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共振隧穿二极管的材料结构设计——共振隧穿器件讲座(5)
被引量：
3
1
作者
郭维廉
《微纳电子技术》
CAS
2006年第8期361-365,392,共6页
在系统细致分析RTD材料结构参数与器件特性参数关系的基础上,确立了RTD材料结构的设计原则和设计方法,并对以SI-GaAs为衬底的RTD分子束外延(MBE)材料生长结构进行了设计。所研制出的RTD参数实测结果证实了此设计方法是正确的。
关键词
共振隧穿二极管
材料结构设计
分子束外延
在线阅读
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职称材料
RTD的器件结构及制造工艺——共振隧穿器件讲座(6)
被引量：
1
2
作者
郭维廉
《微纳电子技术》
CAS
2006年第8期366-371,392,共7页
介绍RTD器件几种主要器件结构及每种器件结构的优、缺点和应用前景,并介绍了RTD通用制造工艺和工艺中的关键问题。
关键词
器件结构
制造工艺
台面和平面结构
混合集成
空气桥
共振隧穿器件
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职称材料
题名
共振隧穿二极管的材料结构设计——共振隧穿器件讲座(5)
被引量：
3
1
作者
郭维廉
机构
天津工业大学信息与通讯工程学院
出处
《微纳电子技术》
CAS
2006年第8期361-365,392,共6页
文摘
在系统细致分析RTD材料结构参数与器件特性参数关系的基础上,确立了RTD材料结构的设计原则和设计方法,并对以SI-GaAs为衬底的RTD分子束外延(MBE)材料生长结构进行了设计。所研制出的RTD参数实测结果证实了此设计方法是正确的。
关键词
共振隧穿二极管
材料结构设计
分子束外延
Keywords
resonant tunneling diode （RTD）
design on material structure
MBE
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
RTD的器件结构及制造工艺——共振隧穿器件讲座(6)
被引量：
1
2
作者
郭维廉
机构
天津工业大学信息与通讯工程学院
出处
《微纳电子技术》
CAS
2006年第8期366-371,392,共7页
文摘
介绍RTD器件几种主要器件结构及每种器件结构的优、缺点和应用前景,并介绍了RTD通用制造工艺和工艺中的关键问题。
关键词
器件结构
制造工艺
台面和平面结构
混合集成
空气桥
共振隧穿器件
Keywords
device structure
fabrication
mesa and planar structure
hybrid integration
air bridge
RTD
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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1
共振隧穿二极管的材料结构设计——共振隧穿器件讲座(5)
郭维廉
《微纳电子技术》
CAS
2006
3
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职称材料
2
RTD的器件结构及制造工艺——共振隧穿器件讲座(6)
郭维廉
《微纳电子技术》
CAS
2006
1
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职称材料
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