低压化学气相沉积法生长的 B 掺杂 ZnO 薄膜具有良好的光散射特性，可以用作硅基薄膜太阳能电池的前电极.以 Zn （C2 H 5）2和 H 2 O 为前驱体， B2 H 6为掺杂物，通过低压化学气相沉积法在玻璃衬底上生长了 B 掺杂 ZnO 薄膜.通过 XRD、...低压化学气相沉积法生长的 B 掺杂 ZnO 薄膜具有良好的光散射特性，可以用作硅基薄膜太阳能电池的前电极.以 Zn （C2 H 5）2和 H 2 O 为前驱体， B2 H 6为掺杂物，通过低压化学气相沉积法在玻璃衬底上生长了 B 掺杂 ZnO 薄膜.通过 XRD、FESEM、四探针测试仪等手段对样品的结构特征、微观形貌及导电性能进行表征，着重研究了（110）取向的 BZO 薄膜的生长机理.结果表明，厚度在500 nm 以下的 BZO 薄膜主要表现为（002）取向，随着厚度的增加，薄膜取向开始向（110）转变.所得 BZO 镀膜玻璃在400-1000 nm范围内总透过率＞80％，雾度最高可达28％（550 nm），方块电阻最低约7Ω/□，电阻率最低约1．0×10^-3Ω·cm.展开更多
