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双模糊PID柱温箱系统研究 被引量:3
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作者 田里 张波 《电子测量技术》 2006年第5期197-198,共2页
为了提高色谱柱温箱的温度控制精度,改善温度飞升曲线,通过对现有温度控制系统及方法的研究,结合模糊控制理论及相应方法,提出了双模糊控制理论,并应用于传统PID温度控制系统内;利用两级模糊控制规则,即大范围模糊控制和模糊自适应整定... 为了提高色谱柱温箱的温度控制精度,改善温度飞升曲线,通过对现有温度控制系统及方法的研究,结合模糊控制理论及相应方法,提出了双模糊控制理论,并应用于传统PID温度控制系统内;利用两级模糊控制规则,即大范围模糊控制和模糊自适应整定PID控制,大幅度改善了控制器的动、静态性能,降低了温控调节过程中的波动,减少了加热的收敛时间,提高了柱温箱的响应速度和温度精度。 展开更多
关键词 双模糊PID系统 大范围模糊控制 模糊自适应整定PID控制
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(Na_(1/2)Bi_(1/2))TiO_3-SrTiO_3无铅压电陶瓷的介电、压电性能 被引量:23
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作者 吴裕功 马晋毅 +2 位作者 董向红 邢磊 谢道华 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2000年第6期370-372,共3页
研究了 (Na1 / 2 Bi1 / 2 ) Ti O3- Sr Ti O3二元系无铅压电陶瓷的介电、压电性性。Sr2 +的引入对 NBT材料的常温介电系数、铁电相与反铁电相转变温度 TF A(180°C)以及居里温度 TC(30 0°C)的影响都不大 ,但却较大幅度地降低了... 研究了 (Na1 / 2 Bi1 / 2 ) Ti O3- Sr Ti O3二元系无铅压电陶瓷的介电、压电性性。Sr2 +的引入对 NBT材料的常温介电系数、铁电相与反铁电相转变温度 TF A(180°C)以及居里温度 TC(30 0°C)的影响都不大 ,但却较大幅度地降低了 NBT材料的高矫顽场 ,从而使极化相对容易。(Na1 / 2 Bi1 / 2 ) Ti O3- Sr Ti O3二元系的压电性能参数 d33和 kt分别达到 10 0 p C/N和 0 . 展开更多
关键词 压电陶瓷 钛酸铋钠 介电性能 压电性能
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A位非等配比对(NaBi)_(0.5(1-x)(Ba) _x TiO_3 性能的影响 被引量:7
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作者 马晋毅 谢道华 +1 位作者 吴裕功 胡明 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第3期224-226,共3页
研究了A位非等配比——过量Bi3+(Bi3+:Na1+>1:1)对(NaBi)0.5(1-x)(Ba)xTiO3材料的介电、压电性能的影响。随着引入的过量Bi3+的增加,材料的介电常数和损耗均呈先下降后增大的现象。当Bi3+∶Na+=52∶48时,(NaBi)0.5(1-x)(Ba)xTiO3复... 研究了A位非等配比——过量Bi3+(Bi3+:Na1+>1:1)对(NaBi)0.5(1-x)(Ba)xTiO3材料的介电、压电性能的影响。随着引入的过量Bi3+的增加,材料的介电常数和损耗均呈先下降后增大的现象。当Bi3+∶Na+=52∶48时,(NaBi)0.5(1-x)(Ba)xTiO3复合材料的d33、kt值都达到最大值。 展开更多
关键词 无铅 压电陶瓷 钛酸铋钠 A位非等配比 介电常数 介电损耗
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NBT-NaNbO_3-BaTiO_3无铅压电材料的研究 被引量:7
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作者 马晋毅 谢道华 +1 位作者 吴裕功 胡明 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第4期303-304,307,共3页
主要研究了(NaBi)0.5TiO3-NaNbO3-BaTiO3三元系无铅压电材料的介电、压电性能。随着第三种材料BaTiO3引入量的增加,三元系材料的介电常数和损耗均出现增大的现象。当n(Ba2+)=0.02mol时,三元系材料的压电常数d33、机电耦合系数kt值都达... 主要研究了(NaBi)0.5TiO3-NaNbO3-BaTiO3三元系无铅压电材料的介电、压电性能。随着第三种材料BaTiO3引入量的增加,三元系材料的介电常数和损耗均出现增大的现象。当n(Ba2+)=0.02mol时,三元系材料的压电常数d33、机电耦合系数kt值都达到最大值100pC/N和0.41。 展开更多
关键词 无铅 压电陶瓷 钛酸铋钠
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NBT基无铅压电陶瓷滤波器 被引量:6
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作者 马晋毅 谢道华 +1 位作者 刘光聪 林廷芬 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第5期373-375,共3页
主要研究了用改性的(NaBi)_(0.5) TiO_3(NBT)基无铅压电材料制作的压电陶瓷滤波器。在研究过程中出现很多不同于以往的情况,这些一方面是由于NBT基材料与传统PZT基材料的介电性能有较大差异造成的,另一方面说明NBT基材料的压电性能较PZ... 主要研究了用改性的(NaBi)_(0.5) TiO_3(NBT)基无铅压电材料制作的压电陶瓷滤波器。在研究过程中出现很多不同于以往的情况,这些一方面是由于NBT基材料与传统PZT基材料的介电性能有较大差异造成的,另一方面说明NBT基材料的压电性能较PZT基材料还有进一步提高的必要。 展开更多
关键词 无铅 压电陶瓷 NBT(钛酸铋钠) 滤波器
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光电双向负阻晶体管的数值模拟与实验研究
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作者 莫太山 张世林 +3 位作者 郭维廉 梁惠来 毛陆虹 郑云光 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期1260-1263,共4页
光电双向负阻晶体管 (PBNRT)是一种新型S型光电负阻器件 .本文对它的光电负阻特性进行了数值模拟和实验研究 ,给出了器件等效电路 .PBNRT在光电混合工作模式下具有光控电流开关效应 ,可通过光照和控制电压两种控制方式改变器件的S型负... 光电双向负阻晶体管 (PBNRT)是一种新型S型光电负阻器件 .本文对它的光电负阻特性进行了数值模拟和实验研究 ,给出了器件等效电路 .PBNRT在光电混合工作模式下具有光控电流开关效应 ,可通过光照和控制电压两种控制方式改变器件的S型负阻特性 .模拟和实验结果均表明 :光照强度增大 ,维持电压基本保持不变 ,转折电压减小 ,负阻电压摆幅减小 ;而增大控制电压 ,维持电压和转折电压均增大 ,输出负阻特性曲线右移 .上述特点使得PBNRT可望在光电开关、光控振荡和光电探测等方面有很好的应用前景 . 展开更多
关键词 光电双向负阻晶体管 S型光电负阻 光控电流开关 数值模拟
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