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“高性能表面抛光加工方法”专题序言
1
作者
孙玉文
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第4期I0005-I0006,共2页
目前对集成电路晶圆、硬脆软脆材料光学元件、增材制造复杂结构件等高性能零件的需求日益高涨,而抛光加工是这些高性能零件精密加工中一道关键工序,抛光加工质量对零件服役性能有至关重要的影响。高性能零件制造离不开高性能表面抛光加...
目前对集成电路晶圆、硬脆软脆材料光学元件、增材制造复杂结构件等高性能零件的需求日益高涨,而抛光加工是这些高性能零件精密加工中一道关键工序,抛光加工质量对零件服役性能有至关重要的影响。高性能零件制造离不开高性能表面抛光加工机理与技术研究,所以策划本期“高性能表面抛光加工方法”专题,分享本领域研究进展,推动技术进步。
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关键词
抛光加工
表面抛光
零件制造
增材制造
精密加工
加工机理
复杂结构件
光学元件
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职称材料
基于正交试验的碲锌镉晶片CMP参数优化及抛光机制分析
被引量：
1
2
作者
张乐振
张振宇
+4 位作者
王冬
徐光宏
郜培丽
孟凡宁
赵子锋
《润滑与密封》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第4期92-101,共10页
碲锌镉(CZT)晶片是目前制造室温下高能射线探测器最理想的半导体材料,获得高质量的CZT晶片对探测性能的提高具有十分重要的意义。基于化学机械抛光(CMP)工艺,采用绿色环保的抛光液配方,设计并进行磨粒粒径、磨粒质量分数、抛光液pH值和...
碲锌镉(CZT)晶片是目前制造室温下高能射线探测器最理想的半导体材料,获得高质量的CZT晶片对探测性能的提高具有十分重要的意义。基于化学机械抛光(CMP)工艺,采用绿色环保的抛光液配方,设计并进行磨粒粒径、磨粒质量分数、抛光液pH值和抛光压力的4因素3水平正交CMP试验,实现200μm×200μm范围内平均粗糙度最低为0.289 nm的CMP加工。对试验结果进行均值和极差分析,探究各因素在CMP加工中的作用规律,得出pH值和磨粒质量分数对CZT晶体的CMP加工精度和去除速率影响较大,且较强的酸性条件和较大的磨粒质量分数分别有利于提高CZT晶体的化学溶解作用和机械磨削作用的结论,提出针对CZT晶片的CMP优化加工方案。通过X射线光电子能谱(XPS)表征,探究对抛光性能影响作用最大的酸度在CMP加工中所起到的化学腐蚀作用,揭示CZT晶体在CMP过程中“氧化剂氧化-酸根离子刻蚀-络合物螯合-磨粒磨削”的材料去除机制。
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关键词
化学机械抛光
碲锌镉晶片
正交试验
抛光液
材料去除机制
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职称材料
题名
“高性能表面抛光加工方法”专题序言
1
作者
孙玉文
机构
大连理工大学
机械学院
大连理工大学高性能制造研究所
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第4期I0005-I0006,共2页
文摘
目前对集成电路晶圆、硬脆软脆材料光学元件、增材制造复杂结构件等高性能零件的需求日益高涨,而抛光加工是这些高性能零件精密加工中一道关键工序,抛光加工质量对零件服役性能有至关重要的影响。高性能零件制造离不开高性能表面抛光加工机理与技术研究,所以策划本期“高性能表面抛光加工方法”专题,分享本领域研究进展,推动技术进步。
关键词
抛光加工
表面抛光
零件制造
增材制造
精密加工
加工机理
复杂结构件
光学元件
分类号
TG580.692 [金属学及工艺—金属切削加工及机床]
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职称材料
题名
基于正交试验的碲锌镉晶片CMP参数优化及抛光机制分析
被引量：
1
2
作者
张乐振
张振宇
王冬
徐光宏
郜培丽
孟凡宁
赵子锋
机构
潍柴动力股份有限公司
大连理工大学高性能制造研究所
中国空间技术
研究
院
出处
《润滑与密封》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第4期92-101,共10页
基金
国家重点研发计划(2018YFA0703400)。
文摘
碲锌镉(CZT)晶片是目前制造室温下高能射线探测器最理想的半导体材料,获得高质量的CZT晶片对探测性能的提高具有十分重要的意义。基于化学机械抛光(CMP)工艺,采用绿色环保的抛光液配方,设计并进行磨粒粒径、磨粒质量分数、抛光液pH值和抛光压力的4因素3水平正交CMP试验,实现200μm×200μm范围内平均粗糙度最低为0.289 nm的CMP加工。对试验结果进行均值和极差分析,探究各因素在CMP加工中的作用规律,得出pH值和磨粒质量分数对CZT晶体的CMP加工精度和去除速率影响较大,且较强的酸性条件和较大的磨粒质量分数分别有利于提高CZT晶体的化学溶解作用和机械磨削作用的结论,提出针对CZT晶片的CMP优化加工方案。通过X射线光电子能谱(XPS)表征,探究对抛光性能影响作用最大的酸度在CMP加工中所起到的化学腐蚀作用,揭示CZT晶体在CMP过程中“氧化剂氧化-酸根离子刻蚀-络合物螯合-磨粒磨削”的材料去除机制。
关键词
化学机械抛光
碲锌镉晶片
正交试验
抛光液
材料去除机制
Keywords
chemical mechanical polishing
cadmium zinc telluride wafer
orthogonal experiment
polishing slurry
materials removal mechanism
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
“高性能表面抛光加工方法”专题序言
孙玉文
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
0
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职称材料
2
基于正交试验的碲锌镉晶片CMP参数优化及抛光机制分析
张乐振
张振宇
王冬
徐光宏
郜培丽
孟凡宁
赵子锋
《润滑与密封》
CAS
CSCD
北大核心
2022
1
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职称材料
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