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电场增强金属Al和Ni诱导非晶硅横向结晶被引量：4: 1; 作者王光伟张建民《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期325-330,共6页; 本文分析了Al和Ni在外加电场作用下诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶的特点和机理。对影响非晶硅结晶的诸多因素,如场强、金属种类和退火条件进行了研究。简要概述了金属诱导横向结晶(MILC)相对于其它一些结晶工艺的优势及其在薄膜晶体管(T... 展开更多; 关键词金属诱导横向结晶电场增强横向诱导结晶扩散固相反应晶粒生长; 在线阅读下载PDF 职称材料

非晶硅和非晶硅锗薄膜的金属诱导结晶被引量：1: 2; 作者王光伟张建民 +1 位作者倪晓昌李莉《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期356-366,共11页; 分析了金属Ni、Al诱导非晶Si及非晶SiGe薄膜结晶的条件、特点和机理。简要介绍了金属诱导结晶相对于其它一些结晶工艺的优势及其在薄膜晶体管中的应用。概述了影响诱导结晶速率和薄膜微结构的诸多因素,如热处理条件和外加电场等。对电... 展开更多; 关键词金属诱导结晶金属诱导横向结晶固相反应扩散电场增强横向诱导结晶成核激活能晶粒生长; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体锗硅薄膜材料及相关工艺技术被引量：3: 3; 作者王光伟《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第12期881-886,891,共7页; 综述了锗硅薄膜材料的特性与应用、制备技术、固相结晶、与过渡金属的固相反应等一系列内容,探讨了提高锗硅薄膜结晶度的工艺手段和各自的优缺点,分析了锗硅薄膜与钴等过渡金属固相反应的特点及在集成电路上的应用。; 关键词锗硅薄膜材料固相结晶固相反应集成电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

外加电场对金属诱导非晶硅横向结晶的影响被引量：1: 4; 作者王光伟《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期107-112,共6页; 综述了Al和Ni在外加直流电场以及Cu在交流电场作用下诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶的特点和机理。研究了外加电场对金属诱导a-Si薄膜横向结晶的诸多影响因素,如场强及分布等。结果表明,相对于无电场时,适当强度的电场可显著加快金属诱... 展开更多; 关键词金属诱导横向结晶电场增强金属诱导横向结晶扩散固相反应晶粒生长交流电场; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiO_2衬底上PECVD-Si_(1-x)Ge_x薄膜研究(英文): 5; 作者王光伟郑宏兴 +2 位作者马兴兵张建民曹继华《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期109-114,共6页; 在覆盖SiO2的n-Si(100)衬底上,采用等离子体增强化学沉积法(PECVD)制备Si1-xGex薄膜材料。薄膜Ge含量x及元素的深度分布由俄歇电子谱(AES)测定。对Si1-xGex进行热退火处理,以考察退火温度和时间对薄膜特性的影响。薄膜的物相通过X射线衍... 展开更多; 关键词锗硅薄膜等离子体增强化学沉积热退火晶相成核与生长; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名电场增强金属Al和Ni诱导非晶硅横向结晶被引量：4: 1; 作者王光伟张建民; 机构天津工程师范大学电子工程系; 出处《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期325-330,共6页; 基金天津市高校科技发展基金项目(No.20060605); 文摘本文分析了Al和Ni在外加电场作用下诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶的特点和机理。对影响非晶硅结晶的诸多因素,如场强、金属种类和退火条件进行了研究。简要概述了金属诱导横向结晶(MILC)相对于其它一些结晶工艺的优势及其在薄膜晶体管(TFT)中的应用。指出适当强度的电场可显著加快横向诱导结晶的速率,但场强超过一临界值后,则降低该速率,并基于电迁移效应较合理地解释了该现象。; 关键词金属诱导横向结晶电场增强横向诱导结晶扩散固相反应晶粒生长; Keywords Metal-induced lateral crystallization, Electric field aided lateral crystallization, Diffusion, Solid phase reaction, Grain coarsening; 分类号 TN304.8 [电子电信—物理电子学] TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非晶硅和非晶硅锗薄膜的金属诱导结晶被引量：1: 2; 作者王光伟张建民倪晓昌李莉; 机构天津工程师范大学电子工程系; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期356-366,共11页; 基金天津市高校科技发展基金项目(No.20060605); 文摘分析了金属Ni、Al诱导非晶Si及非晶SiGe薄膜结晶的条件、特点和机理。简要介绍了金属诱导结晶相对于其它一些结晶工艺的优势及其在薄膜晶体管中的应用。概述了影响诱导结晶速率和薄膜微结构的诸多因素,如热处理条件和外加电场等。对电场增强金属诱导横向结晶的相关问题进行了探讨,指出适当强度的电场可显著加快横向诱导结晶的速率,但更强电场则会降低该速率,基于电迁移效应对该现象进行了解释。; 关键词金属诱导结晶金属诱导横向结晶固相反应扩散电场增强横向诱导结晶成核激活能晶粒生长; Keywords metal-induced crystallization metal-induced lateral crystallization solid phase reaction diffusion electric field aided lateral crystallization nucleation activation energy grain coarsening; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学] TN304.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体锗硅薄膜材料及相关工艺技术被引量：3: 3; 作者王光伟; 机构天津工程师范大学电子工程系; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第12期881-886,891,共7页; 基金天津市高校科技发展基金资助项目(JW20051201); 文摘综述了锗硅薄膜材料的特性与应用、制备技术、固相结晶、与过渡金属的固相反应等一系列内容,探讨了提高锗硅薄膜结晶度的工艺手段和各自的优缺点,分析了锗硅薄膜与钴等过渡金属固相反应的特点及在集成电路上的应用。; 关键词锗硅薄膜材料固相结晶固相反应集成电路; Keywords SiGe thin film materials solid-phase crystallization solid state reaction IC; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名外加电场对金属诱导非晶硅横向结晶的影响被引量：1: 4; 作者王光伟; 机构天津工程师范大学电子工程系; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期107-112,共6页; 基金天津市高校科技发展基金项目(20060605); 文摘综述了Al和Ni在外加直流电场以及Cu在交流电场作用下诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶的特点和机理。研究了外加电场对金属诱导a-Si薄膜横向结晶的诸多影响因素,如场强及分布等。结果表明,相对于无电场时,适当强度的电场可显著加快金属诱导横向结晶的速率,场强超过某一临界值则降低该速率,并基于电迁移效应作了较好的解释。对Cu诱导a-Si薄膜横向结晶,在同样条件下,直交流混合电场比单纯的直流电场能引发更高的结晶速率。; 关键词金属诱导横向结晶电场增强金属诱导横向结晶扩散固相反应晶粒生长交流电场; Keywords metal-induced lateral crystallization （MILC） electric field aided lateral crystallization （FALC） diffusion solid phase reaction grain coarsening alternating electric field; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学] TN304.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiO_2衬底上PECVD-Si_(1-x)Ge_x薄膜研究(英文): 5; 作者王光伟郑宏兴马兴兵张建民曹继华; 机构天津工程师范大学电子工程系; 出处《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期109-114,共6页; 基金 Sponsored by National Natural Science Foundation of China(No.60671009) Tianjin Committee of education(No.20060605); 文摘在覆盖SiO2的n-Si(100)衬底上,采用等离子体增强化学沉积法(PECVD)制备Si1-xGex薄膜材料。薄膜Ge含量x及元素的深度分布由俄歇电子谱(AES)测定。对Si1-xGex进行热退火处理,以考察退火温度和时间对薄膜特性的影响。薄膜的物相通过X射线衍射(XRD)确定。基于XRD图谱,利用Scherer公式计算平均晶粒大小。Si1-xGex薄膜载流子霍尔迁移率由霍尔效应法测定。数值拟合得到霍尔迁移率与平均晶粒尺寸为近线性关系,从而得出PECVD-Si1-xGex薄膜的电输运特性基本符合Seto模型的结论。; 关键词锗硅薄膜等离子体增强化学沉积热退火晶相成核与生长; Keywords silicon-germanium thin film PECVD furnace annealing crystal nucleationand growth; 分类号 O484.4 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	电场增强金属Al和Ni诱导非晶硅横向结晶	王光伟张建民	《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	非晶硅和非晶硅锗薄膜的金属诱导结晶	王光伟张建民倪晓昌李莉	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	半导体锗硅薄膜材料及相关工艺技术	王光伟	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2006	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	外加电场对金属诱导非晶硅横向结晶的影响	王光伟	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	SiO_2衬底上PECVD-Si_(1-x)Ge_x薄膜研究(英文)	王光伟郑宏兴马兴兵张建民曹继华	《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料