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用强流脉冲离子束(HIPIB)方法在玻璃表面制备ITO膜 被引量：5
1
作者 刘永兴 王承遇 +2 位作者 马腾才 夏元良 谭畅 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2001年第2期11-16,共6页
强流脉冲离子束 (HIPIB)方法以新的成膜机理通过高强度 (约 10 8W /cm2 ) ,脉冲 (约 70ns)离子束照射到ITO陶瓷靶材上产生的高密度、高温二次等离子体快速地沉积到室温玻璃基片上成功地制得ITO薄膜。经一次脉冲发射即可制得约 6 5nm厚... 强流脉冲离子束 (HIPIB)方法以新的成膜机理通过高强度 (约 10 8W /cm2 ) ,脉冲 (约 70ns)离子束照射到ITO陶瓷靶材上产生的高密度、高温二次等离子体快速地沉积到室温玻璃基片上成功地制得ITO薄膜。经一次脉冲发射即可制得约 6 5nm厚的膜。通过原子力显微镜 (AFM)图象分析膜的表面形貌 ,膜的平整性与膜厚有直接关系 。 展开更多
关键词 强流脉冲离子束 HIPIB 锡 掺杂 氧化铟 半导体薄膜 原子力显微镜 ITO薄膜
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用微波电子自旋共振等离子源离子注入增强溅射沉积法在玻璃表面制备氧化铟膜 被引量：4
2
作者 王承遇 王波 +2 位作者 陶瑛 刘洪珠 马腾才 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2000年第2期22-24,12,共4页
利用微波电子自旋共振等离子源离子注入增强沉积法在玻璃表面制备了非化学计量半导体氧化铟膜。与反应溅射和反应沉积相比，此法制备的氧化相膜与玻璃基体的附着良好，并因高的注入能量而改善了玻璃表面硬度。同时研究了In与O的结合能... 利用微波电子自旋共振等离子源离子注入增强沉积法在玻璃表面制备了非化学计量半导体氧化铟膜。与反应溅射和反应沉积相比，此法制备的氧化相膜与玻璃基体的附着良好，并因高的注入能量而改善了玻璃表面硬度。同时研究了In与O的结合能及浓度深度分布。 展开更多
关键词 氧化铟 玻璃涂层 半导体薄膜 离子注入 导电玻璃
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