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题名关于塑封VDMOS器件热点的研究
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作者
柴彦科
蒲年年
谭稀
徐冬梅
崔卫兵
刘肃
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机构
兰州大学微电子研究所
天水华天电子集团
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出处
《现代电子技术》
2014年第17期113-116,共4页
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基金
甘肃省重大科技专项(1203GKDE008)
甘肃省科技支撑计划-工业类项目(1204GKCA062)
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文摘
功率VDMOS器件作为新一代高压大电流功率器件兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点,广泛应用于各个领域。由于功率VDMOS的工作条件恶劣,在高温大电压的应用环境下失效概率较大。在所有的失效机制中,很大一部分是由于器件无法承受瞬间高压脉冲,致使器件芯片烧坏失效。表现出的是在芯片某处产生一明显的烧穿点即所谓的"热点"。这里主要介绍了塑封VDMOS器件进行单雪崩能量测试过程和实际应用中不良品产生热点的原因,从二次击穿的角度对其进行理论解释并提出一些改进措施。
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关键词
功率晶体管
单雪崩能量测试
热点
失效分析
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Keywords
power transistor
EAS test
hot spot
failure analysis
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分类号
TN710-34
[电子电信—电路与系统]
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题名LBGA336P封装材料对其热性能的影响
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作者
徐冬梅
谌世广
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机构
天水华天电子集团
天水华天科技股份有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期148-152,共5页
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文摘
随着科技的不断发展,电子设备变得更加高效、稳定、集成度更高,热性能对封装电子产品的可靠性影响越来越大。据统计,约55%的电子设备的失效是由高温引起的,器件的工作温度平均每提高10℃,设备失效的可能性将提高1倍。通过对一款采用低截面球栅阵列封装形式(LBGA)的微处理器封装产品(LBGA336P)进行有限元分析,得出粘片胶热导率、粘片胶厚度、环氧树脂塑封料热导率及印刷线路板(PCB)顶层铜含量的变化与封装热阻之间的影响关系。通过分析LBGA336P各部分材料参数变化对封装热性能的影响,为封装热阻的仿真分析及电子元器件散热优化提供参考思路。
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关键词
微处理器
低截面球栅阵列
热导率
热阻
封装材料
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Keywords
micro processor unit
low profile ball grid array （LBGA）
thermal conductivity
thermal resistance
packaging material
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分类号
TN305.94
[电子电信—物理电子学]
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