阻变存储器件,借助I-V曲线和荧光光谱分析了器件的电流传导机制和阻变机制,发现器件在不同的电阻态下分别属于欧姆传导和空间电荷限制电流(SCLC)传导机制。正向电场作用使纳米棒表面耗尽...
制备了一种具有多级存储效应的密集ZnO纳米棒阵列阻变存储器件,借助I-V曲线和荧光光谱分析了器件的电流传导机制和阻变机制,发现器件在不同的电阻态下分别属于欧姆传导和空间电荷限制电流(SCLC)传导机制。正向电场作用使纳米棒表面耗尽区的氧空位V++密度增大,完善了电子传输的导电细丝通道,器件实现了由高阻态向低阻态的转变;在反向电压作用下,导电通道断裂,器件恢复到高阻态。
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关键词
ZNO纳米棒
荧光光谱
氧空位
导电细丝通道
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职称材料
题名
聚合物/碳量子点复合EL器件及光谱移动机理
被引量:
1
1
作者
刘泽明
徐建萍
李霖霖
张旭光
董晓菲
任鹏飞
李岚
机构
天津
理
工
大学
材料
物理
研究所
光电
器件与
显示
材料
教育部
重点
实验室
、
天津市
光电
显示
材料与
器件
重点
实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第7期823-828,共6页
基金
“863”国家高技术研究发展计划(2013AA014201)
天津市自然科学基金(14JCZDJC31200,15JCYBJC16800,15JCYBJC16700)
+1 种基金
国家重大仪器设备开发专项(2014YQ120351)
天津市科技计划国际合作项目(14RCGHGX00872)资助
文摘
制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/polyvinylcarbazole(PVK)/carbon quantum dots(CDs)/LiF/Al的电致发光器件。器件的发光光谱显示:在电压从7 V增大到13 V的过程中,光谱峰值从380 nm移动到520 nm,色坐标由(0.20,0.20)移动到(0.29,0.35)。经与PL光谱对比认为,EL光谱包含了PVK与碳量子点的双重贡献,随着电压的增大,碳量子点的发射逐渐增强,PVK发光先增强后减弱。结合器件能级结构讨论了器件的发光机制,认为低电场下的PVK兼具发光层和电子阻挡层的功能,EL光谱为PVK层和碳量子点的发光叠加;随着电场强度的增大,碳量子点和PVK界面区的空间电荷阻止了电子向PVK的传输,光谱转变为由碳量子点和激基复合物的共同贡献。
关键词
碳量子点
电致发光
载流子传输
Keywords
carbon quantum dots(CDs)
electroluminescence(EL)
charge transport
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
TP394.1 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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职称材料
题名
单层密集ZnO纳米棒阻变器件的导电机制
被引量:
1
2
作者
王雪亮
徐建萍
石少波
张晓松
张旭光
赵相国
石鑫
李淑彬
李岚
机构
天津理工大学材料物理研究所光电器件与显示材料教育部重点实验室天津市光电显示材料与器件重点实验室
天津
职业技术师范
大学
理
学院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第7期795-800,共6页
基金
863国家高技术研究发展计划(2013AA014201)
天津市自然科学基金(14JCZDJC31200
+3 种基金
15JCYBJC16800
15JCYBJC16700)
国家重大仪器设备开发专项(2014YQ120351)
天津市科技计划国际合作项目(14RCGHGX00872)资助
文摘
制备了一种具有多级存储效应的密集ZnO纳米棒阵列阻变存储器件,借助I-V曲线和荧光光谱分析了器件的电流传导机制和阻变机制,发现器件在不同的电阻态下分别属于欧姆传导和空间电荷限制电流(SCLC)传导机制。正向电场作用使纳米棒表面耗尽区的氧空位V++密度增大,完善了电子传输的导电细丝通道,器件实现了由高阻态向低阻态的转变;在反向电压作用下,导电通道断裂,器件恢复到高阻态。
关键词
ZNO纳米棒
荧光光谱
氧空位
导电细丝通道
Keywords
Zn O nanorods
fluorescence spectra
oxygen vacancies
conductive paths
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
聚合物/碳量子点复合EL器件及光谱移动机理
刘泽明
徐建萍
李霖霖
张旭光
董晓菲
任鹏飞
李岚
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
单层密集ZnO纳米棒阻变器件的导电机制
王雪亮
徐建萍
石少波
张晓松
张旭光
赵相国
石鑫
李淑彬
李岚
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
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职称材料
已选择
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引证文献
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