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AlGaN/GaN HEMT小信号放大电路设计及放大增益预测被引量：1: 1; 作者叶宇帆张贺秋 +4 位作者夏晓川郭文平黄慧诗梁晓华梁红伟《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期412-417,共6页; 采用计算机辅助设计技术(TCAD)对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件进行了仿真,并利用Multisim设计了AlGaN/GaN HEMT器件的低频小信号放大电路.由于GaN材料的宽带隙和高载流子迁移率,HEMT器件可以在空间科学应用中取代Si基MOSFET.T... 展开更多; 关键词 AlGaN/GaN HEMT TCAD仿真放大增益小信号模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于线性-对数响应相机的HDR图像融合算法: 2; 作者张磊柳凯元 +1 位作者李昱天石常玉春《液晶与显示》北大核心 2025年第7期1046-1055,共10页; 针对高动态范围(High Dynamic Range,HDR)图像生成任务,为了解决现有方法存在的多曝光图像采集时间长、动态场景存在帧间偏移、算法参数量及计算量大等问题,本文基于线性对数响应相机,提出了一种轻量化的HDR图像融合算法,并采集了一个... 展开更多; 关键词高动态图像图像融合无监督学习注意力机制轻量化; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlGaN/GaN HEMT器件有效栅长和栅宽提取: 3; 作者吴淇暄张贺秋 +4 位作者朱江宁思源代晓王子坤梁红伟《大连理工大学学报》 CAS 北大核心 2025年第1期105-110,共6页; 有效栅长、有效栅宽和沟道电阻等AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)参数对于工艺控制和器件设计非常重要.基于AlGaN/GaN HEMT器件源漏之间的总电阻与栅长及栅宽的倒数之间的线性关系,提出了一种简单方法提取有效栅长和有效栅宽.制作了... 展开更多; 关键词 ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管器件参数有效栅长有效栅宽; 在线阅读下载PDF 职称材料

β-Ga_(2)O_(3)基MSM型日盲紫外光电探测器高温电流输运机制的研究: 4; 作者杜桐付俊杰 +6 位作者王紫石狄静陶春雷张赫之张琦胡锡兵梁红伟《人工晶体学报》北大核心 2025年第2期319-328,共10页; 本文成功制备了β-Ga_(2)O_(3)基金属半导体金属(MSM)型日盲紫外光电探测器。在室温下偏压为5 V时,具有高质量外延的器件的响应度达到469.6 mA/W(对应外量子效率(EQE)为229.2%),光暗电流比为5.26×10^(3)。为了研究β-Ga_(2)O_(3)基... 展开更多; 关键词 β-Ga_(2)O_(3) 金属半导体金属日盲紫外光电探测器热离子场发射普尔-弗兰克发射缺陷; 在线阅读下载PDF 职称材料

α-In_(2)Se_(3)/PtX_(2)(X=S,Se,Te)异质结电子结构调控研究: 5; 作者韩善成李京杰 +2 位作者王楠黄火林郝松《大连理工大学学报》 CAS 北大核心 2025年第1期1-9,共9页; 二维范德华异质结因其无悬挂键界面和无应力失配等特性,在后摩尔时代的高性能电子学领域具备广泛的应用潜力.然而,当前二维范德华异质结的原子结构固定,限制了对其物性的动态调控.因此提出了利用二维铁电材料α-In_(2)Se_(3)与PtX_(2)(X... 展开更多; 关键词铁电性二维材料范德华异质结电子结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlGaN/GaN HEMT器件高温栅偏置应力后栅极泄漏电流机制分析被引量：1: 6; 作者陈欢欢张贺秋 +9 位作者邢鹤夏晓川张振中蔡涛叶宇帆郭文平席庆南黄慧诗梁晓华梁红伟《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期90-95,共6页; AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅特性会受到温度应力和电应力的影响.在高温栅偏置(HTGB)应力下,器件的栅特性会发生退化,如栅极泄漏电流增大.为了研究退化机理,分析了AlGaN/GaN HEMT在栅电压为-2 V时,250℃高温应力作用后的栅极... 展开更多; 关键词 AlGaN/GaN HEMT 高温栅偏置应力栅极泄漏电流机制; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlGaN/GaN HEMT小信号放大电路设计及放大增益预测被引量：1: 1; 作者叶宇帆张贺秋夏晓川郭文平黄慧诗梁晓华梁红伟; 机构大连理工大学集成电路学院元旭半导体科技股份有限公司江苏新广联科技股份有限公司中国科学院高能物理研究所; 出处《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期412-417,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(11975257,12075045,11875097,62074146)。; 文摘采用计算机辅助设计技术(TCAD)对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件进行了仿真,并利用Multisim设计了AlGaN/GaN HEMT器件的低频小信号放大电路.由于GaN材料的宽带隙和高载流子迁移率,HEMT器件可以在空间科学应用中取代Si基MOSFET.TCAD的仿真结果通过与测试结果的比较进行了修正.通过Multisim仿真结果与搭建的AlGaN/GaN HEMT共源共栅放大电路的测试结果对放大电路的放大特性进行了验证.以此为基础,利用TCAD模拟改变了结构参数的器件特性并采用改进了结构参数的AlGaN/GaN HEMT设计共源共栅放大电路.仿真结果表明,该放大电路在低频和室温下的电压放大能力可达6 200倍.; 关键词 AlGaN/GaN HEMT TCAD仿真放大增益小信号模型; Keywords AlGaN/GaN HEMT TCAD simulation amplification gain small signal model; 分类号 TN386.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于线性-对数响应相机的HDR图像融合算法: 2; 作者张磊柳凯元李昱天石常玉春; 机构大连理工大学集成电路学院; 出处《液晶与显示》北大核心 2025年第7期1046-1055,共10页; 基金国家自然科学基金(No.62027826)。; 文摘针对高动态范围(High Dynamic Range,HDR)图像生成任务,为了解决现有方法存在的多曝光图像采集时间长、动态场景存在帧间偏移、算法参数量及计算量大等问题,本文基于线性对数响应相机,提出了一种轻量化的HDR图像融合算法,并采集了一个多增益灰度图像数据集。首先,使用改进的多尺度残差模块提取输入图像的多层次特征并提升特征维度;其次,将多层次特征输入引入深度可分离卷积的Attention-UNet结构中,提取特征中多层次信息并对特征进行融合;再次,使用逐点卷积对图像的深度特征进行融合,输出兼容标准显示设备的高动态范围图像,无需额外的色调映射;最后,比较各消融结构的性能及参数量和计算量,得到在保证融合效果的同时又使网络轻量化的最优解。实验结果表明,本文提出的算法在主观视觉效果和客观评价指标方面均具有较好表现,MEF-SSIM为0.9866,视觉保真度为1.76,平均梯度为3.94,空间频率为14.32。本文提出的高动态图像融合算法在多增益图像间存在显著差异的情况下仍能保持优异的融合效果和鲁棒性,且具有轻量化的特点,模型参数量仅为0.612M,计算复杂度为7.254 GFLOPs。; 关键词高动态图像图像融合无监督学习注意力机制轻量化; Keywords high dynamic image image fusion unsupervised learning attention mechanism light weight; 分类号 TP391 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlGaN/GaN HEMT器件有效栅长和栅宽提取: 3; 作者吴淇暄张贺秋朱江宁思源代晓王子坤梁红伟; 机构大连理工大学集成电路学院; 出处《大连理工大学学报》 CAS 北大核心 2025年第1期105-110,共6页; 基金中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT20RC(3)042,DUT19RC(3)074,DUT19LK45) 大连市科技创新基金资助项目(2023JJ12GX013)。; 文摘有效栅长、有效栅宽和沟道电阻等AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)参数对于工艺控制和器件设计非常重要.基于AlGaN/GaN HEMT器件源漏之间的总电阻与栅长及栅宽的倒数之间的线性关系,提出了一种简单方法提取有效栅长和有效栅宽.制作了两组AlGaN/GaN HEMT器件,这两组器件的源漏间距为80μm,栅源间距为10μm.其中一组器件固定栅宽为400μm,栅长分别为10、20、30、40、50、60μm;另一组器件固定栅长为40μm,栅宽分别为200、300、400、500、600、800μm.通过研究源漏之间的总电阻随栅长和栅宽变化规律,获得栅长与有效栅长的差值为0.48989μm,栅宽与有效栅宽的差值为-11.12191μm.; 关键词 ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管器件参数有效栅长有效栅宽; Keywords AlGaN/GaN high electron mobility transistors device parameters effective gate length effective gate width; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名β-Ga_(2)O_(3)基MSM型日盲紫外光电探测器高温电流输运机制的研究: 4; 作者杜桐付俊杰王紫石狄静陶春雷张赫之张琦胡锡兵梁红伟; 机构大连理工大学集成电路学院江苏新广联光电股份有限公司; 出处《人工晶体学报》北大核心 2025年第2期319-328,共10页; 基金国家自然科学基金(62104024,11875097,12075045,11975257,11961141014,62074146) 大连市科技创新基金(2023JJ12GX013,2023JJ12GX016)。; 文摘本文成功制备了β-Ga_(2)O_(3)基金属半导体金属(MSM)型日盲紫外光电探测器。在室温下偏压为5 V时,具有高质量外延的器件的响应度达到469.6 mA/W(对应外量子效率(EQE)为229.2%),光暗电流比为5.26×10^(3)。为了研究β-Ga_(2)O_(3)基MSM型日盲紫外光电探测器在高温环境下的潜在应用,对该器件在高温下的电流-电压(I-V)和光响应(I-T)特性进行了测试,分析器件在高温下的载流子输运机制。结果表明:在300~375 K时,器件的暗电流主要由低压下的热离子场发射(TFE)和高压下的普尔-弗兰克发射(PFE)主导,由PFE模型拟合的I-V曲线可知,PFE由导带下的0.200 eV附近的缺陷引起;根据光响应特性拟合结果,得到上升时间拟合活化能为0.280 eV,下降时间拟合活化能为0.036 eV。由分析结果可知,光电流的输运过程如下:光生电子首先被导带下0.200~0.280 eV附近的缺陷能级捕获并通过PFE发射进入到导带产生光电流。光生载流子的复合过程为:光电子更倾向于被导带下的0.036 eV附近的缺陷能级捕获,进而与价带中的光生空穴复合。; 关键词 β-Ga_(2)O_(3) 金属半导体金属日盲紫外光电探测器热离子场发射普尔-弗兰克发射缺陷; Keywords β-Ga_(2)O_(3) metal-semiconductor-metal solar-blind ultraviolet photodetector thermionic-field emission Poole-Frenkel emission defect; 分类号 O799 [理学—晶体学] O47 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名α-In_(2)Se_(3)/PtX_(2)(X=S,Se,Te)异质结电子结构调控研究: 5; 作者韩善成李京杰王楠黄火林郝松; 机构大连理工大学光电工程与仪器科学学院大连理工大学集成电路学院; 出处《大连理工大学学报》 CAS 北大核心 2025年第1期1-9,共9页; 基金国家自然科学基金资助项目(62204030)。; 文摘二维范德华异质结因其无悬挂键界面和无应力失配等特性,在后摩尔时代的高性能电子学领域具备广泛的应用潜力.然而,当前二维范德华异质结的原子结构固定,限制了对其物性的动态调控.因此提出了利用二维铁电材料α-In_(2)Se_(3)与PtX_(2)(X=S,Se,Te)构建范德华异质结,并通过电场调控α-In_(2)Se_(3)的结构,从而实现对α-In_(2)Se_(3)/PtX_(2)原子结构和电子结构的动态调控.基于第一性原理计算,异质结带隙取决于α-In_(2)Se_(3)的极化方向,α-In_(2)Se_(3)/PtS2、α-In_(2)Se_(3)/PtSe_(2)、α-In_(2)Se_(3)/PtTe_(2)带隙分别为1.25/1.66 eV、0.74/1.34 eV、0.34/0.77 eV.此外,α-In_(2)Se_(3)的极化翻转可调控异质结的能带排列类型,α-In_(2)Se_(3)/PtS2能带排列从Ⅰ型变为Ⅱ型;α-In_(2)Se_(3)/PtSe_(2)能带排列虽保持Ⅱ型,但能带相对位置发生变化;α-In_(2)Se_(3)/PtTe_(2)能带排列从Ⅱ型变为Ⅰ型.通过二维铁电材料的极化翻转来调控二维范德华异质结电子性质的技术路径,为未来智能电子器件的实现提供了潜在的技术方案.; 关键词铁电性二维材料范德华异质结电子结构; Keywords ferroelectricity two-dimensional materials van der Waals heterojunction electronic structure; 分类号 O469 [理学—凝聚态物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlGaN/GaN HEMT器件高温栅偏置应力后栅极泄漏电流机制分析被引量：1: 6; 作者陈欢欢张贺秋邢鹤夏晓川张振中蔡涛叶宇帆郭文平席庆南黄慧诗梁晓华梁红伟; 机构大连理工大学集成电路学院元旭半导体科技股份有限公司江苏新广联科技股份有限公司中国科学院高能物理研究所; 出处《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期90-95,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(11975257,12075045,11875097,62074146) 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT20RC(3)042,DUT19RC(3)074,DUT19LK45)。; 文摘 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅特性会受到温度应力和电应力的影响.在高温栅偏置(HTGB)应力下,器件的栅特性会发生退化,如栅极泄漏电流增大.为了研究退化机理,分析了AlGaN/GaN HEMT在栅电压为-2 V时,250℃高温应力作用后的栅极泄漏电流机制.随着HTGB时间的增加,栅极泄漏电流持续增大,受到应力器件在室温下静置后栅极泄漏电流密度恢复约20%.结果表明,在正向偏置范围内,栅极泄漏电流是由热电子发射(TE)引起的.在反向偏置范围内,普尔-弗伦克尔(PF)发射在小电压范围内占主导地位.阈值电压附近的范围由势垒层中的陷阱辅助隧穿(TAT)引起;在大电压范围内,福勒-诺德海姆(FN)隧穿导致栅极发生泄漏.; 关键词 AlGaN/GaN HEMT 高温栅偏置应力栅极泄漏电流机制; Keywords AlGaN/GaN HEMT high temperature gate bias stress mechanism of gate leakage current; 分类号 TN386.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	AlGaN/GaN HEMT小信号放大电路设计及放大增益预测	叶宇帆张贺秋夏晓川郭文平黄慧诗梁晓华梁红伟	《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于线性-对数响应相机的HDR图像融合算法	张磊柳凯元李昱天石常玉春	《液晶与显示》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	AlGaN/GaN HEMT器件有效栅长和栅宽提取	吴淇暄张贺秋朱江宁思源代晓王子坤梁红伟	《大连理工大学学报》 CAS 北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	β-Ga_(2)O_(3)基MSM型日盲紫外光电探测器高温电流输运机制的研究	杜桐付俊杰王紫石狄静陶春雷张赫之张琦胡锡兵梁红伟	《人工晶体学报》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	α-In_(2)Se_(3)/PtX_(2)(X=S,Se,Te)异质结电子结构调控研究	韩善成李京杰王楠黄火林郝松	《大连理工大学学报》 CAS 北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	AlGaN/GaN HEMT器件高温栅偏置应力后栅极泄漏电流机制分析	陈欢欢张贺秋邢鹤夏晓川张振中蔡涛叶宇帆郭文平席庆南黄慧诗梁晓华梁红伟	《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料