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薄膜太阳电池用TCO薄膜制造技术及其特性研究 被引量：5
1
作者 陈新亮 王斐 +6 位作者 闫聪博 李林娜 林泉 倪牮 张晓丹 耿新华 赵颖 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第18期73-77,共5页
阐述了玻璃衬底、柔性衬底透明导电氧化物薄膜(Transparent conductive oxides-TCO)以及硅基薄膜太阳电池应用方面的最新研究成果。绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性并降低生产成本。磁控溅射技术和LP-MOCVD技术是制造绒面结构... 阐述了玻璃衬底、柔性衬底透明导电氧化物薄膜(Transparent conductive oxides-TCO)以及硅基薄膜太阳电池应用方面的最新研究成果。绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性并降低生产成本。磁控溅射技术和LP-MOCVD技术是制造绒面结构ZnO-TCO薄膜(例如"弹坑"状和"类金字塔"状表面)的主流生长技术;高迁移率TCO薄膜(IMO、IWO、ZnO∶Ga等)以及柔性衬底TCO薄膜是研究开发的重点。 展开更多
关键词 镀膜技术 TCO薄膜 绒面结构 高迁移率 缓冲层 梯度掺杂 薄膜太阳电池
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RPD技术生长ICO∶H薄膜及其在晶体硅异质结太阳电池中的应用 被引量：1
2
作者 周忠信 陈新亮 +3 位作者 张云龙 魏长春 赵颖 张晓丹 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期50-55,共6页
通过反应等离子体沉积(RPD)技术室温下生长掺铈的氧化铟薄膜,且沉积过程中通入氢气。高迁移率可使透明导电薄膜在较低的电阻率时保持较高的近红外透过率;透明导电薄膜中较低的载流子浓度能够减少自由载流子的吸收。迁移率的大小主要由... 通过反应等离子体沉积(RPD)技术室温下生长掺铈的氧化铟薄膜,且沉积过程中通入氢气。高迁移率可使透明导电薄膜在较低的电阻率时保持较高的近红外透过率;透明导电薄膜中较低的载流子浓度能够减少自由载流子的吸收。迁移率的大小主要由薄膜内的散射机制决定,并且受薄膜非晶结构制约。ICO∶H薄膜表面平整,在近红外长波段透过率超过80%。在氢气流量为2 sccm时,薄膜获得1.34×10^(-3)Ω·cm的最低电阻率和94 cm^(2)/Vs的高迁移率。在晶体硅异质结(SHJ)太阳电池应用中,获得了较高的短路电流密度38.44 mA/cm^(2),相应的转换效率为16.68%。 展开更多
关键词 薄膜 霍尔迁移率 透明导电氧化物 硅太阳电池 RPD
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一步法电化学沉积Cu(In1-x， Gax)Se2薄膜的特性 被引量：8
3
作者 敖建平 孙国忠 +6 位作者 闫礼 康峰 杨亮 何青 周志强 李凤岩 孙云 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1073-1079,共7页
在CuCl2、InCl3、GaCl3及H2SeO3组成的酸性水溶液电沉积体系中,对Mo/玻璃衬底上一步法电沉积Cu(In1-x,Gax)Se2(简写为CIGS)薄膜进行了研究.为了稳定溶液的化学性质,在溶液中加入邻苯二甲酸氢钾和氨基磺酸作为pH缓冲剂,将溶液的pH值控制... 在CuCl2、InCl3、GaCl3及H2SeO3组成的酸性水溶液电沉积体系中,对Mo/玻璃衬底上一步法电沉积Cu(In1-x,Gax)Se2(简写为CIGS)薄膜进行了研究.为了稳定溶液的化学性质,在溶液中加入邻苯二甲酸氢钾和氨基磺酸作为pH缓冲剂,将溶液的pH值控制在约2.5,并提高薄膜中Ga的含量.通过大量实验优化了溶液组成及电沉积条件,得到接近化学计量比贫Cu的CIGS薄膜(当Cu与In+Ga的摩尔比为1时,称为符合化学计量比的CIGS薄膜;当其比值为0.8-1时,称为贫Cu或富In的CIGS薄膜)预置层,薄膜表面光亮、致密、无裂纹.利用循环伏安法初步研究了一步法电沉积CIGS薄膜的反应机理,在沉积过程中,Se4+离子先还原生成单质Se,再诱导Cu2+、Ga3+和In3+发生共沉积.电沉积CIGS薄膜预置层在固态硒源280℃蒸发的硒气氛中进行硒化再结晶,有效改善了薄膜的结晶结构,且成份基本不发生变化,但是表面会产生大量的裂纹. 展开更多
关键词 电沉积 Cu(In1-x Gax)Se2薄膜 循环伏安法 pH缓冲溶液
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VHF-PECVD制备不同氢稀释条件下硅薄膜特性分析 被引量：6
4
作者 张晓丹 高艳涛 +9 位作者 赵颖 朱锋 魏长春 孙建 侯国付 薛俊明 张德坤 任慧志 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期56-59,64,共5页
本文集中报导了不同硅烷浓度条件下,制备的系列硅薄膜电学特性和结构特性的分析研究。结果表明:随着硅烷浓度的逐渐减小,材料逐渐地由非晶向微晶转变。傅立叶变换红外吸收 (FTIR)的测试结果表明:微晶硅材料存在着自然的不稳定性,表现为... 本文集中报导了不同硅烷浓度条件下,制备的系列硅薄膜电学特性和结构特性的分析研究。结果表明:随着硅烷浓度的逐渐减小,材料逐渐地由非晶向微晶转变。傅立叶变换红外吸收 (FTIR)的测试结果表明:微晶硅材料存在着自然的不稳定性,表现为氧含量随着时间的推移而增多。而且,微结构因子(IR)的结果给出:对于适用于电池有源层的微晶硅材料来说,其IR不能太大,也不能太小,本实验中相对好的微晶硅材料其IR为 31%。 展开更多
关键词 硅材料 硅薄膜 VHF-PECVD 有源层 微晶 晶向 电学特性 度条件 因子 不稳定性
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孪生对靶直流磁控溅射制备ZnO:Al薄膜及其特性研究 被引量：10
5
作者 李微 孙云 +2 位作者 何青 刘芳芳 李凤岩 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期761-764,815,共5页
本文以ZnO:A l(ZAO)陶瓷为靶材,采用孪生对靶直流磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出高质量的铝掺杂氧化锌透明导电膜,研究了该薄膜的结构、光电及力学特性。采用孪生对靶制备ZAO薄膜可使样品避开等离子体直接轰击,减少基底薄膜的损伤。制... 本文以ZnO:A l(ZAO)陶瓷为靶材,采用孪生对靶直流磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出高质量的铝掺杂氧化锌透明导电膜,研究了该薄膜的结构、光电及力学特性。采用孪生对靶制备ZAO薄膜可使样品避开等离子体直接轰击,减少基底薄膜的损伤。制备的薄膜具有结晶程度高、电阻率低、迁移率高等优点。ZAO薄膜的最低电阻率达到了4.47×10-4Ω.cm,在可见光区的平均透过率达到85%以上,非常适合做为铜铟硒(C IS)薄膜太阳电池窗口层。 展开更多
关键词 孪生对靶 磁控溅射 ZNO:AL
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光伏电站航拍图像中组串级语义分割的人工智能算法
6
作者 孟子尧 许盛之 +3 位作者 王丽朝 龚友康 张晓丹 赵颖 《计算机应用与软件》 北大核心 2025年第4期201-207,共7页
光伏电站组串分割任务需要对物体边缘进行精确识别,从而得到精确的位置信息。针对此需求该文设计scSE-Unet8模型,将挤压激励模块(scSE)引入U-Net模型并减少模型复杂度。在光伏电站航拍图像数据集上进行训练和验证。实验结果表明由于scS... 光伏电站组串分割任务需要对物体边缘进行精确识别,从而得到精确的位置信息。针对此需求该文设计scSE-Unet8模型,将挤压激励模块(scSE)引入U-Net模型并减少模型复杂度。在光伏电站航拍图像数据集上进行训练和验证。实验结果表明由于scSE模块对空间和通道特征进行重新修正,强调了重要的边缘特征信息,因此相比于其他模型scSE-Unet8对组串边缘像素检测效果更好。模型经过交叉验证后测试集上的mIoU(平均交并比)为98.62%。最后使用边界信息提取算法处理scSE-Unet8的输出结果,消除原分割结果中少量的误检和漏检,获得像素级别的组串边界。 展开更多
关键词 语义分割 U-Net 边界提取 光伏发电 智能运维
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Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳电池二极管特性的研究 被引量：5
7
作者 刘芳芳 孙云 +2 位作者 张力 何青 李长健 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期455-459,共5页
本文采用线性拟合光态和暗态J-V(电流-电压)曲线的方法计算了不同效率的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的二极管性能参数。在一定范围内,CIGS薄膜电池的二极管品质因子A和反向饱和电流J0值越小,电池的转换效率越高,这说明CIGS电池的复... 本文采用线性拟合光态和暗态J-V(电流-电压)曲线的方法计算了不同效率的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的二极管性能参数。在一定范围内,CIGS薄膜电池的二极管品质因子A和反向饱和电流J0值越小,电池的转换效率越高,这说明CIGS电池的复合主要发生在PN结区内。量子效率分析表明,不同效率的CIGS电池在短波区(λ<520nm)的光谱响应相差不大,而在长波区(520～1100nm),低效率电池存在很大的吸收,这是由低质量的CIGS吸收层造成的。这进一步验证了光-暗态J-V曲线的分析结果,即高质量的吸收层是制备CIGS电池的关键。 展开更多
关键词 CU(IN GA)SE2 太阳电池 品质因子 反向饱和电流 二极管特性
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VHF-PECVD制备微晶硅薄膜及其微结构表征研究 被引量：6
8
作者 张晓丹 高艳涛 +5 位作者 赵颖 朱锋 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期475-478,共4页
采用VHFPECVD技术制备了系列不同衬底温度的硅薄膜。运用微区拉曼散射(MicroRaman)和X射线衍射(XRD)对薄膜进行了结构方面的测试分析。MicroRaman测试结果表明:随衬底温度的升高,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶化率(Xc)逐渐增大。XRD的结... 采用VHFPECVD技术制备了系列不同衬底温度的硅薄膜。运用微区拉曼散射(MicroRaman)和X射线衍射(XRD)对薄膜进行了结构方面的测试分析。MicroRaman测试结果表明:随衬底温度的升高,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶化率(Xc)逐渐增大。XRD的结果显示样品的择优取向随衬底温度的升高而变化,(220)方向计算得出样品的晶粒尺寸逐渐变大。 展开更多
关键词 甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD) 微晶硅 衬底温度
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微晶硅薄膜纵向不均匀性的Raman光谱和AFM研究 被引量：5
9
作者 张晓丹 赵颖 +7 位作者 朱锋 魏长春 吴春亚 高艳涛 孙建 侯国付 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期960-964,共5页
本文研究了采用VHF PECVD技术制备的微晶硅薄膜的纵向均匀性。喇曼测试结果显示 :微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀 ,随厚度的增加 ,材料的晶化率逐渐变大 ;不同衬底其非晶孵化点是不一样的 ,对于同一种衬底 ,绒度大相应的晶化率就... 本文研究了采用VHF PECVD技术制备的微晶硅薄膜的纵向均匀性。喇曼测试结果显示 :微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀 ,随厚度的增加 ,材料的晶化率逐渐变大 ;不同衬底其非晶孵化点是不一样的 ,对于同一种衬底 ,绒度大相应的晶化率就大 ,对应着孵化层的厚度小 ;AFM测试结果明显的给出 展开更多
关键词 衬底 微晶硅薄膜 VHF-PECVD AFM 厚度 不均匀性 显示 RAMAN光谱 晶化 测试结果
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柔性不锈钢衬底CIGS薄膜太阳电池 被引量：4
10
作者 施成营 何青 +6 位作者 张力 肖建平 敖建平 杨成晓 李微 李凤岩 孙云 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期947-950,共4页
以轻质柔性不锈钢材料为衬底,利用三步共蒸发法制备较高质量的四元化合物Cu(In,Ga)Se_2薄膜,CIGS层在Mo导电层上具有很强的附着力。利用XRD和XRF分别分析了所制备薄膜的晶相和组分。以ZnO:Al/i-ZnO/ CdS/CIGS/Mo/Stainless steel结构为... 以轻质柔性不锈钢材料为衬底,利用三步共蒸发法制备较高质量的四元化合物Cu(In,Ga)Se_2薄膜,CIGS层在Mo导电层上具有很强的附着力。利用XRD和XRF分别分析了所制备薄膜的晶相和组分。以ZnO:Al/i-ZnO/ CdS/CIGS/Mo/Stainless steel结构为基础得到最高转换效率为9.39%的柔性太阳电池。最后讨论了衬底粗糙度、有害杂质的扩散和不含有Na元素等不利因素对于电池性能的影响。 展开更多
关键词 Cu(In Ga)Se2(CIGS) 柔性 太阳电池 不锈钢
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ZnO-TCO薄膜及其在太阳电池中的应用 被引量：6
11
作者 陈新亮 薛俊明 +1 位作者 赵颖 耿新华 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期22-25,共4页
概括地阐述了ZnO透明导电薄膜(ZnO-TCO)的特性及其在薄膜太阳电池中的应用,介绍了ZnO薄膜在薄膜太阳电池中的应用背景,阐明了它在其中的作用及ZnO-TCO薄膜的主流生长方法,并给出了近年来ZnO-_ TCO薄膜的主要研究结果,最后展望了其应用... 概括地阐述了ZnO透明导电薄膜(ZnO-TCO)的特性及其在薄膜太阳电池中的应用,介绍了ZnO薄膜在薄膜太阳电池中的应用背景,阐明了它在其中的作用及ZnO-TCO薄膜的主流生长方法,并给出了近年来ZnO-_ TCO薄膜的主要研究结果,最后展望了其应用和发展趋势。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 透明导电氧化物 陷光作用 太阳电池
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Cu(In,Ga)Se2薄膜表面镓(Ga)含量分布对太阳电池性能的影响 被引量：4
12
作者 王赫 刘芳芳 +3 位作者 孙云 何青 张毅 李长健 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期52-56,共5页
本文利用三步法共蒸发制备Cu(In,Ga)Se2多晶薄膜吸收层,通过改变第三步Ga的蒸发温度控制薄膜表面Ga的含量及其分布。随着吸收层表面Ga含量的增大,空间电荷区带隙变宽,电池的开路电压Voc明显增大。同时,Ga的梯度分布有效地扩宽了吸收层... 本文利用三步法共蒸发制备Cu(In,Ga)Se2多晶薄膜吸收层,通过改变第三步Ga的蒸发温度控制薄膜表面Ga的含量及其分布。随着吸收层表面Ga含量的增大,空间电荷区带隙变宽,电池的开路电压Voc明显增大。同时,Ga的梯度分布有效地扩宽了吸收层的光谱响应范围,减小了由于禁带宽度增大所引起的短路电流Jsc的损失,从而有效地提高了电池的转换效率。 展开更多
关键词 Ga梯度分布 吸收层表面 开路电压Voc 短路电流Jsc
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MEMS显示技术 被引量：4
13
作者 耿卫东 刘会刚 商广辉 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期230-234,共5页
由于MEMS器件具有体积小、重量轻、功耗低、性能优异等特点,MEMS技术在平板显示器产业日益受到人们的重视,基于MEMS的显示技术将推动新一代平板显示器的发展。文章重点分析了比较成熟的MEMS显示技术的工作原理,包括TI公司的数字微镜技... 由于MEMS器件具有体积小、重量轻、功耗低、性能优异等特点,MEMS技术在平板显示器产业日益受到人们的重视,基于MEMS的显示技术将推动新一代平板显示器的发展。文章重点分析了比较成熟的MEMS显示技术的工作原理,包括TI公司的数字微镜技术、斯坦福大学发明的光栅光阀技术、美国Iridigm Display公司发明的干涉调制显示器。讨论了各种技术的优势和应用局限性,指出改进工艺、降低成本、开发优质的MEMS材料是MEMS显示技术发展的方向。 展开更多
关键词 数字微镜器件 光栅光阀 干涉调制显示器 微电机系统
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薄膜厚度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响 被引量：3
14
作者 陈新亮 薛俊明 +4 位作者 孙建 任慧志 张德坤 赵颖 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1313-1317,共5页
本文研究了薄膜厚度对MOCVD技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和电学特性影响。XRD和SEM的研究结果表明，随着薄膜厚度的增加，ZnO薄膜（110）峰趋于择优取向，且晶粒逐渐长大，薄膜从球状和细长棒状演变为具有类金字塔绒面结构特征的Zn... 本文研究了薄膜厚度对MOCVD技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和电学特性影响。XRD和SEM的研究结果表明，随着薄膜厚度的增加，ZnO薄膜（110）峰趋于择优取向，且晶粒逐渐长大，薄膜从球状和细长棒状演变为具有类金字塔绒面结构特征的ZnO薄膜；Hall测量表明，较厚的ZnO薄膜有助于提高薄膜电学特性，可归于晶粒长大和晶体质量提高。40min沉积时间（膜厚为1250m）制备出的ZnO薄膜具有明显绒面结构，其晶粒尺寸为300-500m，电阻率为7．9×10^-3Q·cm，迁移率为26．8cm^2／Vs。 展开更多
关键词 MOCVD ZNO薄膜 透明导电氧化物 太阳电池
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多晶Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳电池光强特性的研究 被引量：2
15
作者 刘芳芳 孙云 +4 位作者 张力 李长健 乔在祥 何青 王赫 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期576-580,共5页
本文系统研究了Cu（In,Ga）Se2（CIGS）薄膜太阳电池在入射光强为10-100 mW/cm^2范围内的性能参数。结果表明,随光强的减弱,CIGS电池的转换效率、填充因子、短路电流密度和开路电压等性能参数逐步衰减;电池参数与光强的依赖关系可明显... 本文系统研究了Cu（In,Ga）Se2（CIGS）薄膜太阳电池在入射光强为10-100 mW/cm^2范围内的性能参数。结果表明,随光强的减弱,CIGS电池的转换效率、填充因子、短路电流密度和开路电压等性能参数逐步衰减;电池参数与光强的依赖关系可明显划分为两个阶段：光强高于75 mW/cm^2时,电池性能变化不大;当光强低于70 mW/cm^2时,电池性能衰减明显。这是由于随着光强的降低,RS（串联电阻）值和RSH（并联电阻）值都在升高。其中,RSH值的增大使得CIGS电池的弱光特性变好,但较小的RSH值并不能弥补RS所导致电池性能的衰退。最后,发现高Ga含量的CIGS薄膜电池（8.7%）比低Ga含量（6.9%）的电池弱光特性好。 展开更多
关键词 CIGS薄膜 太阳电池 光强特性 弱光特性
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基于热光伏电池GaSb多晶薄膜的可控生长（英文） 被引量：2
16
作者 蔡宏琨 李涛 +3 位作者 吴限量 张德贤 倪牮 张建军 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期391-395,共5页
采用物理气相沉积(PVD)法在ITO透明导电衬底上制备GaSb多晶薄膜.研究了衬底温度及薄膜厚度对GaSb薄膜结构特性、电学特性以及光学特性的影响.在一定条件下生长的GaSb薄膜择优取向由GaSb(111)晶向转变为GaSb(220)晶向,这是在玻璃衬底上生... 采用物理气相沉积(PVD)法在ITO透明导电衬底上制备GaSb多晶薄膜.研究了衬底温度及薄膜厚度对GaSb薄膜结构特性、电学特性以及光学特性的影响.在一定条件下生长的GaSb薄膜择优取向由GaSb(111)晶向转变为GaSb(220)晶向,这是在玻璃衬底上生长GaSb薄膜没有发现的现象.择优取向改变为(220)晶向的GaSb薄膜具有更高的霍尔迁移率.因为这种薄膜材料具有更少的晶粒间界和更少的缺陷.经优化后的GaSb薄膜的光学吸收系数在104cm^(-1)以上,适用于热光伏薄膜太阳电池中. 展开更多
关键词 GaSb薄膜 择优取向 热光伏(TPV)
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直流磁控溅射法制备单一相高质量β-FeSi_2薄膜 被引量：4
17
作者 侯国付 郁操 +1 位作者 赵颖 耿新华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期861-865,共5页
报道了在单晶Si(100)衬底上,采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并经过后续气氛退火来制备β-FeSi_2薄膜的结果。主要研究了退火时间、退火温度等实验条件对样品结构特性、光学特性和电学特性的影响,制备出了单一相高质量的β-FeS... 报道了在单晶Si(100)衬底上,采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并经过后续气氛退火来制备β-FeSi_2薄膜的结果。主要研究了退火时间、退火温度等实验条件对样品结构特性、光学特性和电学特性的影响,制备出了单一相高质量的β-FeSi_2薄膜。霍尔测试表明未掺杂薄膜是P型导电的,载流子浓度5.747×10^(16)cm^(-3),空穴迁移率168cm^2/Vs。由反射-透射法得到薄膜的禁带宽度为0.879eV,吸收系数在光子能量为1.0eV时达到了1.42×10~5cm^(-1)。基于以上优异的光电性能,β-FeSi_2薄膜可望用作太阳电池的有源层。 展开更多
关键词 β-FeSi2薄膜 直流磁控溅射 Fe—Si组合靶 太阳电池
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纳米硅薄膜复合阳极的绿色微腔式OLED的研究 被引量：2
18
作者 李阳 刘星元 +3 位作者 吴春亚 孟志国 王忆 熊绍珍 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期813-817,共5页
采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的P-nc-Si∶H薄膜材料(σ=5.86S/cm、Eopt>2.0eV).通过XRD测量计算出薄膜<111>、<220>和<311>三个晶向上的晶粒大小分别为15nm、17n... 采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的P-nc-Si∶H薄膜材料(σ=5.86S/cm、Eopt>2.0eV).通过XRD测量计算出薄膜<111>、<220>和<311>三个晶向上的晶粒大小分别为15nm、17nm和21nm;通过Raman测量,计算出其晶化率为35%左右.实验中,将P型纳米硅薄膜与氧化铟锡一起构成有机电致发光器件的复合阳极,研究了他们的发光特性,结果表明:由于P-nc-Si∶H薄膜材料具有近似半反半透的光学特性,它与高反射率的阴极Al使有机电致发光器件产生了微腔效应,使其发光光谱窄化,半宽高由126nm窄化到33nm;发光光亮明显增强,最大亮度为47130cd/m2,最大发光效率为9.54383cd/A,与以ITO为阴极的无腔器件相比,提高了约127%. 展开更多
关键词 P型掺杂纳米硅薄膜 聚合物有机电致发光器件 微腔
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中频对向靶磁控溅射制备超薄ZnO薄膜及其在太阳电池中的应用 被引量：2
19
作者 李微 孙云 +3 位作者 敖建平 何青 刘芳芳 李凤岩 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期584-588,共5页
中频溅射制备ZnO薄膜可改善射频磁控溅射方式中沉积速率过慢的缺点。对于多层薄膜的制备,对向靶的设计可使样品避开等离子体直接轰击,减少基底薄膜的损伤。本文采用这项技术制备厚度约为50nm的ZnO薄膜,通过调整工作压强、溅射功率、氧... 中频溅射制备ZnO薄膜可改善射频磁控溅射方式中沉积速率过慢的缺点。对于多层薄膜的制备,对向靶的设计可使样品避开等离子体直接轰击,减少基底薄膜的损伤。本文采用这项技术制备厚度约为50nm的ZnO薄膜,通过调整工作压强、溅射功率、氧氩比等工艺条件,制备出均匀致密,结晶质量高,电阻率在102～103Ω.cm之间,可见光区透过率达到90%的ZnO薄膜。将其应用到C IGS太阳电池中发现,具有50nm厚度的ZnO层的C IGS太阳电池的性能较无ZnO层的太阳电池都有了很大提高。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 中频对向靶 CIGS太阳电池
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VHF-PECVD制备不同衬底温度微晶硅薄膜结构研究 被引量：2
20
作者 张晓丹 赵颖 +5 位作者 高艳涛 朱锋 魏长春 孙建 耿新 熊绍珍 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期920-922,共3页
　采用微区拉曼散射、傅立叶变换红外吸收和光热偏转谱对VHF PECVD制备的不同衬底温度硅薄膜进行了微结构分析.结果表明:随衬底温度的升高,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶化率(Xc)逐渐增大,样品中的氢含量逐渐降低.在200～250℃条件下制... 　采用微区拉曼散射、傅立叶变换红外吸收和光热偏转谱对VHF PECVD制备的不同衬底温度硅薄膜进行了微结构分析.结果表明:随衬底温度的升高,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶化率(Xc)逐渐增大,样品中的氢含量逐渐降低.在200～250℃条件下制备的微晶硅薄膜具有低的缺陷密度.通过优化工艺条件制备出了效率达7.1%的单结微晶硅太阳电池,电池厚度仅为1.2μm,且没有ZnO背反射电极. 展开更多
关键词 甚高频等离子体增强化学气相沉积 微晶硅 衬底温度
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