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超越BGA封装技术
被引量:
2
1
作者
杨建生
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第9期52-54,共3页
简要介绍了芯片级封装技术诸如芯片规模封装(CSP)、微型SMT封装(MSMT)、迷你型球栅阵列封装(miniBGA)、超级型球栅阵列封装(SuperBGA)和mBGA封装。
关键词
BGA封装技术
芯片级封装技术
芯片规模封装
微型SMT封装
球栅阵列封装
mBGA
CSP
MSMT
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职称材料
倒装芯片封装技术的凸点、压焊及下填充
被引量:
2
2
作者
杨建生
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期35-37,共3页
简要叙述了IBM公司的倒装片技术,包括凸点形成技术、压焊技术和下填充技术,并展望了倒装片技术的发展前景。
关键词
倒装芯片封装
凸点
压焊
下填充
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职称材料
绿色封装:走向国际市场的必由之路
3
作者
谢恩桓
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期51-53,共3页
关键词
绿色封装技术
国际市场
半导体工业
环境保护
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职称材料
铜基引线框架氧化的产物、机理及控制措施
被引量:
2
4
作者
徐冬梅
刘殿龙
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第12期969-973,共5页
铜基引线框架氧化时先后分别生成Cu2O和CuO,形成结构为CuO/Cu2O/Cu的氧化产物。通过称重法估算氧化膜的厚度,通过电桥法测量电阻值评估引线框架的氧化程度。在引线框架的氧化初期,氧化速率由化学反应速率控制;在氧化中期,氧化速率由化...
铜基引线框架氧化时先后分别生成Cu2O和CuO,形成结构为CuO/Cu2O/Cu的氧化产物。通过称重法估算氧化膜的厚度,通过电桥法测量电阻值评估引线框架的氧化程度。在引线框架的氧化初期,氧化速率由化学反应速率控制;在氧化中期,氧化速率由化学反应速率和扩散速率共同控制;在氧化后期,氧化速率由扩散速率控制。其中扩散过程包括Cu离子的向外扩散和氧原子的向内扩散。为了控制铜基引线框架的氧化,一方面可以优化封装工艺参数,降低封装过程对框架的氧化;另一方面,可以提高铜合金冶金技术,提高铜合金材料本身的抗氧化能力。
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关键词
引线框架
氧化
铜合金
可靠性
稀土元素
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职称材料
自掺杂TiO_2纳米管:液相制备及光催化性能
被引量:
3
5
作者
孙杰
孙鹤
孙文彦
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2014年第10期2308-2314,共7页
采用水合肼(N2H4·H2O)作为还原剂,在液相环境中制备了自掺杂TiO2纳米管阵列(NTs)。利用FE-SEM、EDS、XPS、XRD、Raman、UV-Vis/NIR分光光度法以及半导体特性分析系统(Keithley 4200 SCS)分别对样品的形貌,晶体结构,光学特性以及电...
采用水合肼(N2H4·H2O)作为还原剂,在液相环境中制备了自掺杂TiO2纳米管阵列(NTs)。利用FE-SEM、EDS、XPS、XRD、Raman、UV-Vis/NIR分光光度法以及半导体特性分析系统(Keithley 4200 SCS)分别对样品的形貌,晶体结构,光学特性以及电学性能进行了表征。结果表明:通过这种方法制备的自掺杂TiO2NTs在带隙中引入了大量的氧空位,创造了氧空位能级,从而提高了样品的电导率,有效提高光生电子-空穴对的产生、分离和传输。此外,由于氧空位的作用,使得TiO2NTs的带隙变窄,增强了可见光吸收能力,致使样品具有较高的光催化活性,并通过降解甲基橙溶液对样品的光催化活性进行评估。结果显示当光照150 min后,自掺杂TiO2NTs对甲基橙溶液的降解率达73%,并且这种催化剂便于回收和重复使用。
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关键词
TIO2纳米管
光催化作用
氧空位
带隙
电导率
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职称材料
双极型LDO线性稳压器的设计
被引量:
2
6
作者
卢艳
辛伟德
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第11期871-874,879,共5页
在使用电池供电的产品中,两个很关键的设计就是低漏失电压Vdropout和低静态功耗,Vdropout能保证电池使用效率高,低静态功耗能保证电池使用时间长,LDO线性稳压器也不例外。主要针对这两个特性加上能控制开关和过流过温保护等功能,设计并...
在使用电池供电的产品中,两个很关键的设计就是低漏失电压Vdropout和低静态功耗,Vdropout能保证电池使用效率高,低静态功耗能保证电池使用时间长,LDO线性稳压器也不例外。主要针对这两个特性加上能控制开关和过流过温保护等功能,设计并实现了一款双极型LDO线性稳压器。采用SA-5V工艺中特有的横向pnp管做调整管,使得调整管集电极寄生电阻RC只有10Ω,工艺流片后测试线性调整率为5 mV,负载调整率为14 mV,最大输出电流为30 mA,最小漏失电压为280 mV,在频率为20 Hz~50 kHz输出噪声为80μVRMS,具有良好的应用前景,可适合大规模批量生产。
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关键词
LDO线性稳压器
低漏失电压
低静态电流
过温过流保护
带隙基准电路
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职称材料
题名
超越BGA封装技术
被引量:
2
1
作者
杨建生
机构
天水
华天
微电子
有限公司
技术部
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第9期52-54,共3页
文摘
简要介绍了芯片级封装技术诸如芯片规模封装(CSP)、微型SMT封装(MSMT)、迷你型球栅阵列封装(miniBGA)、超级型球栅阵列封装(SuperBGA)和mBGA封装。
关键词
BGA封装技术
芯片级封装技术
芯片规模封装
微型SMT封装
球栅阵列封装
mBGA
CSP
MSMT
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
倒装芯片封装技术的凸点、压焊及下填充
被引量:
2
2
作者
杨建生
机构
天水
华天
微电子
有限公司
技术部
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第4期35-37,共3页
文摘
简要叙述了IBM公司的倒装片技术,包括凸点形成技术、压焊技术和下填充技术,并展望了倒装片技术的发展前景。
关键词
倒装芯片封装
凸点
压焊
下填充
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
绿色封装:走向国际市场的必由之路
3
作者
谢恩桓
机构
天水
华天
微电子
有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期51-53,共3页
关键词
绿色封装技术
国际市场
半导体工业
环境保护
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
铜基引线框架氧化的产物、机理及控制措施
被引量:
2
4
作者
徐冬梅
刘殿龙
机构
天水华天微电子股份有限公司
天水
华天
科技
股份有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第12期969-973,共5页
文摘
铜基引线框架氧化时先后分别生成Cu2O和CuO,形成结构为CuO/Cu2O/Cu的氧化产物。通过称重法估算氧化膜的厚度,通过电桥法测量电阻值评估引线框架的氧化程度。在引线框架的氧化初期,氧化速率由化学反应速率控制;在氧化中期,氧化速率由化学反应速率和扩散速率共同控制;在氧化后期,氧化速率由扩散速率控制。其中扩散过程包括Cu离子的向外扩散和氧原子的向内扩散。为了控制铜基引线框架的氧化,一方面可以优化封装工艺参数,降低封装过程对框架的氧化;另一方面,可以提高铜合金冶金技术,提高铜合金材料本身的抗氧化能力。
关键词
引线框架
氧化
铜合金
可靠性
稀土元素
Keywords
lead frame
oxidation
copper alloy
reliability
rare earth element
分类号
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
自掺杂TiO_2纳米管:液相制备及光催化性能
被引量:
3
5
作者
孙杰
孙鹤
孙文彦
机构
天水华天微电子股份有限公司
甘肃省
天水
市解放路第一小学
天水
第十中学
出处
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2014年第10期2308-2314,共7页
文摘
采用水合肼(N2H4·H2O)作为还原剂,在液相环境中制备了自掺杂TiO2纳米管阵列(NTs)。利用FE-SEM、EDS、XPS、XRD、Raman、UV-Vis/NIR分光光度法以及半导体特性分析系统(Keithley 4200 SCS)分别对样品的形貌,晶体结构,光学特性以及电学性能进行了表征。结果表明:通过这种方法制备的自掺杂TiO2NTs在带隙中引入了大量的氧空位,创造了氧空位能级,从而提高了样品的电导率,有效提高光生电子-空穴对的产生、分离和传输。此外,由于氧空位的作用,使得TiO2NTs的带隙变窄,增强了可见光吸收能力,致使样品具有较高的光催化活性,并通过降解甲基橙溶液对样品的光催化活性进行评估。结果显示当光照150 min后,自掺杂TiO2NTs对甲基橙溶液的降解率达73%,并且这种催化剂便于回收和重复使用。
关键词
TIO2纳米管
光催化作用
氧空位
带隙
电导率
Keywords
TiO2NTs
photocatalysis
oxygen vacancy
band gap
conductivity
分类号
O643.36 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
双极型LDO线性稳压器的设计
被引量:
2
6
作者
卢艳
辛伟德
机构
天水华天微电子股份有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第11期871-874,879,共5页
文摘
在使用电池供电的产品中,两个很关键的设计就是低漏失电压Vdropout和低静态功耗,Vdropout能保证电池使用效率高,低静态功耗能保证电池使用时间长,LDO线性稳压器也不例外。主要针对这两个特性加上能控制开关和过流过温保护等功能,设计并实现了一款双极型LDO线性稳压器。采用SA-5V工艺中特有的横向pnp管做调整管,使得调整管集电极寄生电阻RC只有10Ω,工艺流片后测试线性调整率为5 mV,负载调整率为14 mV,最大输出电流为30 mA,最小漏失电压为280 mV,在频率为20 Hz~50 kHz输出噪声为80μVRMS,具有良好的应用前景,可适合大规模批量生产。
关键词
LDO线性稳压器
低漏失电压
低静态电流
过温过流保护
带隙基准电路
Keywords
LDO linear regulator
low dropout voltage
low quiescent current
over-current andtemperature protection
bandgap reference circuit
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
超越BGA封装技术
杨建生
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2003
2
在线阅读
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职称材料
2
倒装芯片封装技术的凸点、压焊及下填充
杨建生
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
绿色封装:走向国际市场的必由之路
谢恩桓
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
铜基引线框架氧化的产物、机理及控制措施
徐冬梅
刘殿龙
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
5
自掺杂TiO_2纳米管:液相制备及光催化性能
孙杰
孙鹤
孙文彦
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2014
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
6
双极型LDO线性稳压器的设计
卢艳
辛伟德
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011
2
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职称材料
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