检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

网络控制系统信道调度和控制器协同设计被引量：1: 1; 作者王丽媛岳伟庄严《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期636-642,共7页; 以网络控制系统为研究对象,讨论信道受限和丢包对系统性能的影响.假设在任意采样时刻只有部分系统可以接入信道,且系统在进行数据传输时会发生丢包现象.首先,将丢包过程描述为独立的伯努利过程,根据每个系统的信道接入状态,建立系统的... 展开更多; 关键词网络控制系统信道受限丢包指数均方稳定; 在线阅读下载PDF 职称材料

高温应力下SiO_(2)/SiC近界面碳缺陷的结构与电子特性演变被引量：1: 2; 作者丁攀尉升升 +3 位作者张圆白娇苏艳王德君《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第7期557-562,576,共7页; SiO_(2)/SiC近界面碳缺陷是引起高温应力下SiC MOSFET可靠性劣化的主要根源。采用第一性原理密度泛函理论结合分子动力学,模拟计算了高温应力(425~625 K,间隔100 K)对SiO_(2)/SiC近界面碳缺陷(如羧基类、碳二聚体、碳三聚体等缺陷)结构... 展开更多; 关键词碳化硅(SiC) 界面碳缺陷高温应力电子结构电子捕获; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种新的模糊稀疏表示人脸识别算法被引量：8: 3; 作者李懿刘晓东《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期189-194,共6页; 稀疏表示人脸识别算法的主要思想是:一个未知的测试图像可以近似表示为所有与其隶属同类的训练样本的一个线性组合.然而,人脸之间存在着极大的相似性,同时易受到外部环境的影响,人脸分类的本身存在着一定的不确定性.针对这种不确定性,... 展开更多; 关键词人脸识别模式识别相似度模糊隶属度稀疏表示最近邻分类器; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于半圆形局部二值模式结构相关性描述子的图像检索被引量：1: 4; 作者李莉冯林 +1 位作者吴俊刘胜蓝《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期532-538,共7页; 针对传统的结构基元方法缺少对不同量化颜色层中的中心像素点与其潜在邻居的相似性信息描述问题,提出了一种半圆形局部二值模式结构相关性描述子,并将其应用在图像检索中.首先,定义了一种新的半圆形局部二值模式结构基元;其次,检测不同... 展开更多; 关键词局部二值模式基元频率特征颜色差分特征图像检索; 在线阅读下载PDF 职称材料

栅氧化层及界面电荷对SiC MOSFET阈值电压稳定性的影响被引量：2: 5; 作者刘兆慧尉升升 +2 位作者于洪权尹志鹏王德君《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第6期463-469,共7页; 阈值电压不稳定是SiC MOSFET的一个主要问题,而栅氧化层及界面电荷是引起器件阈值电压不稳定的关键因素。结合三角波电压扫描法和中带电压法提取了SiC MOSFET中的栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度随应力时... 展开更多; 关键词 SiC MOSFET 阈值电压不稳定性栅氧化层陷阱电荷界面陷阱电荷可动电荷; 在线阅读下载PDF 职称材料

偏压应力下SiC/SiO_(2)界面间隙碳缺陷的结构和电学性质演变被引量：1: 6; 作者张圆尉升升 +2 位作者丁攀苏艳王德君《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第3期208-213,共6页; SiC栅氧近界面碳缺陷是SiC MOSFET器件在偏压应力下可靠性劣化的主要根源。间隙碳缺陷Si2-C=O(Ci1)和O-C=C-O(Ci2)被认为是构成SiC/SiO_(2)界面缺陷能级的重要源头之一。基于第一性原理密度泛函理论,研究了不同外部电场对SiC/SiO_(2)界... 展开更多; 关键词 SIC 界面缺陷偏压应力第一性原理缺陷构型态密度; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiC掺氯热氧化技术与SiC MOS电容偏压温度不稳定性: 7; 作者于洪权尉升升 +4 位作者刘兆慧尹志鹏白娇谢威威王德君《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第5期380-388,共9页; 偏压温度不稳定性(BTI)是影响SiC MOS器件性能的关键因素。提出了一种制备SiC MOS电容的新工艺,即在SiC干氧氧化气氛中掺入氯化氢(HCl),并对比了不同HCl与O_(2)体积流量比对SiC MOS电容电学性能的影响。结果表明,该工艺有效地改善了SiC ... 展开更多; 关键词碳化硅 MOS电容热氧化偏压温度不稳定性(BTI) 阈值电压漂移; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名网络控制系统信道调度和控制器协同设计被引量：1: 1; 作者王丽媛岳伟庄严; 机构大连理工大学电子信息与电气工程学部控制科学与工程学院大连海事大学信息科学技术学院; 出处《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期636-642,共7页; 基金国家自然科学基金资助项目(61304192) 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(3132013334) 辽宁省高等学校优秀人才支持计划资助项目(LJQ2013008); 文摘以网络控制系统为研究对象,讨论信道受限和丢包对系统性能的影响.假设在任意采样时刻只有部分系统可以接入信道,且系统在进行数据传输时会发生丢包现象.首先,将丢包过程描述为独立的伯努利过程,根据每个系统的信道接入状态,建立系统的切换模型;然后,利用平均驻留时间技术,得到系统指数均方稳定的充分条件以及信道的可调度条件;最后,根据以上结果,给出系统信道调度策略和控制器的协同设计算法,使得系统镇定的同时具有理想的衰减率.; 关键词网络控制系统信道受限丢包指数均方稳定; Keywords networked control systems bandwidth constraint packet dropout exponential meansquare stability; 分类号 TP202 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高温应力下SiO_(2)/SiC近界面碳缺陷的结构与电子特性演变被引量：1: 2; 作者丁攀尉升升张圆白娇苏艳王德君; 机构大连理工大学电子信息与电气工程学部控制科学与工程学院大连理工大学物理学院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第7期557-562,576,共7页; 基金国家自然科学基金资助项目(61874017)。; 文摘 SiO_(2)/SiC近界面碳缺陷是引起高温应力下SiC MOSFET可靠性劣化的主要根源。采用第一性原理密度泛函理论结合分子动力学,模拟计算了高温应力(425~625 K,间隔100 K)对SiO_(2)/SiC近界面碳缺陷(如羧基类、碳二聚体、碳三聚体等缺陷)结构和电子特性的影响。计算结果表明:施加高温应力后,羧基类碳缺陷结构稳定;碳二聚体缺陷的碳碳双键(C═C)转变为碳碳单键(C—C),且无法在SiC带隙中引入电荷态;碳三聚体缺陷在施加高温应力后转变为新的C═C和碳氧双键(C═O)复合缺陷。这种复合缺陷在SiC的价带顶和导带底附近均引入了缺陷态,有较强的电子捕获能力,是SiC MOSFET在高温应力下性能不稳定的主要因素。; 关键词碳化硅(SiC) 界面碳缺陷高温应力电子结构电子捕获; Keywords silicon carbide(SiC) interface carbon defect high temperature stress electronic structure electron capture; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种新的模糊稀疏表示人脸识别算法被引量：8: 3; 作者李懿刘晓东; 机构大连理工大学电子信息与电气工程学部控制科学与工程学院黑龙江科技大学计算机与信息工程学院; 出处《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期189-194,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61175041); 文摘稀疏表示人脸识别算法的主要思想是:一个未知的测试图像可以近似表示为所有与其隶属同类的训练样本的一个线性组合.然而,人脸之间存在着极大的相似性,同时易受到外部环境的影响,人脸分类的本身存在着一定的不确定性.针对这种不确定性,结合模糊集合理论,提出了一种新的模糊稀疏表示人脸识别算法.首先,引入一个非线性函数描述人脸的相似性程度.然后,基于该相似性度量以及最近邻分类器思想,定义一个自适应的模糊隶属度函数来分配人脸对类的隶属程度.而这一过程恰使得这些隶属度是稀疏化的.最后,将稀疏化的模糊隶属度作为训练样本表示测试样本的权值系数,进而重构测试图像.采用MATLAB在ORL和Yale人脸数据库上进行仿真实验,验证了该算法的有效性和稳定性.; 关键词人脸识别模式识别相似度模糊隶属度稀疏表示最近邻分类器; Keywords face recognition pattern recognition similarity fuzzy membership degree sparse representation the nearest neighbors classifier; 分类号 TP391.41 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于半圆形局部二值模式结构相关性描述子的图像检索被引量：1: 4; 作者李莉冯林吴俊刘胜蓝; 机构大连理工大学电子信息与电气工程学部计算机科学与技术学院大连理工大学创新创业学院大连理工大学电子信息与电气工程学部控制科学与工程学院; 出处《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期532-538,共7页; 基金国家自然科学基金资助项目(61173163 61370200); 文摘针对传统的结构基元方法缺少对不同量化颜色层中的中心像素点与其潜在邻居的相似性信息描述问题,提出了一种半圆形局部二值模式结构相关性描述子,并将其应用在图像检索中.首先,定义了一种新的半圆形局部二值模式结构基元;其次,检测不同量化颜色层中的结构基元;最后,提取新结构基元的空间分布和对比度特征.相比传统的结构基元方法,提出的描述子检测的结构基元更加丰富,包含更多可能的结构区分性.在不同图像库上的实验结果表明了所提方法的有效性.; 关键词局部二值模式基元频率特征颜色差分特征图像检索; Keywords local binary patterns texton frequency feature color difference feature image retrieval; 分类号 TP391 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名栅氧化层及界面电荷对SiC MOSFET阈值电压稳定性的影响被引量：2: 5; 作者刘兆慧尉升升于洪权尹志鹏王德君; 机构大连理工大学电子信息与电气工程学部控制科学与工程学院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第6期463-469,共7页; 基金国家自然科学基金资助项目(61874017)。; 文摘阈值电压不稳定是SiC MOSFET的一个主要问题,而栅氧化层及界面电荷是引起器件阈值电压不稳定的关键因素。结合三角波电压扫描法和中带电压法提取了SiC MOSFET中的栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度随应力时间的变化量,总结了三种电荷面密度变化量在不同应力时间下的变化规律,分析了其对器件阈值电压不稳定性的影响,同时推测了长时间偏压作用下SiC MOSFET阈值电压稳定性的劣化机制。测试结果表明,栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度在不同偏压温度下随应力时间的变化规律不同,常温应力下器件阈值电压稳定性劣化主要与栅氧化层陷阱电荷有关,而高温下,则主要与界面陷阱电荷有关。; 关键词 SiC MOSFET 阈值电压不稳定性栅氧化层陷阱电荷界面陷阱电荷可动电荷; Keywords SiC MOSFET threshold voltage instability gate⁃oxide layer trap charge interface trap charge mobile charge; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名偏压应力下SiC/SiO_(2)界面间隙碳缺陷的结构和电学性质演变被引量：1: 6; 作者张圆尉升升丁攀苏艳王德君; 机构大连理工大学大连理工大学; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第3期208-213,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61874017)。; 文摘 SiC栅氧近界面碳缺陷是SiC MOSFET器件在偏压应力下可靠性劣化的主要根源。间隙碳缺陷Si2-C=O(Ci1)和O-C=C-O(Ci2)被认为是构成SiC/SiO_(2)界面缺陷能级的重要源头之一。基于第一性原理密度泛函理论,研究了不同外部电场对SiC/SiO_(2)界面处间隙碳缺陷的结构和电学性质的影响。结构键长键角计算结果表明,电场对缺陷Ci1和Ci2的结构影响较小,但施加电场后两种缺陷的形成能均减小,说明偏压应力更有助于这两种缺陷的形成。电荷态密度计算结果表明,不同大小和方向的偏压应力(电场)会改变Ci1和Ci2的缺陷能级位置。上述作用诠释了界面缺陷产生偏压应力不稳定问题的物理机制。; 关键词 SIC 界面缺陷偏压应力第一性原理缺陷构型态密度; Keywords SiC interface defect bias stress first principle defect configuration DOS; 分类号 O483 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiC掺氯热氧化技术与SiC MOS电容偏压温度不稳定性: 7; 作者于洪权尉升升刘兆慧尹志鹏白娇谢威威王德君; 机构大连理工大学电子信息与电气工程学部控制科学与工程学院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第5期380-388,共9页; 基金国家自然科学基金资助项目(61874017)。; 文摘偏压温度不稳定性(BTI)是影响SiC MOS器件性能的关键因素。提出了一种制备SiC MOS电容的新工艺,即在SiC干氧氧化气氛中掺入氯化氢(HCl),并对比了不同HCl与O_(2)体积流量比对SiC MOS电容电学性能的影响。结果表明,该工艺有效地改善了SiC MOS电容的栅氧击穿特性,降低了界面态密度,提升了平带电压稳定性。二次离子质谱(SIMS)和X射线光电子能谱(XPS)测试分析表明,掺氯热氧化技术能够有效消除界面缺陷。进一步分析表明,SiC掺氯热氧化技术能够降低可动离子面密度和氧化层陷阱电荷密度,能够有效改善器件的BTI特性。; 关键词碳化硅 MOS电容热氧化偏压温度不稳定性(BTI) 阈值电压漂移; Keywords SiC MOS capacitor thermal oxidation bias temperatureinstability(BTI) threshold voltage shift; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	网络控制系统信道调度和控制器协同设计	王丽媛岳伟庄严	《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	高温应力下SiO_(2)/SiC近界面碳缺陷的结构与电子特性演变	丁攀尉升升张圆白娇苏艳王德君	《半导体技术》 CAS 北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	一种新的模糊稀疏表示人脸识别算法	李懿刘晓东	《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2017	8	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于半圆形局部二值模式结构相关性描述子的图像检索	李莉冯林吴俊刘胜蓝	《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	栅氧化层及界面电荷对SiC MOSFET阈值电压稳定性的影响	刘兆慧尉升升于洪权尹志鹏王德君	《半导体技术》 CAS 北大核心	2023	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	偏压应力下SiC/SiO_(2)界面间隙碳缺陷的结构和电学性质演变	张圆尉升升丁攀苏艳王德君	《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	SiC掺氯热氧化技术与SiC MOS电容偏压温度不稳定性	于洪权尉升升刘兆慧尹志鹏白娇谢威威王德君	《半导体技术》 CAS 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料