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PECVD淀积Si_3N_4作为光刻掩膜版的保护膜
被引量：
2
1
作者
张晓情
李沛林
+1 位作者
王敬松
杨建红
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第11期1096-1098,共3页
采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法淀积Si3N4薄膜作为光刻掩膜版的保护膜,可以降低掩膜版受损程度,延长使用寿命。分析了Si3N4膜厚的选取要求,给出了PECVD淀积Si3N4膜的工艺条件。实际制作了带有Si3N4保护的光刻掩膜版,并与不带Si...
采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法淀积Si3N4薄膜作为光刻掩膜版的保护膜,可以降低掩膜版受损程度,延长使用寿命。分析了Si3N4膜厚的选取要求,给出了PECVD淀积Si3N4膜的工艺条件。实际制作了带有Si3N4保护的光刻掩膜版,并与不带Si3N4保护的掩膜版的使用情况做了对比。结果表明,带有Si3N4保护的光刻掩膜版的使用寿命可明显延长2倍以上。
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关键词
等离子增强化学气相淀积
氮化硅
光刻版
保护膜
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职称材料
一种高电源抑制比的曲率补偿带隙基准电压源
被引量：
12
2
作者
陈昊
张彩珍
+1 位作者
王梓淇
王永功
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第12期905-909,共5页
基于0.13μm CMOS工艺设计了一个高阶曲率补偿带隙基准电压源,该带隙基准电压源具有低温度系数和高电源抑制比(PSRR)。通过高阶曲率补偿电路得到低温度系数;在该带隙基准电压源的核心电路中,使电流镜管的栅源电压保持恒定值来实现在一...
基于0.13μm CMOS工艺设计了一个高阶曲率补偿带隙基准电压源,该带隙基准电压源具有低温度系数和高电源抑制比(PSRR)。通过高阶曲率补偿电路得到低温度系数;在该带隙基准电压源的核心电路中,使电流镜管的栅源电压保持恒定值来实现在一定频段下的PSRR增强。利用Cadence工具进行了仿真,并进行了流片验证,测试结果表明,该带隙基准电压源具有恒定的1.2 V基准电压,在-45~165℃内,基准电压的温度系数为3.95×10-6/℃;PSRR在10 kHz下为74.7 dB,在1 MHz下为42 dB;电路启动时间为1.4μs。该设计已应用于高精度嵌入式电源管理芯片的低压差线性稳压器中。
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关键词
带隙基准电压源
高电源抑制比(PSRR)
低温度系数
曲率补偿
启动时间
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职称材料
题名
PECVD淀积Si_3N_4作为光刻掩膜版的保护膜
被引量：
2
1
作者
张晓情
李沛林
王敬松
杨建红
机构
天光半导体有限公司
兰州大学微电子研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第11期1096-1098,共3页
文摘
采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法淀积Si3N4薄膜作为光刻掩膜版的保护膜,可以降低掩膜版受损程度,延长使用寿命。分析了Si3N4膜厚的选取要求,给出了PECVD淀积Si3N4膜的工艺条件。实际制作了带有Si3N4保护的光刻掩膜版,并与不带Si3N4保护的掩膜版的使用情况做了对比。结果表明,带有Si3N4保护的光刻掩膜版的使用寿命可明显延长2倍以上。
关键词
等离子增强化学气相淀积
氮化硅
光刻版
保护膜
Keywords
PECVD
silicon nitride（Si3N4）
photolithography mask
protection layer
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一种高电源抑制比的曲率补偿带隙基准电压源
被引量：
12
2
作者
陈昊
张彩珍
王梓淇
王永功
机构
兰州交通大学电子与信息工程学院
天水
天光半导体有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第12期905-909,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61762057)
甘肃省自然科学基金资助项目(1610RJZA046)
文摘
基于0.13μm CMOS工艺设计了一个高阶曲率补偿带隙基准电压源,该带隙基准电压源具有低温度系数和高电源抑制比(PSRR)。通过高阶曲率补偿电路得到低温度系数;在该带隙基准电压源的核心电路中,使电流镜管的栅源电压保持恒定值来实现在一定频段下的PSRR增强。利用Cadence工具进行了仿真,并进行了流片验证,测试结果表明,该带隙基准电压源具有恒定的1.2 V基准电压,在-45~165℃内,基准电压的温度系数为3.95×10-6/℃;PSRR在10 kHz下为74.7 dB,在1 MHz下为42 dB;电路启动时间为1.4μs。该设计已应用于高精度嵌入式电源管理芯片的低压差线性稳压器中。
关键词
带隙基准电压源
高电源抑制比(PSRR)
低温度系数
曲率补偿
启动时间
Keywords
bandgap reference voltage source
high power supply rejection ratio(PSRR)
low temperature coefficient
curvature compensation
start-up time
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PECVD淀积Si_3N_4作为光刻掩膜版的保护膜
张晓情
李沛林
王敬松
杨建红
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
2
在线阅读
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职称材料
2
一种高电源抑制比的曲率补偿带隙基准电压源
陈昊
张彩珍
王梓淇
王永功
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019
12
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职称材料
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