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LED作为量子效率仪中单色光的可行性研究 被引量:5
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作者 朱小峰 池梓榕 +3 位作者 胡鹏飞 欧琳 王静 王广才 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期3340-3345,共6页
随着LED技术的不断进步,已发展出多种波长的大功率LED,不用昂贵的单色仪,而采用各种波长的LED作为单色光来制造量子效率仪;也不需要旋转滤色片轮切换滤色片来避免光栅单色仪中高级次光谱的影响。LED作为单色光,可实现无机械运动、测量... 随着LED技术的不断进步,已发展出多种波长的大功率LED,不用昂贵的单色仪,而采用各种波长的LED作为单色光来制造量子效率仪;也不需要旋转滤色片轮切换滤色片来避免光栅单色仪中高级次光谱的影响。LED作为单色光,可实现无机械运动、测量速度快、故障率低的优点。多只LED焊接在PCB上形成离散型光源,无法采用常规的椭球面反射镜、透镜或凹面反射镜进行汇聚。采用高反射率反射镜片制备成锥形光导管,将离散型光源发出的光汇聚为一个小光斑,可以很好地解决离散型光源汇聚难的问题,同时实现了高的光利用率。通过测量LED的波峰值、半峰宽和稳定性,并与传统的卤素灯和氙灯为光源的传统量子效率仪进行比较,发现单色光的波峰值与量子效率的测量准确性是正相关的,波峰值越高,测量的准确性越高;半峰宽在5.1~9.5nm范围内,半峰宽对测量的准确性没有影响。采用LED、卤素灯和氙灯量子效率仪分别测试同一块太阳电池的量子效率,计算相同波段的积分电流,与世界先进的氙灯量子效率仪相比,相对偏差为0.34%,与卤素灯量子效率仪的相当,说明半峰宽在5.1~55.7nm范围内,测量准确性与半峰宽无明显的相关性;LED的不稳定度为0.4%,介于氙灯和卤素灯之间。从这几个方面来看,LED是可以作为单色光用于量子效率的测试。 展开更多
关键词 量子效率 LED光谱 LED稳定性 太阳电池
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热注入法合成PbX(X=S,Se)量子点的结构和性能研究
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作者 郑涛 侯国付 +3 位作者 丁毅 黄茜 张晓丹 赵颖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期1288-1292,共5页
采用热注入的方法在空气氛围中合成Pb X(X=S,Se)量子点,液体石蜡和磷酸三丁酯(TBP)作为不同的溶剂优化PbSe量子点的合成;使用六甲基二硅硫烷(TMS)作为硫源合成了第一激子吸收峰在900~1500 nm分布的PbS量子点。通过透射电镜(TEM... 采用热注入的方法在空气氛围中合成Pb X(X=S,Se)量子点,液体石蜡和磷酸三丁酯(TBP)作为不同的溶剂优化PbSe量子点的合成;使用六甲基二硅硫烷(TMS)作为硫源合成了第一激子吸收峰在900~1500 nm分布的PbS量子点。通过透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)和吸收光谱等测试手段对合成的物质进行成分与光学性能分析表征,对比研究了Ⅳ-Ⅵ族化合物量子点在成核过程中的差异。结果表明在相同的实验条件下PbS量子点的反应条件相对温和,量子限域效应明显;而PbSe量子点的合成对环境的要求更加严苛,反应温度更高,量子点的尺寸分布更宽。 展开更多
关键词 热注入法 PbS量子点 PbSe量子点
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钙钛矿太阳电池外量子效率模拟与优化
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作者 陈冠霖 韩灿 +7 位作者 李仁杰 张杰 陈兵兵 石标 李跃龙 黄茜 赵颖 张晓丹 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第8期1480-1486,共7页
使用拟合(FAPbI 3) 1- x (MAPbBr 3) x 钙钛矿太阳电池器件每层材料的透射、反射曲线的方式获取材料真实光学常数以进行外量子效率(External Quantum Efficiency, EQE)模拟,所得结果与实际测得EQE曲线相比误差低于1%。由此分析了器件中... 使用拟合(FAPbI 3) 1- x (MAPbBr 3) x 钙钛矿太阳电池器件每层材料的透射、反射曲线的方式获取材料真实光学常数以进行外量子效率(External Quantum Efficiency, EQE)模拟,所得结果与实际测得EQE曲线相比误差低于1%。由此分析了器件中各层薄膜材料的光学损失并针对器件中透明导电电极、电子传输层以及钙钛矿吸收层进行厚度优化,掌握了透明电极、电子传输层和钙钛矿吸收层对器件性能的影响规律。该模拟研究可有效减少实验量,为快速获得高性能器件提供了一定的指导。 展开更多
关键词 外量子效率模拟 光学损失 钙钛矿太阳电池
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温度和气压对InSb薄膜中Sb/In摩尔比的影响
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作者 欧琳 王静 +4 位作者 林兴 赵勇 惠一恒 胡鹏飞 王广才 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第7期546-552,共7页
锑化铟(InSb)作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料广泛应用于红外探测器、霍尔元件等领域。InSb薄膜中Sb/In摩尔比直接影响薄膜的电学、光学等性能。采用真空镀膜方法难以精确控制薄膜中Sb/In摩尔比。采用真空热阻共蒸发的方法制备InSb薄膜,获... 锑化铟(InSb)作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料广泛应用于红外探测器、霍尔元件等领域。InSb薄膜中Sb/In摩尔比直接影响薄膜的电学、光学等性能。采用真空镀膜方法难以精确控制薄膜中Sb/In摩尔比。采用真空热阻共蒸发的方法制备InSb薄膜,获得不同薄膜温度下InSb薄膜中Sb/In摩尔比与蒸发舟内Sb与In颗粒摩尔比之间的经验公式,真空镀膜的薄膜温度不宜超过200℃。同时,采用高压氮气保护可以有效抑制高温退火后InSb薄膜中Sb的逃逸现象。这为InSb薄膜的真空制备提供了有益的借鉴。 展开更多
关键词 INSB 摩尔比 温度 气压 真空镀膜
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