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超宽禁带半导体氧化镓材料的专利分析
1
作者
崔颜军
闫春光
+4 位作者
宁平凡
牛萍娟
李明佳
孟宇陆
李雄杰
《河南科技》
2024年第10期134-138,共5页
【目的】氧化镓是一种超宽禁带半导体,具有耐高压、耐高温、功率大、抗辐照等特性,极有可能在未来成为高功率、大电压应用领域的主导者,在全球科研与产业界引起了广泛重视。从专利角度对氧化镓材料进行分析,为相关产业的发展和专利布局...
【目的】氧化镓是一种超宽禁带半导体,具有耐高压、耐高温、功率大、抗辐照等特性,极有可能在未来成为高功率、大电压应用领域的主导者,在全球科研与产业界引起了广泛重视。从专利角度对氧化镓材料进行分析,为相关产业的发展和专利布局提供参考。【方法】基于全球相关专利数据,从专利申请趋势、专利权人排名、技术来源国、技术领域IPC分类等维度对氧化镓材料进行分析。【结结果果】揭示了氧化镓在不同国家/地区的竞争态势、技术实力及我国与国际先进水平的差距。【结论】氧化镓材料的研究主要集中在半导体器件及晶体生长方面,国内相关研究起步晚,但发展迅速。
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关键词
超宽禁带半导体
专利分析
氧化镓
技术发展
晶体生长
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职称材料
题名
超宽禁带半导体氧化镓材料的专利分析
1
作者
崔颜军
闫春光
宁平凡
牛萍娟
李明佳
孟宇陆
李雄杰
机构
天津
工业大学电子与信息工程学院
大功率半导体照明应用系统教育部工程研究中心
天津光电星球科技发展有限公司
出处
《河南科技》
2024年第10期134-138,共5页
基金
“天津国家半导体照明工程高新技术产业化基地知识产权信息服务平台”(16ZXFWGX00110)。
文摘
【目的】氧化镓是一种超宽禁带半导体,具有耐高压、耐高温、功率大、抗辐照等特性,极有可能在未来成为高功率、大电压应用领域的主导者,在全球科研与产业界引起了广泛重视。从专利角度对氧化镓材料进行分析,为相关产业的发展和专利布局提供参考。【方法】基于全球相关专利数据,从专利申请趋势、专利权人排名、技术来源国、技术领域IPC分类等维度对氧化镓材料进行分析。【结结果果】揭示了氧化镓在不同国家/地区的竞争态势、技术实力及我国与国际先进水平的差距。【结论】氧化镓材料的研究主要集中在半导体器件及晶体生长方面,国内相关研究起步晚,但发展迅速。
关键词
超宽禁带半导体
专利分析
氧化镓
技术发展
晶体生长
Keywords
ultra-wide bandgap semiconductor
patent analysis
gallium oxide
technology development trend
crystal growth
分类号
G306 [文化科学]
TN304 [电子电信—物理电子学]
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1
超宽禁带半导体氧化镓材料的专利分析
崔颜军
闫春光
宁平凡
牛萍娟
李明佳
孟宇陆
李雄杰
《河南科技》
2024
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