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题名LQFP和eLQFP热机械可靠性的有限元分析
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作者
夏国峰
秦飞
朱文辉
马晓波
高察
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机构
天水华天科技股份有限公司封装技术研究院
北京工业大学机械工程与应用电子技术学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第7期552-557,共6页
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基金
国家科技重大专项(2011ZX02606-005)
北京市教委科技创新平台项目(PXM2012_014204_00_000169)
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文摘
封装形式的差异性对产品可靠性具有重要影响。基于有限元法,对比分析了薄型四方扁平封装(LQFP)和载体外露薄型四方扁平封装(eLQFP)在室温和回流焊温度下的翘曲、芯片和粘片胶的应力水平以及各材料界面应力分布。研究表明,LQFP的翘曲比eLQFP的大,但芯片和粘片胶上的最大应力无明显差别;eLQFP在塑封材料与芯片有源面界面的应力水平比LQFP的大;eLQFP在芯片与粘片胶界面、粘片胶与芯片载体界面的剪切应力比LQFP的大,但eLQFP在芯片与粘片胶界面、粘片胶与芯片载体界面的剥离应力比LQFP的小;eLQFP在塑封材料与芯片载体镀银区界面的应力水平高于LQFP的应力水平,由于塑封材料与镀银芯片载体的结合强度弱,eLQFP更易发生界面分层。
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关键词
薄型四方扁平封装
载体外露薄型四方扁平封装
有限元法
封装可靠性
界面分层
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Keywords
low-profile quad fiat package （LQFP）
exposed-pad low-profile quad flat package（eLQFP）
finite element method
package reliability
interfacial delamination
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分类号
TN305.94
[电子电信—物理电子学]
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题名TSV结构热机械可靠性研究综述
被引量：23
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作者
秦飞
王珺
万里兮
于大全
曹立强
朱文辉
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机构
北京工业大学机械工程与应用电子技术学院
复旦大学材料学院
r国科学院微电子研究所
天水华天科技股份有限公司封装技术研究院
昆山西钛微电子科技有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第11期825-831,共7页
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基金
国家自然科学基金项目(11272018)
中国TSV技术攻关联合体第1期课题
北京市教委科技创新平台项目(PXM2012_014204_00_000169)
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文摘
硅通孔(TSV)结构是三维电路集成和器件封装的关键结构单元。TSV结构是由电镀铜填充的Cu-Si复合结构,该结构具有Cu/Ta/SiO2/Si多层界面,而且界面具有一定工艺粗糙度。TSV结构中,由于Cu和Si的热膨胀系数相差6倍,致使TSV器件热应力水平较高,引发严重的热机械可靠性问题。这些可靠性问题严重影响TSV技术的发展和应用,也制约了基于TSV技术封装产品的市场化进程。针对TSV结构的热机械可靠性问题,综述了国内外研究进展,提出了亟需解决的若干问题:电镀填充及退火工艺过程残余应力测量、TSV界面完整性的量化评价方法、热载荷和电流作用下TSV-Cu的胀出变形计算模型问题等。
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关键词
硅通孔
可靠性
热失配
应力
界面完整性
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Keywords
through silicon via（TSV）
reliability
thermal mismatch
stress
interfacial integrity
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分类号
TN406
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名集成电路封装芯片弹坑问题浅探
被引量：2
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作者
周金成
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机构
天水华天科技股份有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期410-413,共4页
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文摘
论述了集成电路封装过程中因芯片铝垫出现弹坑造成的危害,分析和总结出了造成芯片弹坑问题的主要原因,通过从工艺、设备、制具、材料、方法等综合考虑,提出了预防芯片表面产生弹坑的方法和对策。根据长期实践跟踪的结果,这些方法的应用能够对预防和改善弹坑的发生起到很好的效果,为集成电路设计及封装过程如何预防弹坑问题提供了参考。伴随集成电路芯片小型化、多功能化和铜线工艺、植球工艺等封装技术的广泛应用,通过各级人士在集成电路的设计、封装材料的优化、制程工艺的优化等各方面共同努力,弹坑问题会得到更好的预防和解决。
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关键词
芯片弹坑
压焊设备
工艺参数
铝层厚度
推球强度
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Keywords
chip crater
wire-bonding equipment
bonding parameters
thickness of aluminum
ball shear strength
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分类号
TN406
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名直面中国IC产业投资热
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作者
谢恩桓
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机构
天水华天科技股份有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期16-18,共3页
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关键词
中国
IC产业
投资
发展战略
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分类号
F426.63
[经济管理—产业经济]
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题名铜基引线框架氧化的产物、机理及控制措施
被引量：2
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作者
徐冬梅
刘殿龙
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机构
天水华天微电子股份有限公司
天水华天科技股份有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第12期969-973,共5页
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文摘
铜基引线框架氧化时先后分别生成Cu2O和CuO,形成结构为CuO/Cu2O/Cu的氧化产物。通过称重法估算氧化膜的厚度,通过电桥法测量电阻值评估引线框架的氧化程度。在引线框架的氧化初期,氧化速率由化学反应速率控制;在氧化中期,氧化速率由化学反应速率和扩散速率共同控制;在氧化后期,氧化速率由扩散速率控制。其中扩散过程包括Cu离子的向外扩散和氧原子的向内扩散。为了控制铜基引线框架的氧化,一方面可以优化封装工艺参数,降低封装过程对框架的氧化;另一方面,可以提高铜合金冶金技术,提高铜合金材料本身的抗氧化能力。
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关键词
引线框架
氧化
铜合金
可靠性
稀土元素
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Keywords
lead frame
oxidation
copper alloy
reliability
rare earth element
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分类号
TN406
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名LBGA336P封装材料对其热性能的影响
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作者
徐冬梅
谌世广
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机构
天水华天电子集团
天水华天科技股份有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期148-152,共5页
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文摘
随着科技的不断发展,电子设备变得更加高效、稳定、集成度更高,热性能对封装电子产品的可靠性影响越来越大。据统计,约55%的电子设备的失效是由高温引起的,器件的工作温度平均每提高10℃,设备失效的可能性将提高1倍。通过对一款采用低截面球栅阵列封装形式(LBGA)的微处理器封装产品(LBGA336P)进行有限元分析,得出粘片胶热导率、粘片胶厚度、环氧树脂塑封料热导率及印刷线路板(PCB)顶层铜含量的变化与封装热阻之间的影响关系。通过分析LBGA336P各部分材料参数变化对封装热性能的影响,为封装热阻的仿真分析及电子元器件散热优化提供参考思路。
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关键词
微处理器
低截面球栅阵列
热导率
热阻
封装材料
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Keywords
micro processor unit
low profile ball grid array （LBGA）
thermal conductivity
thermal resistance
packaging material
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分类号
TN305.94
[电子电信—物理电子学]
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