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用于制备硅LED的太阳能电池技术
1
作者
杨广华
毛陆虹
+1 位作者
张彬
郭维廉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第10期829-832,共4页
集成电路工艺发展使得芯片内部的互连成为芯片延时的主要问题。制备出高光效的硅LED已经成为OEIC发展的瓶颈。硅是间接带隙半导体,而且载流子寿命较长。所以使用硅材料制备发光器件是长久以来特别引人关注而又较难解决的问题。采取降低...
集成电路工艺发展使得芯片内部的互连成为芯片延时的主要问题。制备出高光效的硅LED已经成为OEIC发展的瓶颈。硅是间接带隙半导体,而且载流子寿命较长。所以使用硅材料制备发光器件是长久以来特别引人关注而又较难解决的问题。采取降低非辐射复合速率,增加辐射复合的机会可以实现硅LED的发光。介绍了用于制备硅LED的太阳能电池技术原理和主要方法,以及采用这一原理实现PERL硅电池和区熔硅衬底非晶硅电池用于制备LED的技术。
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关键词
光电子集成电路
硅光发射器件
太阳能电池
钝化发射极、背面点扩散
非晶硅
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职称材料
单电子晶体管及其工艺制作技术
2
作者
郭辉
郭维廉
+1 位作者
张世林
梁惠来
《微纳电子技术》
CAS
2002年第4期11-18,共8页
基于库仑阻塞效应和量子尺寸效应工作的单电子晶体管(SET)由于具有超小器件尺寸、超低功耗、超低工作电流和超高工作频率等特点,受到人们的重视和深入研究。本文通过简要介绍SET的器件结构、原理和特性,分析了实现SET的关键因素,回顾和...
基于库仑阻塞效应和量子尺寸效应工作的单电子晶体管(SET)由于具有超小器件尺寸、超低功耗、超低工作电流和超高工作频率等特点,受到人们的重视和深入研究。本文通过简要介绍SET的器件结构、原理和特性,分析了实现SET的关键因素,回顾和评述了SET制作技术的进展及前景。
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关键词
库仑阻塞
单电子晶体管
工艺制作技术
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职称材料
题名
用于制备硅LED的太阳能电池技术
1
作者
杨广华
毛陆虹
张彬
郭维廉
机构
天津大学电信工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第10期829-832,共4页
基金
国家自然科学基金资助课题(60536030
60676038)
天津市基础研究重点项目(06YFJZJC00200)
文摘
集成电路工艺发展使得芯片内部的互连成为芯片延时的主要问题。制备出高光效的硅LED已经成为OEIC发展的瓶颈。硅是间接带隙半导体,而且载流子寿命较长。所以使用硅材料制备发光器件是长久以来特别引人关注而又较难解决的问题。采取降低非辐射复合速率,增加辐射复合的机会可以实现硅LED的发光。介绍了用于制备硅LED的太阳能电池技术原理和主要方法,以及采用这一原理实现PERL硅电池和区熔硅衬底非晶硅电池用于制备LED的技术。
关键词
光电子集成电路
硅光发射器件
太阳能电池
钝化发射极、背面点扩散
非晶硅
Keywords
OEIC
Si LED
solar cell
PERL
a-Si：H
分类号
TN256 [电子电信—物理电子学]
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
单电子晶体管及其工艺制作技术
2
作者
郭辉
郭维廉
张世林
梁惠来
机构
天津大学电信工程学院
微电子系
出处
《微纳电子技术》
CAS
2002年第4期11-18,共8页
文摘
基于库仑阻塞效应和量子尺寸效应工作的单电子晶体管(SET)由于具有超小器件尺寸、超低功耗、超低工作电流和超高工作频率等特点,受到人们的重视和深入研究。本文通过简要介绍SET的器件结构、原理和特性,分析了实现SET的关键因素,回顾和评述了SET制作技术的进展及前景。
关键词
库仑阻塞
单电子晶体管
工艺制作技术
Keywords
coulumb blockade
tunneling junction
single-electron transistor
MBE
STM
EBL
分类号
TN321 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
用于制备硅LED的太阳能电池技术
杨广华
毛陆虹
张彬
郭维廉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
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职称材料
2
单电子晶体管及其工艺制作技术
郭辉
郭维廉
张世林
梁惠来
《微纳电子技术》
CAS
2002
0
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职称材料
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参考文献
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