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题名掺杂Sm_2O_3对BZT20介质瓷性能的影响
被引量：1
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作者
李远亮
张庆军
曲远方
王冉然
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机构
河北理工大学分析测试中心
天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室
天津海运职业学院轮机工程系
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出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2011年第2期302-304,共3页
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基金
国家自然科学基金资助项目(50974052)
河北省教育厅科学计划研究基金资助项目(2008119)
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文摘
以碳酸钡、二氧化锆和二氧化钛等为原料,Sm2O3为掺杂剂,制得了Ba(Zr0.2Ti0.8)O3系介质瓷,并研究了其性能,用扫描电镜对试样微观形貌进行了观察。结果表明,当x(Sm2O3)<0.2%时,Sm3+进入晶格A位后,随掺杂量的增加,Sm3+倾向于进入晶格B位。Sm2O3的掺杂量对试样介电常数和损耗有显著影响,x(Sm2O3)=0.2%时,试样介电常数最高(约为5 600);随Sm2O3掺杂量继续增加,试样介电损耗得到明显改善,最低降至0.002 1。
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关键词
掺杂
介电性能
微观形貌
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Keywords
doping
dielectric properties
microstructure
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分类号
TM223
[一般工业技术—材料科学与工程]
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