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平面型RTD制作过程中的两个关键工艺
被引量：
1
1
作者
陈乃金
郭维廉
+4 位作者
牛萍娟
王伟
于欣
张世林
梁惠来
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期328-332,共5页
采用n+GaAs衬底和自对准B离子注入技术制作了平面型共振隧穿二极管,深入讨论其制作过程中几个关键问题,包括离子注入能量与剂量的选择、RTD负阻区表观正阻现象等,并系统地研究了快速合金工艺温度和时间对于制作良好欧姆接触和消除负阻...
采用n+GaAs衬底和自对准B离子注入技术制作了平面型共振隧穿二极管,深入讨论其制作过程中几个关键问题,包括离子注入能量与剂量的选择、RTD负阻区表观正阻现象等,并系统地研究了快速合金工艺温度和时间对于制作良好欧姆接触和消除负阻区表观正阻的影响。结果表明对于所选材料,离子注入能量为130keV,剂量为4×1013/cm2,退火温度为380℃持续60s可得到特性较好的PRTD器件,该器件的制作为RTD的应用打下良好基础。
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关键词
平面型共振隧穿二极管
负阻区表观正阻
离子注入
快速合金
欧姆接触
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职称材料
RTD振荡特性的模拟与研究
2
作者
王伟
牛萍娟
+3 位作者
郭维廉
于欣
杨广华
李晓云
《高技术通讯》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第9期938-942,共5页
为解决共振隧穿二极管(RTD)振荡功率的提高受到稳定性限制的问题,利用高级设计系统(ADS)电路仿真,研究了 RTD 分别与 RLC(电阻、电容、电感)、HEMT(高电子迁移率晶体管)及 HBT(异质结双极晶体管)构成的大信号振荡电路,分析了其负阻、双...
为解决共振隧穿二极管(RTD)振荡功率的提高受到稳定性限制的问题,利用高级设计系统(ADS)电路仿真,研究了 RTD 分别与 RLC(电阻、电容、电感)、HEMT(高电子迁移率晶体管)及 HBT(异质结双极晶体管)构成的大信号振荡电路,分析了其负阻、双稳特性产生振荡的机理,探索了 RTD 的连接器件对 RTD 特性的调制作用。研究表明,振荡电压(或电流)的峰值与谷值之差越大,输出电压(或电流)的振荡幅度就越大,且比单纯增大RTD 结面积来增大输出功率的做法有更好的稳定性,据此有望解决功率受限的问题;RTD连接的器件对 RTD 特性的调制作用与连接方式有关,通过改变连接方式可以扩大 RTD 在射频收发系统中的应用。
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关键词
共振隧穿二极管(RTD)
振荡器
高级设计系统(ADS)
双稳特性
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职称材料
题名
平面型RTD制作过程中的两个关键工艺
被引量：
1
1
作者
陈乃金
郭维廉
牛萍娟
王伟
于欣
张世林
梁惠来
机构
安徽工程科技
学院
计算机科学与工程系
天津工业大学信息与通讯学院
天津
大学
电子
信息
工程
学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期328-332,共5页
基金
安徽省教育厅自然科学资金资助项目(KJ2007B247)
安徽省高等学校青年教师科研资助计划自然科学基金(2007jq1086)
安徽工程科技学院青年教师科研自然科学基金(2005YQ007)
文摘
采用n+GaAs衬底和自对准B离子注入技术制作了平面型共振隧穿二极管,深入讨论其制作过程中几个关键问题,包括离子注入能量与剂量的选择、RTD负阻区表观正阻现象等,并系统地研究了快速合金工艺温度和时间对于制作良好欧姆接触和消除负阻区表观正阻的影响。结果表明对于所选材料,离子注入能量为130keV,剂量为4×1013/cm2,退火温度为380℃持续60s可得到特性较好的PRTD器件,该器件的制作为RTD的应用打下良好基础。
关键词
平面型共振隧穿二极管
负阻区表观正阻
离子注入
快速合金
欧姆接触
Keywords
PRTD
apparent positive resistance in negative resistance region
ion implantation
rapid alloying
ohmic contact
分类号
TN313.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
RTD振荡特性的模拟与研究
2
作者
王伟
牛萍娟
郭维廉
于欣
杨广华
李晓云
机构
天津工业大学信息与通讯学院
天津
大学
电子
信息
工程
学院
出处
《高技术通讯》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第9期938-942,共5页
基金
国家自然科学基金(60536030)资助项目
文摘
为解决共振隧穿二极管(RTD)振荡功率的提高受到稳定性限制的问题,利用高级设计系统(ADS)电路仿真,研究了 RTD 分别与 RLC(电阻、电容、电感)、HEMT(高电子迁移率晶体管)及 HBT(异质结双极晶体管)构成的大信号振荡电路,分析了其负阻、双稳特性产生振荡的机理,探索了 RTD 的连接器件对 RTD 特性的调制作用。研究表明,振荡电压(或电流)的峰值与谷值之差越大,输出电压(或电流)的振荡幅度就越大,且比单纯增大RTD 结面积来增大输出功率的做法有更好的稳定性,据此有望解决功率受限的问题;RTD连接的器件对 RTD 特性的调制作用与连接方式有关,通过改变连接方式可以扩大 RTD 在射频收发系统中的应用。
关键词
共振隧穿二极管(RTD)
振荡器
高级设计系统(ADS)
双稳特性
Keywords
resonant tunneling diode （RTD）, oscillator, advanced design system （ADS）, bistability
分类号
TN311 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
平面型RTD制作过程中的两个关键工艺
陈乃金
郭维廉
牛萍娟
王伟
于欣
张世林
梁惠来
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
RTD振荡特性的模拟与研究
王伟
牛萍娟
郭维廉
于欣
杨广华
李晓云
《高技术通讯》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
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职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
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