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中温固体氧化物燃料电池阴极材料La_(0.7)Sr_(0.2)Ca_(0.1)Co_(1-x)Fe_xO_(3-δ)的合成与导电性能 被引量:2
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作者 赵捷 李晨 +2 位作者 马永昌 王敏 江云尧 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第11期68-72,共5页
采用固相反应法合成了锶、钙与铁掺杂的稀土复合氧化物La0.7Sr0.2Ca0.1Co1-xFexO3-δ(x=0.3,0.5);通过TG-DTA分析了产物的形成过程;分别测试了产物在100~900℃间的混合电导率和热膨胀系数;对产物的晶体结构与晶粒形貌等进行了表征。结... 采用固相反应法合成了锶、钙与铁掺杂的稀土复合氧化物La0.7Sr0.2Ca0.1Co1-xFexO3-δ(x=0.3,0.5);通过TG-DTA分析了产物的形成过程;分别测试了产物在100~900℃间的混合电导率和热膨胀系数;对产物的晶体结构与晶粒形貌等进行了表征。结果表明:经1 200℃烧结后的两种产物均具有单一的菱方钙钛矿结构;晶粒生长情况较好,但尺寸不够均匀;混合电导率随温度升高先升后降,在600~800℃均大于100 S.cm-1,可满足要求,在100~500℃与温度基本保持线性关系,其导电行为符合小极化子导电机理;钙与铁同时掺杂有效降低其热膨胀系数,表明钙钛矿晶格的热稳定性得以提高。 展开更多
关键词 固相反应 阴极材料 混合电导率 钙钛矿结构 燃料电池
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采用复合空穴注入层提高有机电致发光器件的性能 被引量:4
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作者 刘爱华 杨利营 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期422-427,共6页
制备了以Ag/SAM/m-MTDATA为复合空穴注入层的NPB/Alq3双层异质结发光器件,研究了器件的性能并与传统的器件进行了对比。考察了银膜厚度的变化对器件性能的影响。研究了光谱窄化以及微腔效应对器件的影响。研究结果表明:在ITO表面制备4-... 制备了以Ag/SAM/m-MTDATA为复合空穴注入层的NPB/Alq3双层异质结发光器件,研究了器件的性能并与传统的器件进行了对比。考察了银膜厚度的变化对器件性能的影响。研究了光谱窄化以及微腔效应对器件的影响。研究结果表明:在ITO表面制备4-FTP自组装单分子膜修饰的5 nm厚的金属银膜,可以在保持阳极透明性的基础上,增强空穴的注入,改善界面的形貌,进而提高器件性能。制备的ITO/Ag/SAM/m-MTDATA/NPB/Alq3/LiF/Al器件的启亮电压为4 V,最大电流效率为6.9 cd/A,最大亮度为34 680 cd/m2(12 V);优于以ITO为阳极的对比器件(25 300 cd/m2@12 V)。 展开更多
关键词 自组装单分子膜 阳极 有机电致发光器件 微腔效应 电流效率
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不等厚高强钢激光拼焊板焊缝组织及胀形性能分析 被引量:5
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作者 刘广达 李云涛 +1 位作者 张建 毕大森 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期61-64,共4页
采用激光焊接方法,针对1.8mm厚的SAPH440与2.2mm厚的DP600高强钢实施激光拼焊.测试了不等厚拼焊板焊接接头的金相组织以及显微硬度,然后通过杯突试验对所得到的不等厚高强钢拼焊板的胀形性进行了研究,进一步与母材的胀形性相比较.结果表... 采用激光焊接方法,针对1.8mm厚的SAPH440与2.2mm厚的DP600高强钢实施激光拼焊.测试了不等厚拼焊板焊接接头的金相组织以及显微硬度,然后通过杯突试验对所得到的不等厚高强钢拼焊板的胀形性进行了研究,进一步与母材的胀形性相比较.结果表明,焊缝的金相组织为针状铁素体和板条马氏体,焊缝两侧硬度分布不同,焊缝处的硬度要高于母材.拼焊板的杯突值低于任何一侧母材的杯突值,焊缝的位置对不等厚拼焊板的胀形性有一定的影响,薄板所占比例越大拼焊板的胀形性越好,在胀形成形过程中焊缝向厚板侧移动. 展开更多
关键词 不等厚 高强钢 拼焊板 胀形性
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真空退火对La_(1.5)Sr_(0.5)NiO_(4-δ)陶瓷介电性能的影响
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作者 张建柱 赵捷 +3 位作者 陆翠敏 吴玉强 马永昌 刘庆锁 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期69-72,共4页
采用固相烧结法在空气中经1360℃制备了单相La_(1.5)Sr_(0.5)NiO_(4-δ)陶瓷,将其在2×10^(-3)Pa的真空度下于800℃退火3h;用阻抗分析仪对真空退火前后其变温交流阻抗谱进行了分析。结果表明:真空退火前的陶瓷在10~2~10~6Hz和100~... 采用固相烧结法在空气中经1360℃制备了单相La_(1.5)Sr_(0.5)NiO_(4-δ)陶瓷,将其在2×10^(-3)Pa的真空度下于800℃退火3h;用阻抗分析仪对真空退火前后其变温交流阻抗谱进行了分析。结果表明:真空退火前的陶瓷在10~2~10~6Hz和100~320 K时存在高达10~5的巨介电常数,且与电荷有序有关;退火后介电常数减小到10~4,弥散区域向低频发生大幅移动,其极化以晶界极化为主。 展开更多
关键词 巨介电常数 陶瓷 真空退火
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(Bi_(0.85)Sb_(0.15))_(1-x)As_x的电输运和红外光学特性研究
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作者 蔡丽君 史烜岱 +4 位作者 吴济穷 朱圣云 黄耀 侯延辉 马永昌 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第7期761-766,共6页
采用熔融法制备了(Bi_(0.85)Sb_(0.15))_(1-x)As_x合金,用X射线衍射和电子能谱仪进行物相和组份表征,随As掺杂量的增加,晶胞体积收缩,名义掺杂浓度低于8%的样品没有出现杂相。在温度T=100 K以下,母体Bi0.85Sb0.15的直流电阻温度关系呈... 采用熔融法制备了(Bi_(0.85)Sb_(0.15))_(1-x)As_x合金,用X射线衍射和电子能谱仪进行物相和组份表征,随As掺杂量的增加,晶胞体积收缩,名义掺杂浓度低于8%的样品没有出现杂相。在温度T=100 K以下,母体Bi0.85Sb0.15的直流电阻温度关系呈现半导体特性,而(Bi_(0.85)Sb_(0.15))_(0.95)As_(0.05)在12~300 K范围都显示金属性。从红外反射光谱可知,Bi_(0.85)Sb_(0.15)的等离子边在远红外区且随温度下降向低频移动,是窄带隙半导体的热激发行为。室温下(Bi_(0.85)Sb_(0.15))_(0.95)As_(0.05)的自由电子等离子频率相比母体移动并不明显,但是散射率增大,在中红外600~2000 cm-1区间光电导谱比Bi0.85Sb0.15高,经分析可知是源于带尾态的出现。综合对电输运和红外光谱的分析可知,(Bi_(0.85)Sb_(0.15))_(0.95)As_(0.05)的费米能级应处于扩展态区,而并非定域态。 展开更多
关键词 红外光谱 Bi-Sb合金 As掺杂
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